2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 0 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 483 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale ● GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem Wirkungsgrad ● Die Anode ist galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden ● Hohe Impulsbelastbarkeit ● Hohe Zuverlässigkeit ● Anwendungsklasse nach DIN 40040 GQG ● Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464 Highly efficient GaAlAs LED Anode is electrically connected to the case High pulse power High reliability DIN humidity category in acc. with DIN 40040 GQG ● Same package as BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464 ● ● ● ● ● Anwendungen ● IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Applications ● IR remote controls and sound transmission ● Photointerrupter Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 483 E7800 Q62703-Q1090 18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’) 18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin, lead spacing 2.54 mm (1/10’’) Semiconductor Group 1 1997-11-01 SFH 483 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Vorwärtsgleichstrom, TC ≤ 25 °C Forward current IF 200 mA Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0, TC = 25 °C Surge current IFSM 2.5 A Verlustleistung, TC = 25 °C Power dissipation Ptot 470 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJC 450 160 K/W K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA λpeak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA ∆λ 80 nm Abstrahlwinkel1) Half angle ϕ ± 23 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.16 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.4 × 0.4 mm Abstand Gehäuserückseite bis Chipoberfläche Distance chip front to case back H 2.7 ... 2.9 mm Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics 1997-11-01 SFH 483 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 0.6/0.5 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF 1.5 (< 1.8) 3.0 (< 3.8) V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 23 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV – 2.5 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCl + 0.25 nm/K Semiconductor Group 3 Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA 1997-11-01 SFH 483 Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke1) Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke1) (typ.) Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 ms 1) 1) Symbol Werte Values Einheit Unit Ie min Ie max 1 3.2 mW/sr mW/sr Ie typ. 20 mW/sr Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation. Semiconductor Group 4 1997-11-01 SFH 483 Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity Single pulse, tp = 20 µs OHR00877 100 Ι rel Ie = f (IF) Ie 100 mA OHR00878 10 2 Ιe Ι e (100mA) % OHR00946 240 Ι F mA 200 10 1 80 Max. permissible forward current IF = f (TA), RthJA = 450 k/W IF = f (TC), RthJC = 160 k/W R thJC = 160 K/W 160 10 0 60 120 10 40 -1 R thJA = 450 K/W 80 10 -2 20 10 -3 0 750 800 850 900 950 nm 1000 λ Forward current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 µs 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T A,T C Permissible pulse handling capability IF = f (tp), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter 10 4 OHR00881 10 1 ΙF 40 OHR00948 tp Ι F mA 5 A D= 10 0 tp T ΙF T D = 0.005 0.01 0.02 0.05 10 3 10 -1 0.1 0.2 5 0.5 10 -2 DC 10 -3 10 0 1 2 3 4 5 6 V VF 8 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 s 10 0 tp Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 1) Fuβnote siehe vorhergehende Seite/footnote see previous page. 40 30 20 10 0 ϕ OHR01457 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 5 100 120 1997-11-01