GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487) 0.6 0.4 (3.5) Chip position GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.3 g Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit ● Hohe Impulsbelastbarkeit ● Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger ● Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409 Features ● Fabricated in a liquid phase epitaxy process ● High reliability ● High pulse handling capability ● Good spectral match to silicon photodetectors ● Same package as SFH 309, SFH 409 Anwendungen Applications ● IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk- ● IR remote control for hifi and TV sets, video und Videogeräten, Lichtdimmern ● Lichtschranken bis 500 kHz tape recorder, dimmers ● Light-reflection switches (max. 500 kHz) Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 487 Q62703-Q1095 SFH 487-2 Q62703-Q2174 3-mm-LED-Gehäuse (T1), klares violettes EpoxyGieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ 3 mm LED package (T1), violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead Semiconductor Group 1 1997-11-01 SFH 487 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaβstrom Forward current IF 100 mA Stoβstrom, τ ≤ 10 µs Surge current IFSM 2.5 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. 10 mm RthJA 375 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA λpeak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax, ∆λ 80 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 20 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.16 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.4 × 0.4 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top H 2.6 mm Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics IF = 100 mA Spectral bandwidth at 50 % of Imax 1997-11-01 SFH 487 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 0.6/0.5 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF 1.5 (< 1.8) 3.0 (< 3.8) V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 25 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV –2 mV/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA TCλ 0.25 nm/K Semiconductor Group 3 Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA 1997-11-01 SFH 487 Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 487 SFH 487-2 Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie > 12.5 > 20 mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ. 270 270 mW/sr Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01895 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 Semiconductor Group 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-01 SFH 487 Relative spectral emission Irel = f (λ) Single pulse, tp = 20 µs OHR00877 100 Ι rel OHR00878 10 2 Ιe Ι e (100mA) % Max. permissible forward current IF = f (TA) Ι F mA 10 1 100 60 10 0 75 40 10 -1 50 20 10 -2 25 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 oC, duty cycle D = parameter Forward current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 µs OHR00881 10 1 OHR00886 10 4 mA A OHR00880 125 80 0 750 ΙF Ie = f (IF) Ie 100 mA Radiant intensity 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board IF = f (I), TA = 25 oC OHR00949 120 mA ΙF D = 0.005 0.01 0.02 0.05 10 0 Ι F 100 10 3 0.1 0.2 80 10 -1 60 0.5 10 2 10 DC 40 -2 D= 10 -3 0 1 2 3 4 5 6 Semiconductor Group V VF 8 tp T tp 20 ΙF T 10 1 -5 -4 -3 -2 10 10 10 10 10 -1 10 0 5 0 10 1 s 10 2 tp 0 5 10 15 20 25 mm 30 1997-11-01