GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) 2.0 1.7 1.8 1.2 3.5 Chip position 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 29 27 4.5 4.0 Cathode 0.6 0.4 GEX06308 fex06308 2.54 mm spacing 3.1 2.5 0.7 0.8 0.4 0.4 Area not flat 0.6 0.4 SFH 487 P Approx. weight 0.3 g Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit ● Enge Toleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante ● Hohe Impulsbelastbarkeit ● Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger ● Sehr plane Oberfläche ● Gehäusegleich mit SFH 309 Features ● GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process ● High reliability ● Small tolerance: Chip surface to case surface ● High pulse handling capability ● Good spectral match to silicon photodetectors ● Plane surface ● Same package as SFH 309 Anwendungen Applications ● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters ● Fibre optic transmission Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz ● LWL Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 487 P Q62703-Q517 3-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes EpoxyGieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ 3 mm LED package (T 1), plane, violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead Semiconductor Group 1 1997-11-01 SFH 487 P Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaβstrom Forward current IF 100 mA Stoβstrom, τ ≤ 10 µs Surge current IFSM 2.5 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. 10 mm RthJA 375 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA λpeak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax, ∆λ 80 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ±65 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.16 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.4 × 0.4 mm Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics IF = 100 mA Spectral bandwidth at 50 % of Imax 1997-11-01 SFH 487 P Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Abstand Chipoberfläche bis Gehäusevorderseite Distance chip front to case surface H 0.4 ... 0.8 mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 0.6/0.5 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF 1.5 (< 1.8) 3.0 (< 3.8) V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 25 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient or Ie or Φe, IF = 100 mA TCI – 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV –2 mV/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA TCλ 0.25 nm/K Semiconductor Group 3 Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs 1997-11-01 SFH 487 P Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Wert Value Einheit Unit Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie >2 mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ. 30 mW/sr Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01894 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-01 SFH 487 P Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity Single pulse, tp = 20 µs OHR00877 100 Ι rel OHR00878 10 2 Ιe % Max. permissible forward current IF = f (TA) 80 10 1 100 60 10 0 75 40 10 -1 50 20 10 -2 25 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ OHR00881 10 1 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 oC, duty cycle D = parameter Forward current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 µs OHR00886 10 4 mA A OHR00880 125 Ι F mA Ι e (100mA) 0 750 ΙF Ie = f (IF) Ie 100 mA 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board IF = f (I), TA = 25 oC OHR00949 120 mA ΙF D = 0.005 0.01 0.02 0.05 10 0 Ι F 100 10 3 0.1 0.2 80 10 -1 60 0.5 10 2 10 DC 40 -2 D= 10 -3 0 1 2 3 4 5 6 Semiconductor Group V VF 8 tp tp T 20 ΙF T 10 1 -5 -4 -3 -2 10 10 10 10 10 -1 10 0 5 0 10 1 s 10 2 tp 0 5 10 15 20 25 mm 30 1997-11-01