FUJITSU MB85RC16V

FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00010-7v0-J
メモリ FRAM
16 K (2 K×8) ビット I2C
MB85RC16V
■ 概 要
MB85RC16Vは, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた 2,048ワー
ド ×8 ビット構成の FRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ ) です。
MB85RC16V は , SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用しなくてもデータ保持が可能です。
MB85RC16V に採用しているメモリセルは書込み / 読出し動作でバイトあたり最低 1012 回の耐久性があり , ほかの不揮
発性メモリ製品よりも大きく上回ります。
MB85RC16V では , フラッシュメモリや E2PROM のような長い書込み時間は不要のため , 1 バイト単位での書込みを 実
現しています。したがって , ライトビジー状態のような書込み完了待ちシーケンスは必要としません。
■ 特 長
・
・
・
・
・
・
・
ビット構成
2 線式シリアルインタフェース
動作周波数
書込み / 読出し耐性
データ保持特性
動作電源電圧
低消費電力
・ 動作温度範囲
・ パッケージ
：2,048 ワード × 8 ビット
：シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
：1 MHz (Max)
：1012 回 / バイト
：10 年 ( ＋ 85 °C), 95 年 ( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
：3.0 V ∼ 5.5 V
：動作電源電流 90 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
：− 40 °C ∼＋ 85 °C
：プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。
Copyright©2011-2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2013.12
MB85RC16V
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
NC
1
8
VDD
NC
2
7
WP
NC
3
6
SCL
VSS
4
5
SDA
(FPT-8P-M02)
■ 端子機能説明
2
端子番号
端子名
機能説明
1∼3
NC
未使用端子
開放 , もしくは , VDD 端子または VSS 端子に接続してください。
4
VSS
グランド端子
5
SDA
シリアルデータ入出力端子
メモリアドレスやデータを送受信する双方向端子です。複数のデバイスを接続できま
す。出力はオープンドレインになっていますので , 外部回路にプルアップ抵抗が必要で
す。
6
SCL
シリアルクロック端子
シリアルデータ入出力タイミングのためのクロックを入力する端子です。クロック立上
りでデータを取り込み , 立下りでデータを出力します。
7
WP
ライトプロテクト端子
ライトプロテクト端子が “H” レベルのとき , 書込み不可です。“L” レベルのとき , すべ
てのメモリ領域が書換え可能です。読出しは , ライトプロテクト端子の状態にかかわら
ず常に可能です。ライトプロテクト端子は内部で VSS 端子にプルダウンされており , 端
子がオープンの場合は “L” レベル ( 書込み可能状態 ) として認識します。
8
VDD
電源電圧端子
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
■ ブロックダイヤグラム
SCL
WP
ローデコーダ
メモリアドレスカウンタ
シリアル - パラレル
コンバータ
コントロール回路
SDA
FRAM アレイ
2,048×8
コラムデコーダ / センスアンプ /
ライトアンプ
■ I2C (Inter-Integrated Circuit)
MB85RC16V は , 2 線式シリアルインタフェース , I2C バスに対応しており , スレーブデバイスとして動作します。I2C バ
スは , 通信の役割が「マスタ」側と「スレーブ」側で明確に異なり , マスタ側が制御の主導権を持ちます。
また , パーティライン構成が可能となっており , 1 つのマスタで複数のスレーブデバイスと接続できます。
・I2C インタフェースのシステム構成例
VDD
プルアップ抵抗
SCL
SDA
I2C バス
マスタ
DS501-00010-7v0-J
I2C バス
MB85RC16V
I2C バス
他スレーブ
3
MB85RC16V
■ I2C 通信の開始と終了
I2C バスは , 2 線だけで通信を実現するため , SDA 入力の切換えを SCL の状態が “L” レベルの期間内に行ってください。
ただし , 通信の開始と終了については下記のように SCL の状態が “H” レベルの期間内に SDA を切り換えてください。
・スタート・コンディション (Start)
I2C バスが , 読出しまたは書込みの動作を開始するには , SCL 入力の状態が “H” レベルの期間に , SDA 入力の状態を “H”
レベルから “L” レベルに設定してください。
・ストップ・コンディション (Stop)
I2C バスの通信を終了するには , SCL 入力の状態が “H” レベルの期間に , SDA 入力の状態を “L” レベルから “H” レベル
に設定してください。読出し動作の場合には , ストップ・コンディションを入力することで読出しが終了し , スタンバイ状
態になります。書込み動作の場合には , ストップ・コンディション入力で書換えデータの入力が終了し , スタンバイ状態に
なります。
・スタート・コンディション , ストップ・コンディション
SCL
SDA
“H” or “L”
Start
Stop
（注意事項）FRAM デバイスでは書込み動作時 , ストップ・コンディション後のメモリ書込み待ち時間 (tWC) は必要ありま
せん。
■ アクノリッジ (ACK)
I2C では , メモリアドレス情報や , メモリ情報などのシリアルデータを 8 ビット 単位で送受信します。ACK 信号とは , この
8 ビットデータごとに , 正常に送信または受信されたことを示す信号です。8 ビットの送受信が行われるたび SCL の 9 ク
ロック目に , 受信側が毎回 “L” レベルを出力します。送信側では , この 9 クロック目で ACK 信号を受信確認するため , 一
時的にバスを解放します。この解放期間中に , 受信側では SDA ラインにプルダウンを返して通信が正常なことを示しま
す。
Slave 側が , ACK “L” レベル応答前または受信前にストップ・コンディションを受信した場合 , 動作を終了してスタンバ
イ状態になります。
一方 , Slave 側は , NACK “H” レベル応答後または受信後にバスを解放状態にします。Master 側は , このバス開放期間に ,
ストップ・コンディションまたはスタート・コンディションを生成します。
・アクノリッジのタイミング説明図
1
SCL
2
3
8
SDA
ACK
Start
4
9
送信側は 9 ビット目に , 必ず SDA を解放してください。
このとき受信側は , 直前 8 ビットの受信が正常ならばプ
ルダウンを出力します (ACK 応答 )。
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
■ メモリアドレス構成
MB85RC16V は , メモリアドレスの 11 ビット情報を保存するメモリアドレスバッファを持っています。
Byte Write, Page Write, Random Read コマンドでは , メモリ上位アドレス (3 ビット ) とメモリ下位アドレス (8 ビット ) の
入力により計 11 ビットのメモリアドレスを構成し , メモリアドレスバッファへの上書き保存とメモリへのアクセスを行
います。
Current Address Read コマンドでは , メモリ上位アドレス (3 ビット ) の入力と , メモリアドレスバッファに保存されてい
たメモリアドレスの下位アドレス (8 ビット ) により計 11 ビットのメモリアドレスを構成し , メモリアドレスバッファへ
の上書き保存とメモリへのアクセスを行います。
■ デバイス・アドレス・ワード
スタート・コンディションに続いて , 8 ビットのデバイス・アドレス・ワードを入力します。この入力で , デバイスは , 読出
しまたは書込み動作のいずれかを決定します。ただし , クロックは必ずマスタが駆動します。
デバイス・アドレス・ワード (8 ビット ) は , デバイス・コード (4 ビット ), メモリ上位アドレス・コード (3 ビット ), Read/
Write コード (1 ビット ) の 3 コードで構成されます。
・デバイス・コード (4 ビット )
デバイス・アドレス・ワードの上位 4 ビットはデバイス・タイプを識別するデバイス・コードで , 本製品では “1010” で固
定です。
・メモリ上位アドレス・コード (3 ビット )
デバイス・コードに続けてメモリ上位アドレス・コードを入力します。本デバイスでは外部端子設定によるスレーブアド
レスの選択は行いません。本 3 ビットは , スレーブアドレスの設定ビットではなく , メモリアドレスの上位 3 ビット設定用
のビットとなります。
・Read/Write コード (1 ビット )
デバイス・アドレス・ワードの 8 ビット目は , R/W (Read/Write) コードです。“0” 入力の場合は書込み動作 , “1” 入力の場合
は読出し動作です。なお, デバイス・コードが“1010”でない場合は, 読出し/書込み動作に入らずスタンバイ状態のままです。
・デバイス・アドレス・ワード
Start
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
2
..
SCL
SDA
ACK
S
1
0
1
デバイス・コード
0
A2
A1
A0
メモリ上位
アドレス・コード
R/W
A
..
Read/Write コード
マスタからのアクセス
スレーブからのアクセス
S スタート・コンディション
A ACK (SDA が “L” レベル )
DS501-00010-7v0-J
5
MB85RC16V
■ データ構成
マスタは , スタート・コンディションに続きデバイス・アドレス・ワード (8 ビット ) を入力した後 , スレーブが , 9 ビット
目に ACK“L” レベルを出力します。マスタは ACK 応答を確認した後 , Byte Write, Page Write, Random Read コマンドでは ,
続いて 8 ビットのメモリ下位アドレスを入力します。Current Address Read コマンドでは , メモリ下位アドレスの入力は行
わず , アドレスバッファの下位 8 ビットをメモリ下位アドレスとして使用します。
メモリ下位アドレスの入力が終わると , スレーブは再び 9 ビット目に ACK“L” レベルを出力します。
この後 , 入出力のデータが 8 ビット単位で続き , 以降 8 ビットデータごとに ACK“L” レベルを出力します。
■ FRAM のアクノリッジ・ポーリング不要について (Acknowledge Polling)
FRAM デバイスは書込み時間が高速なため , アクノリッジ・ポーリングによる ACK 待ち * は発生しません。
＊：E2PROM では , 書換え中か否かを判定する機能として , アクノリッジ・ポーリングがあります。書換えの期間中 , ス
タート・コンディションに続いてデバイス・アドレス・ワード (8 ビット ) を入力し , 9 ビット目のアクノリッジに
よって書換え中か否かを判定するのが一般的です。
■ ライトプロテクト (WP)
ライトプロテクト端子を “H” レベル にすることで , 全メモリアレイが書込み禁止になります。ライトプロテクト端子が
“L” レベル の場合は , 全メモリアレイの書換えができます。読出しは , ライトプロテクト端子が “H” レベル , “L” レベル に
かかわらず可能です。
スタート・コンディションからストップ・コンディションまでの通信期間中 , WP 信号レベルは変更しないでください。
（注意事項）ライトプロテクト端子は内部で VSS 端子 にプルダウンされており , 端子がオープンの場合は “L” レベル ( 書
込み可能状態 ) として認識します。
6
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
■ コマンド
・Byte Write
スタート・コンディションに続いてデバイス・アドレス・ワード (R/W “0” 入力 ) を送信することで , スレーブから ACK を
応答します。この ACK 後 , 同様に書込みメモリアドレス , 書込みデータを送信し , 最後にストップ・コンディションを発行
することで書込みが完了します。
S
1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A
XXX
Address
Low 8bits
A
Write
Data 8bits
A P
X X X X X X XX
マスタからのアクセス
MSB
LSB
スレーブからのアクセス
S スタート・コンディション
P ストップ・コンディション
A ACK (SDA が “L” レベル )
・Page Write
Byte Write と同様のコマンド ( ストップ・コンディションを除く ) を送信した後 , 連続してデータ送信することで , 次の
メモリアドレス以降も書き込みます。
最終メモリアドレスに到達すると先頭メモリアドレス (000H) にロールオーバします。したがって , 2 K バイト以上送信
した場合 , 最初に書込みしたメモリアドレスの先頭から順に上書きされていきます。
S
1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A
Address
Low 8bits
A
Write
Data 8bits
A
Write
Data
...
A P
マスタからのアクセス
スレーブからのアクセス
S スタート・コンディション
P ストップ・コンディション
A
DS501-00010-7v0-J
ACK (SDA が “L” レベル )
7
MB85RC16V
・Current Address Read
前回の書込みまたは読出し動作を Stop コンディションまで正常終了した場合 , 最後にアクセスしたメモリアドレスが ,
メモリアドレスバッファ( 長さ 11 ビット ) に残っています。
そのまま電源 OFF せずに本コマンドを送信することで , デバイス・アドレス・ワード入力からのメモリ上位アドレス
3 ビットと , メモリアドレスバッファの下位 8 ビットにより構成した計 11 ビットのメモリアドレス n を＋ 1 したメモリア
ドレス n ＋ 1 から読み出します。メモリアドレス n が最終アドレスの場合は , 先頭メモリアドレス (000H) にロールオーバ
して読出します。電源立上げ直後の Current Address ( メモリアドレスバッファが示すアドレス ) は不定です。
マスタからのアクセス
スレーブからのアクセス
メモリアドレス n+1
S
1 0 1 0 A2 A1 A0 1 A
Read
Data 8bits
S スタート・コンディション
N P
P ストップ・コンディション
A ACK (SDA が “L” レベル )
N NACK (SDA が “H” レベル )
・Random Read
Write 系コマンドと同様にアドレス指定した後 , 再度スタート・コンディションを発行して , デバイス・アドレス・ワード
(R/W “1” 入力 ) を送信することによって , メモリアドレスバッファに保存されていたメモリアドレス番地から 1 バイトの
データを , SCL に同期して読み出せます。
1 回目と 2 回目のメモリ上位アドレス・コードの設定値は同一としてください ( 下図に入力例を示します )。
最後の NACK (SDA が “H” レベル ) は , データを受信したレシーバから発行します。この場合はマスタ側からの発行です。
S
1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A
( 入力例 ) メモリアドレス
16FH を読み出す場合 :
001B
Address
Low 8bits
01101111B
A S
1 0 1 0 A2 A1 A0 1 A
Read
Data 8bits
N P
001B
マスタからのアクセス
スレーブからのアクセス
S スタート・コンディション
P ストップ・コンディション
A ACK (SDA が “L” レベル )
N NACK (SDA が “H” レベル )
8
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MB85RC16V
・Sequential Read
Random Read と同様のアドレス指定 , デバイス・アドレス・ワード (R/W “1” 入力 ) に続けて , データを連続して受信でき
ます。
最終アドレスに到達すると , 読出しアドレスは自動的に先頭メモリアドレス (000H) へロールオーバし , 読出しを続けま
す。
...
A
Read
Data 8bits
A
Read
Data
...
A
Read
Data 8bits
N P
マスタからのアクセス
スレーブからのアクセス
P ストップ・コンディション
A ACK (SDA が “L” レベル )
N NACK (SDA が “H” レベル )
■ ソフトウェアリセットまたはコマンドリトライ
電源立上げ後の誤動作 , I2C 通信中にマスタ側が処理を中止した場合 , または , 予期しない誤動作が発生した場合に , 次
に示す , (1) ソフトウェアリセットを各コマンドの実行直前に , または , (2) コマンドリトライを各コマンドのエラー直後
に , マスタ側から実行してください。
(1) ソフトウェアリセット
スレーブ側の SDA 出力が “L” を出力している場合がありますので , マスタ側から SDA を駆動する場合は , 強制的に “H”
を駆動しないでください。バスコンフリクトを防ぐためです。ここに示すソフトウェアリセットは , ハードウェアの追加は
不要です。
9 回の “ スタートコンディションおよび 1 つのデータ “1””
SCL
SDA
プルアップ抵抗による Hi-Z 状態
スタートコンディションおよび 1 つのデータ “1” を送信する。
Read または Write コマンドの直前に , これらを 9 回繰り返す。
(2) コマンドリトライ
I2C の通信中に予期しない応答が返ってきた場合は , コマンドを再送してください。
DS501-00010-7v0-J
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MB85RC16V
■ 絶対最大定格
項目
定格値
記号
最小
最大
単位
電源電圧 *
VDD
− 0.5
＋ 6.0
V
入力電圧 *
VIN
− 0.5
VDD ＋ 0.5 ( ≦ 6.0)
V
出力電圧 *
VOUT
− 0.5
VDD ＋ 0.5 ( ≦ 6.0)
V
TA
− 40
＋ 85
°C
TSTG
− 55
＋ 125
°C
動作周囲温度
保存温度
＊：VSS ＝ 0 V を基準にした値です。
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
項目
記号
規格値
最小
標準
最大
単位
電源電圧 *
VDD
3.0
⎯
5.5
V
“H” レベル入力電圧 *
VIH
VDD×0.8
⎯
5.5
V
“L” レベル入力電圧 *
VIL
VSS
⎯
VDD×0.2
V
動作周囲温度
TA
− 40
⎯
＋ 85
°C
＊：VSS ＝ 0 V を基準にした値です。
＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。
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DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
■ 電気的特性
1. 直流特性
( 推奨動作条件において )
項目
記号
入力リーク電流 *1
|ILI|
2
|ILO|
出力リーク電流 *
IDD
動作電源電流
規格値
条件
単位
最小
標準
最大
VIN ＝ 0 V ∼ VDD
⎯
⎯
1
μA
VOUT ＝ 0 V ∼ VDD
⎯
⎯
1
μA
SCL ＝ 400 kHz
⎯
40
80
μA
SCL ＝ 1000 kHz
⎯
90
130
μA
⎯
5
10
μA
スタンバイ電流
ISB
SCL, SDA ＝ VDD
WP ＝ 0 V または VDD
または オープン
ストップ・コンディショ
ン時 TA ＝＋ 25 °C
“L” レベル出力電圧
VOL
IOL ＝ 3 mA
⎯
⎯
0.4
V
RIN
VIN ＝ VIL ( 最大 )
50
⎯
⎯
kΩ
WP 端子の入力抵抗
VIN ＝ VIH ( 最小 )
1
⎯
⎯
MΩ
＊ 1: 該当端子 : SCL, SDA
＊ 2: 該当端子 : SDA
2. 交流特性
規格値
項目
記号
標準モード
高速モード
高速モードプラス
単位
最小
最大
最小
最大
最小
最大
SCL クロック周波数
FSCL
0
100
0
400
0
1000
kHz
クロックハイ時間
THIGH
4000
⎯
600
⎯
400
⎯
ns
クロックロー時間
TLOW
4700
⎯
1300
⎯
600
⎯
ns
SCL/SDA 立上り時間
Tr
⎯
1000
⎯
300
⎯
300
ns
SCL/SDA 立下り時間
Tf
⎯
300
⎯
300
⎯
100
ns
Start コンディション条件のホールド
THD:STA
4000
⎯
600
⎯
250
⎯
ns
Start コンディション条件のセットアップ
TSU:STA
4700
⎯
600
⎯
250
⎯
ns
SDA 入力ホールド
THD:DAT
20
⎯
20
⎯
20
⎯
ns
SDA 入力セットアップ
TSU:DAT
250
⎯
100
⎯
100
⎯
ns
SDA 出力ホールド
TDH:DAT
0
⎯
0
⎯
0
⎯
ns
Stop コンディション条件のセットアップ
TSU:STO
4000
⎯
600
⎯
250
⎯
ns
SCL 立下りからの SDA 出力アクセス
TAA
⎯
3000
⎯
900
⎯
550
ns
プリチャージ時間
TBUF
4700
⎯
1300
⎯
500
⎯
ns
ノイズサプレッション時間
(SCL 端子 , SDA 端子 )
TSP
⎯
50
⎯
50
⎯
50
ns
交流特性は , 以下の測定条件とする。
電源電圧
：標準モードおよび高速モード 3.0 V ∼ 5.5 V
高速モードプラス
4.5 V ∼ 5.5 V
動作周囲温度
：− 40 °C ∼＋ 85 °C
入力電圧振幅
：VDD×0.2 ∼ VDD×0.8
入力立上り時間
：5 ns
入力立下り時間
：5 ns
入力判定レベル
：VDD/2
出力判定レベル
：VDD/2
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11
MB85RC16V
3. 交流タイミングの定義
TSU:DAT
SCL
VIH
VIL
SDA
Start
THD:DAT
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
VIL
VIL
TSU:STA THD:STA
TSU:STO
Tr
THIGH
SCL
Stop
VIH
VIH
VIL
Tf
TLOW
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
VIH
SDA
Stop
VIH
VIL
Start
VIH
VIL
VIH
VIL
VIL
TBUF
Tr
T
TDH:DAT f
TAA
Tsp
VIH
SCL
VIL
VIL
VIH
SDA
Valid
VIL
VIH
VIL
VIL
1/FSCL
4. 端子容量
項目
記号
条件
入出力容量
CI/O
入力容量
CIN
規格値
単位
最小
標準
最大
VDD = VIN = VOUT = 0 V,
⎯
⎯
15
pF
f ＝ 1 MHz, TA ＝＋ 25 °C
⎯
⎯
15
pF
5. AC 試験負荷回路
5.5 V
1.8 kΩ
Output
100 pF
12
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
■ 電源投入・切断シーケンス
tf
tpd
tOFF
tr
tpu
VDD
VDD
2.7 V
2.7 V
VIH (Min)
VIH (Min)
1.0 V
1.0 V
VIL (Max)
VIL (Max)
0V
0V
SDA, SCL > VDD × 0.8 ∗
SDA, SCL
SDA, SCL > VDD × 0.8 ∗
SDA, SCL : Don't care
SDA, SCL
＊：SDA, SCL (Max) ＜ VDD ＋ 0.5 V
項目
規格値
記号
電源 OFF 時の SDA, SCL レベル保持時間
tpd
電源 ON 時の SDA, SCL レベル保持時間
tpu
単位
パラメータ
⎯
ns
⎯
85
⎯
ns
VDD=5.0 V±0.5 V 動作時
0.5
⎯
ms
VDD=3.3 V±0.3 V 動作時
0.5
50
ms
VDD=5.0 V±0.5 V 動作時
0.005
50
ms
VDD=3.3 V±0.3 V 動作時
最小
最大
85
電源の立上げ時間
tr
電源の立下げ時間
tf
0.01
50
ms
⎯
tOFF
50
⎯
ms
⎯
電源遮断時間
規定されたリードサイクル, ライトサイクルまたは電源投入・切断シーケンスを守らない動作が実行された場合, 記憶デー
タの保証はできません。
■ FRAM の特性
項目
最小
1
書込み / 読出し耐性 *
データ保持特性 *
2
最大
10
⎯
10
⎯
95
⎯
≧ 200
⎯
12
単位
パラメータ
回 / バイト 動作周囲温度
TA ＝＋ 85 °C
動作周囲温度 TA ＝＋ 85 °C
年
動作周囲温度 TA ＝＋ 55 °C
動作周囲温度 TA ＝＋ 35 °C
＊ 1： FRAM は破壊読出しを行っているため , 書込みおよび読出し回数の合計が書込み / 読出し耐性の最小値です。
＊ 2： データ保持特性の最小年数は , 出荷直後に初めて読み書きしたデータの保持時間です。
これらの保持時間は , 信頼性評価結果からの換算値です。
■ 使用上の注意
リフロー後にデータの書き込みを行ってください。リフロー前に書き込まれたデータは保証できません。
DS501-00010-7v0-J
13
MB85RC16V
■ ESD・ラッチアップ
DUT
試験項目
規格値
ESD HBM( 人体帯電モデル )
JESD22-A114 準拠
＋ 2000 V 以上
− 2000 V 以下
ESD MM( マシンモデル )
JESD22-A115 準拠
＋ 200 V 以上
− 200 V 以下
ESD CDM( デバイス帯電モデル )
JESD22-C101 準拠
＋ 1000 V 以上
− 1000 V 以下
MB85RC16VPNF-G-JNE1
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1
ラッチアップ ( パルス電流注入法 )
JESD78 準拠
ラッチアップ ( 電源過電圧法 )
JESD78 準拠
⎯
⎯
ラッチアップ ( 電流法 )
Proprietary method
＋ 300mA 以上
− 300mA 以下
ラッチアップ (C-V 法 )
Proprietary method
⎯
・ ラッチアップ ( 電流法 )
保護抵抗
A
供試端子
IIN
VIN
VDD
+
DUT
-
VSS
VDD
( 最大定格 )
V
基準端子
( 注意事項 ) VIN の電圧を徐々に増加させ , IIN を最大 300 mA まで流し込みます ( または流し出します )。
IIN ＝ ±300 mA まで , ラッチアップが発生しないことを確認します。
ただし , I/O に特別な規格があり IIN を 300 mA とすることができない場合は , その特別な規格値まで電圧レベ
ルをあげます。
14
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
・ ラッチアップ (C-V 法 )
保護抵抗
A
1
2 供試端子
SW
+
VIN
V
-
VDD
DUT
C
200pF
VDD
( 最大定格 )
VSS
基準端子
( 注意事項 ) SW を約 2 秒間隔で 1 ∼ 2 に交互に切り換え , 電圧を印加します。
これを 1 回とし , 5 回行います。
ただし , 5 回までにラッチアップ現象が発生した場合は , 直ちに試験を中止します。
■ リフロー条件および保管期限
JEDEC 条件 , Moisture Sensitivity Level 3 (IPC / JEDEC J-STD-020D)。
■ 含有規制化学物質対応
本製品は , REACH 規則 , EU RoHS 指令および中国 RoHS に準拠しております。
尚 , 本製品における含有規制化学物質対応の詳細は , 次のリンク先をご確認ください。
http://jp.fujitsu.com/microelectronics/environment/products/
DS501-00010-7v0-J
15
MB85RC16V
■ オーダ型格
型格
パッケージ
出荷形態
最小出荷単位
MB85RC16VPNF-G-JNE1*1
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
チューブ
⎯*2
MB85RC16VPNF-G-JNERE1*1
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
エンボステーピング
1500
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
チューブ
⎯*2
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
エンボステーピング
1500
＊ 1：新規開発には，これらの型格を使用しないでください。
＊ 2：最小出荷単位については，営業部門にご確認ください。
16
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
■ パッケージ・外形寸法図
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮SOP, 8 ࡇࡦ
࡝࡯࠼ࡇ࠶࠴
1.27mm
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ᏷˜
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ㐳ߐ
3.9mm ˜ 5.05mm
࡝࡯࠼ᒻ⁁
ࠟ࡞࠙ࠖࡦࠣ
ኽᱛᣇᴺ
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢࡕ࡯࡞࠼
ขઃߌ㜞ߐ
1.75mm MAX
⾰㊂
0.06g
(FPT-8P-M02)
ࡇࡦ
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮
㧔FPT-8P-M02㧕
+0.25
ᵈ 1㧕* ශኸᴺߪ࡟ࠫࡦᱷࠅࠍ฽߻‫ޕ‬
ᵈ 2㧕* ශኸᴺߪ࡟ࠫࡦᱷࠅࠍ฽߹ߕ‫ޕ‬
ᵈ 3㧕┵ሶ᏷߅ࠃ߮┵ሶෘߐߪࡔ࠶ࠠෘࠍ฽߻‫ޕ‬
ᵈ 4㧕┵ሶ᏷ߪ࠲ࠗࡃಾᢿᱷࠅࠍ฽߹ߕ‫ޕ‬
+.010
+0.03
*1 5.05 –0.20 .199 –.008
0.22 –0.07
+.001
.009 –.003
8
5
*2 3.90±0.30 6.00±0.20
(.154±.012) (.236±.008)
Details of "A" part
45°
1.55±0.20
(Mounting height)
(.061±.008)
0.25(.010)
0.40(.016)
1
"A"
4
1.27(.050)
0.44±0.08
(.017±.003)
0.13(.005)
0~8°
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.15±0.10
(.006±.004)
(Stand off)
0.10(.004)
C
2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10
න૏㧦mm 㧔inches㧕
ᵈᗧ㧦᜝ᒐౝߩ୯ߪෳ⠨୯ߢߔ‫ޕ‬
最新の外形寸法図については , 下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
DS501-00010-7v0-J
17
MB85RC16V
■ 捺印図
[MB85RC16VPNF-G-JNE1]
[MB85RC16VPNF-G-JNN1E1]
[MB85RC16VPNF-G-JNERE1]
[MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1]
RC16V
E11150
300
[FPT-8P-M02]
18
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
■ 包装
1. チューブ
1.1 チューブ寸法図
・ チューブ・ストッパ形状
チューブ
透明ポリエチレンテレフタレート
( 帯電防止処理有 )
ストッパ
( 帯電防止処理有 )
チューブ長さ 520 mm
・チューブ断面形状 , 最大収納数
パッケージ形状
パッケージコード
SOP, 8 プラスチック (2)
FPT-8P-M02
最大収納個数
個 / チューブ
個 / 内装箱
個 / 外装箱
95
7600
30400
1.8
2.6
7.4
6.4
4.4
C
©2006-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
2006 FUJITSU LIMITED F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-1
F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-3
t ＝ 0.5
透明ポリエチレンテレフタレート
( 単位：mm)
DS501-00010-7v0-J
19
MB85RC16V
1.2 チューブ防湿包装仕様書
IC
チューブ
ストッパ
SOP 用
Index mark
アルミラミネート袋
表示Ⅰ＊ 1 ＊ *3
アルミラミネート袋
防湿
袋詰め
乾燥剤
湿度インジケータ
熱シール
アルミラミネート袋 ( チューブ入 )
内装箱
気泡クッション
内装箱
表示Ⅰ＊ 1 ＊ 3
気泡クッション
外装箱 ( 段ボール ) ＊ 2
外装箱
包装テープ
表示Ⅱ -A ＊ 3
表示Ⅱ -B ＊ 3
＊ 1：製品末尾に「E1」が付与された製品には , 内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「 G Pb 」が付きます。
＊ 2：内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。
＊ 3：表示ラベルは別紙参照
( 注意事項 ) 上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に
は , 異なる場合があります。
20
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
1.3 製品表示ラベル
表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／ ( エンボステーピングの場合には , リールにも貼付 )
製品表示 [C-3 ラベル (50mm×100mm) ＋補助ラベル (20mm×100mm)]
::::::::::::::
0::::::::::::::
0:::::::::: ::::::
:::REU
::::::::::::::
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
C-3 ラベル
㋦㩖㩢㨺㩙㨺㩂
:::
਄⸥⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
㧽㧯‫ޓ‬㧼㧭㧿㧿
ᬌᩏ‫ޓ‬ᷣ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠᢙ㊂
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
਄⸥⵾ຠဳᩰߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::::::
൮ⵝᐕ᦬ᣣ
#55'/$.'&+0ZZZZZ
:::::::::::::::
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::
::::::::::
൮ⵝㅊ⇟
::::::::::
::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧗⵾ຠᢙ㊂
:::::::::::::: ․⸥੐㗄
ミシン目
補助ラベル
表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm×100mm)
⊒ᵈ⠪‫ޓޓ‬:::::::::::::
ㅍઃవฬ
%756
ን჻ㅢ
࠮ࡒࠦࡦ࠳ࠢ࠲࡯ᩣᑼળ␠
ฃᷰ႐ᚲฬ‫ޓޓ‬:::::::::
ㅍઃవ૑ᚲ
&'.+8'4;21+06㧕
⚊ຠࠠ࡯⇟ภ‫ޓ‬::::::::::::::
64#0501
ຠฬ㩄㨺㩎㩨‫ޓޓޓ‬::::::::::::::
2#4601‫⵾
ޓޓޓ‬ຠဳᩰ
ຠฬ 2#460#/'::::::::::::::
⵾ຠဳᩰ
:::㧛:::
౉ᢙ㧛⚊౉ᢙ㊂
36;616#.36;
%7561/'454'/#4-5
⊒ᵈ⠪↪஻⠨
::::::::::::::::::::
D ラベル
ฃᵈ⠪
8'0&14
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::::::::::
‫⵾
ޓ‬ຠဳᩰ
න૏
70+6
::
2#%-#)'%1706
ᪿ൮୘ᢙ
:::㧛:::
0:::::::::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ⵾ຠᢙ㊂
0:::::::::::::::::
⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
0::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
表示Ⅱ -B：外装箱製品表示
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㧔⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧕
‫ޓޓޓ‬:::::::
‫ޓޓޓ‬:::::::
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‫ޓ‬:▫‫ޓޓޓޓޓ‬:::୘
‫ޓޓޓޓޓ⸘ޓޓ‬:::୘
( 注意事項 ) 発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。
DS501-00010-7v0-J
21
MB85RC16V
1.4 包装箱外形寸法図
(1) 内装箱
H
W
L
L
W
H
540
125
75
( 単位：mm)
(2) 外装箱
H
W
L
L
W
H
565
270
180
( 単位：mm)
22
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
2. エンボステープ
2.1 テープ寸法図
パッケージコード
リール No
FPT-8P-M02
3
最大収納個数
個 / リール
個 / 内装箱
個 / 外装箱
1500
1500
10500
ø1.5 +0.1
–0
8±0.1
1.75±0.1
2±0.05
4±0.1
B
0.3±0.05
A
B
A
5.5±0.1
12 +0.3
–0.1
5.5±0.05
ø1.5 +0.1
–0
SEC.B-B
2.1±0.1
6.4±0.1
0.4
3.9±0.2
SEC.A-A
C
2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED SOL8-EMBOSSTAPE9 : NFME-EMB-X0084-1-P-1
単位：mm
材質：導電性ポリスチレン
耐熱温度：耐熱性ではありません。
テープ，リールでのベーキング処理はできません。
DS501-00010-7v0-J
23
MB85RC16V
2.2 IC の方向
Index mark
・ER タイプ
( 引出側 )
( リール側 )
( 引出側 )
2.3 リールの寸法
࡝࡯࡞ⓣኸᴺ
E
D
W2
C
B
A
W1
12
13
14
15
56
12
16
24
r
W3
㧦ࡂࡉㇱߩ᏷ኸᴺ
単位：mm
リール No
テープ幅
記号
A
1
2
8
254
±2
3
4
12
254
±2
5
6
7
16
330
±2
254
±2
330
±2
254
±2
10
11
32
44
330
±2
330±2
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
100±2
C
13±0.2
13 +0.5
-0.2
D
21±0.8
20.5 +1
-0.2
E
2±0.5
W1
8.4 +2
-0
W2
W3
r
24
9
24
100 +2
-0
B
8
12.4 +2
-0
16.4 +2
-0
24.4 +2
-0
32.4 +2
-0
44.4 +2
-0
56.4 +2
-0
12.4 +1
-0
14.4
以下
18.4 以下
22.4 以下
30.4 以下
38.4 以下
7.9 ∼
10.9
11.9 ∼ 15.4
15.9 ∼ 19.4
23.9 ∼ 27.4
31.9 ∼ 35.4
+0.1
16.4 +1
-0 24.4 -0
50.4 以下
62.4
以下
18.4
以下
22.4
以下
30.4
以下
43.9 ∼ 47.4
55.9 ∼
59.4
12.4 ∼
14.4
16.4 ∼
18.4
24.4 ∼
26.4
1.0
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
2.4 テーピング (φ330mm リール ) 防湿包装仕様書
外径：φ330 mm リール
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
エンボス
テーピング
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
乾燥剤
湿度インジケータ
防湿
袋詰め
アルミラミネート袋
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
熱シール
内装箱
内装箱
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
テープ止め
外装箱 ( 段ボール ) ＊ 2, ＊ 3
外装箱
包装テープ
表示Ⅱ -A ＊ 4
表示Ⅱ -B ＊ 4
＊ 1：製品末尾に「E1」が付与された製品には , 内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「 G Pb 」が付きます。
＊ 2：出荷数量により , 他の外装箱を使用する場合があります。
＊ 3：内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。
＊ 4：表示ラベルは別紙参照
( 注意事項 ) 上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に
は , 異なる場合があります。
DS501-00010-7v0-J
25
MB85RC16V
2.5 製品表示ラベル
表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／ ( エンボステーピングの場合には , リールにも貼付 )
製品表示 [C-3 ラベル (50mm×100mm) ＋補助ラベル (20mm×100mm)]
::::::::::::::
0::::::::::::::
0:::::::::: ::::::
:::REU
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㧽㧯‫ޓ‬㧼㧭㧿㧿
C-3 ラベル
ᬌᩏ‫ޓ‬ᷣ
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⵾ຠᢙ㊂
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
਄⸥⵾ຠဳᩰߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::::::
൮ⵝᐕ᦬ᣣ
#55'/$.'&+0ZZZZZ
:::::::::::::::
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::
::::::::::
൮ⵝㅊ⇟
::::::::::
::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧗⵾ຠᢙ㊂
:::::::::::::: ․⸥੐㗄
ミシン目
補助ラベル
表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm×100mm)
⊒ᵈ⠪‫ޓޓ‬:::::::::::::
ㅍઃవฬ
%756
ን჻ㅢ
࠮ࡒࠦࡦ࠳ࠢ࠲࡯ᩣᑼળ␠
ฃᷰ႐ᚲฬ‫ޓޓ‬:::::::::
ㅍઃవ૑ᚲ
&'.+8'4;21+06㧕
⚊ຠࠠ࡯⇟ภ‫ޓ‬::::::::::::::
64#0501
ຠฬ㩄㨺㩎㩨‫ޓޓޓ‬::::::::::::::
2#4601‫⵾
ޓޓޓ‬ຠဳᩰ
ຠฬ 2#460#/'::::::::::::::
⵾ຠဳᩰ
:::㧛:::
౉ᢙ㧛⚊౉ᢙ㊂
36;616#.36;
%7561/'454'/#4-5
⊒ᵈ⠪↪஻⠨
::::::::::::::::::::
D ラベル
ฃᵈ⠪
8'0&14
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::::::::::
‫⵾
ޓ‬ຠဳᩰ
න૏
70+6
::
2#%-#)'%1706
ᪿ൮୘ᢙ
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ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ⵾ຠᢙ㊂
0:::::::::::::::::
⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
0::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
表示Ⅱ -B：外装箱製品表示
::::::::::::::㧔⵾ຠဳᩰ㧕
㧔⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧕
‫ޓޓޓ‬:::::::
‫ޓޓޓ‬:::::::
㧔▫ᢙ㧕‫ޓޓޓ‬㧔ᢙ㊂㧕
‫ޓ‬:▫‫ޓޓޓޓޓ‬:::୘
‫ޓ‬:▫‫ޓޓޓޓޓ‬:::୘
‫ޓޓޓޓޓ⸘ޓޓ‬:::୘
( 注意事項 ) 発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。
26
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
2.6 包装箱外形寸法図
(1) 内装箱
H
W
L
L
テープ幅
W
12, 16
H
40
24, 32
365
44
345
56
50
65
75
( 単位：mm)
(2) 外装箱
H
W
L
L
W
H
415
400
315
( 単位：mm)
DS501-00010-7v0-J
27
MB85RC16V
■ 本版での主な変更内容
変更箇所は , 本文中のページ左側の｜によって示しています。
ページ
13
14
15
場所
■電源投入・切断シーケンス tpu および tr の値を動作電圧別に定義。
最小 最大 単位 条件
tpu
85
⎯
ns
VDD=5.0 V±0.5 V 動作時
0.5
⎯
ms
VDD=3.3 V±0.3 V 動作時
tr
0.5
50
ms
VDD=5.0 V±0.5 V 動作時
0.005 50
ms
VDD=3.3 V±0.3 V 動作時
■使用上の注意
次の記述を変更。
IR リフロー前に書き込まれたデータを IR リフロー後に保持することは , 保
証していません。
→リフロー後にデータの書き込みを行ってください。リフロー前に書き込
まれたデータは保証できません。
■ ESD・ラッチアップ
型格追加。
■リフロー条件および保管期 次の記述に変更。
限
JEDEC 条件 , Moisture Sensitivity Level 3 (IPC / JEDEC J-STD-020D)。
■含有規制化学物質対応
項目を規制物質から含有規制化学物質対応と変更し , リンク先を参照する方
法に変更。
■オーダ型格
チューブの最小出荷単位を変更。
1 → ⎯*2
表の下に注記を追加。
＊ 2：最小出荷単位については , 営業部門にご確認ください。
18
■捺印図
型格追加。
20
1.2 チューブ防湿包装仕様書
湿度インジケータの位置を変更。
16
28
変更箇所
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
MEMO
DS501-00010-7v0-J
29
MB85RC16V
MEMO
30
DS501-00010-7v0-J
MB85RC16V
MEMO
DS501-00010-7v0-J
31
MB85RC16V
富士通セミコンダクター株式会社
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編集 経営戦略室 企画部