Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modu Phase Control Thyristor Module TT 330 N 12...16 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages VDRM, VRRM 1200, 1400 1600 V V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = - 40°C...Tvj max VDSM 1200, 1400 1600 V V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 1300, 1500 1700 V V ITRMSM 520 A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85°C ITAVM 330 A Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25°C, t p = 10ms ITSM 9100 8000 A A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, t p = 10ms Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 V DRM Tvj = Tvj max, tp = 10ms I²t Tvj = Tvj max, tp = 10ms 414000 320000 (diT/dt)cr A²s A²s 250 A/µs 1000 V/µs 1,44 V f = 50Hz, iGM = 1A, di G/dt = 1A/µs (dvD/dt)cr 6. Kennbuchstabe / 6th letter F Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max, iT = 800A vT Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) 0,8 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT 0,6 mΩ Ω Zündstrom gate trigger current Tvj = 25°C, vD = 6V IGT max. 200 mA Zündspannung gate trigger voltage Tvj = 25°C, vD = 6V VGT max. 2,0 V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 6V IGD max. max. 10 5 mA mA Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,5 V DRM VGD max. 0,2 V Haltestrom holding current Tvj = 25°C, vD = 6V, R A = 5Ω Ω IH max. 300 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, vD = 6V, R GK ≥=10Ω Ω IL max. 1200 mA Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Tvj = Tvj max iD, iR max. 70 mA Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 tgd max. 3,0 µs Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = 350A typ. 250 µs 3,0 3,6 kV kV Tvj = Tvj max, vD = 0,5 V DRM max. iGM = 1A, di G/dt = 1A/µs, t G = 20µs vD = VDRM, vR = VRRM Tvj = 25°C, iGM = 1A, di G/dt = 1A/µs tq vRM = 100V, V DM = 0,67 V DRM dvD/dt = 20V/µs, -di T/dt = 10A/µs 5. Kennbuchstabe / 5th letter O Isolations-Prüfspannung insulation test voltage MOD-E1; R. Jörke VISOL RMS, f = 50Hz, t = 1min RMS, f = 50Hz, t = 1sec 02. Dez 99 A /99 Seite/page 1(8) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modu Phase Control Thyristor Module TT 330 N 12...16 N Thermische Eigenschaften / Thermal properties pro Modul / per module, Θ = 180°sin Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case RthJC max. max. max. max. 0,059 0,117 0,056 0,111 RthCK max. max. 0,020 °C/W 0,040 °C/W pro Zweig / per arm, Θ = 180°sin pro Modul / per module, DC pro Zweig / per arm, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module pro Zweig / per arm °C/W °C/W °C/W °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max 135 °C Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+135 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+140 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate Innere Isolation internal insulation AlN Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 12 Nm Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance typ. 800 g 17 mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s² Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. MOD-E1; R. Jörke 02. Dez 99 Seite/page 2(8) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modu Phase Control Thyristor Module MOD-E1; R. Jörke TT 330 N 12...16 02. Dez 99 N Seite/page 3(8) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modu Phase Control Thyristor Module TT 330 N 12...16 N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n 1 2 3 4 5 R thn [° C / W ] 0,0031 0,0097 0,0259 0,0359 0,0366 τ n [s] 0,0009 0,0080 0,1100 0,6100 3,0600 nmax Analytische Funktion: Z thJC = n= 1 MOD-E1; R. Jörke R thn ç1− e ç 02. Dez 99 − t τn 6 7 ÷ ÷ Seite/page 4(8) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 330 N 12...16 N 150 140 130 120 110 100 TC [°C] 90 80 70 60 50 40 60°rect 120°rect 180°sin 180°rect DC 30 20 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 ITAV [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM) Strombelastbarkeit je Zweig / current load per arm Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angleθ MOD-E1; R. Jörke 02. Dez 99 Seite/page 5(8) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 330 N 12...16 N 10000 1000A 500A 200A Qr [µAs] 100A 50A 1000 20A 100 1 10 100 - di/dt [Aµs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvj max, vR ≤ 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM MOD-E1; R. Jörke 02. Dez 99 Seite/page 6(8) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 330 N 12...16 N 1,0E+02 tgd [µs] 1,0E+01 1,0E+00 1,0E-01 1,0E+01 1,0E+02 1,0E+03 1,0E+04 iGM [mA] Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iGM) Tvj = 25°C; diG/dt = iGM/1µs a - maximaler Verlauf / limiting characteristic b - typischer Verlauf / typical characteristic MOD-E1; R. Jörke 02. Dez 99 Seite/page 7(8) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 330 N 12...16 N 0,15 60° rect 120° rect 180° rect 180° sin DC ZthJC [°C/W] 0,10 0,05 0,00 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t) Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angleθ MOD-E1; R. Jörke 02. Dez 99 Seite/page 8(8)