华晶分立器件 3DD13002R6 低频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 4.4max 3DD13002R6 硅 NPN 型功率开关晶体管 主要用于低压电子节能灯 电子镇流器的功率开关 电路 其特点如下 高温特性好 开关速度快 饱和压降低 电流特性好 2.8max 7.8max 封装形式 TO-126 30 标 记 符号 VCE0 VCB0 VEB0 IC 额定值 200 350 9 1 1.0 18 150 -55 150 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A 1.27 15.0min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 3.2max 11.1max 2 电特性 0.74 W 1.65 2.29 2.29 B C 0.5 E 2.2 电特性 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 下降时间 贮存时间 ICB0 IEB0 VCB=350V, IE=0 VEB=9V, IC=0 hFEa VCE=5V, IC=0.2A VCE sata VBE sata tf ts IC=1A, IB=0.25A IC=1A, IB=0.25A 特征频率 fT a: 脉冲测试 tp 300 s, 测 试 条 件 VCC=60V, IC=0.6A 2IB1=-IB2=0.2A VCE=10V, IC=200mA f=1MHz 规 范 值 最小 典型 最大 0.1 0.1 10 单位 mA mA 40 1 1.5 0.5 2.5 5 V V s s MHz 2% 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DD13002R6 3 特性曲线 安全工作区(直流) Ptot - T 关系曲线 P tot (W) IC (A) Tcase=25 20 Ptot - Tcase 1 15 10 0.1 5 Ptot - Tamb 0.01 1 10 100 V CE (V) 0 0 50 hFE - IC 关系曲线 T( ) 100 VCEsat - IC 关系曲线 hFE VCEsat (V) Tamb=25 VCE=5V Tamb=25 IC/IB=4 1 10 0.1 1 0.01 0.01 0.1 1 0.1 IC (A) VBEsat - IC 关系曲线 V BEsat (V) Tamb=25 IC/IB=4 1.2 0.8 0.4 0.1 1 IC (A) 第 2 页 共 3 页 1 IC (A)