Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 570 N 08...14 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages VDRM, VRRM 800, 1000 1200, 1400 V V Tvj = - 40°C...Tvj max Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = - 40°C...Tvj max VDSM 800, 1000 1200, 1400 V V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 900, 1100 1300, 1500 V V ITRMSM 900 A 570 A 17000 14000 A A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current TC = 87°C ITAVM Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms ITSM Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms I²t Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs (diT/dt)cr Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 6. Kennbuchstabe / 6th letter F (dvD/dt)cr Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max, iT = 1700A vT Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT Zündstrom gate trigger current Tvj = 25°C, vD = 6V IGT Zündspannung gate trigger voltage Tvj = 25°C, vD = 6V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current 1445000 980000 A²s A²s 200 A/µs 1000 V/µs 1,53 V 0,9 V Charakteristische Werte / Characteristic values max. 0,27 mΩ Ω max. 250 mA VGT max. 2,2 V Tvj = Tvj max, vD = 6V Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM IGD max. max. 10 5 mA mA Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V Haltestrom holding current Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω Ω IH max. 300 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 10Ω Ω iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tG = 20µs IL max. 1500 mA Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR max. 140 mA Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs tgd max. 4 µs Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = 600A vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs 5. Kennbuchstabe / 5th letter O tq typ. 250 µs Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1min RMS, f = 50Hz, t = 1sec VISOL 3,0 3,6 kV kV SZ-MA; R. Jörke 29. Jul 98 A 109/98 Seite/page 1(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 570 N 08...14 N Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Modul / per module, Θ = 180°sin pro Zweig / per arm, Θ = 180°sin pro Modul / per module, DC pro Zweig / per arm, DC RthJC max. max. max. max. 0,0325 0,0650 0,0310 0,0620 Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module pro Zweig / per arm RthCK max. max. 0,0100 °C/W 0,0200 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+135 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+140 °C 135 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate Innere Isolation internal insulation AlN Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 12 Nm Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance typ. 1500 g 19 mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s² Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-MA; R. Jörke 29. Jul 98 Seite/page 2(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module SZ-MA; R. Jörke TT 570 N 08...14 29. Jul 98 N Seite/page 3(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 570 N 08...14 N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 R thn [° C / W ] 0,00137 0,00486 0,01140 0,02230 0,02210 τ n [ s] 0,00076 0,00860 0,10100 0,56000 3,12000 t − τn = R thn 1 − e n=1 nmax Analytische Funktion: SZ-MA; R. Jörke Z thJC ∑ 29. Jul 98 Seite/page 4(4)