TEMIC U8600B

U8600B
Laser Controller
Description
The U8600B is a monolithic integrated circuit using
TEMIC’s advanced UHF technology. The IC is a very
high-speed, mixed–signal laser driver circuit for
re-writable optical systems.
It comprises a servo amplifier to drive the laser diode, a
high-frequency modulator for noise reduction, power and
pulse-width generators as well as several operation control and safety functions.
Features
D Single + 5 V power supply
D Data transfer rates up to 16 Mb/s
D Servo system
D On-chip generation of power levels for read, erase,
– High bandwidth: 100 MHz
– High dc gain: 110 dB
– High LD drive current: typ. 100 mA, max. 180 mA
– High slew rate: 5 ns rise/ fall time
– Servo gain adjustable
D Noise reduction by servo loop and weak highfrequency modulation
and write operations
D On-chip generation of write and off-pulse widths:
15 to 90 ns, 5 ns steps
D Digital control of power and pulse parameters via a
serial 3-wire interface
D Basic power level adjustable
D Supervision of power supply, laser current and laser
power
D Laser shutdown to prevent laser damage and data loss
Package:
44-lead shrinked small-outline IC (SSO44)
Thermal resistance: RthJC = 22°C/W
Block Diagram
40
41
GND GADJ
38
39
44
43
19
18
4
23
16
11657
PDK
LDK
Servo amplifier
IRef
VMON
error
signal
iref
Buffer
EXTM
WDATA
VDM
WGATE
EXTC
PFAIL
control
Pulse-width
LPFAIL
unit
VRef
generators
LDENB
DCLK
DCLK
ISET
HFE
Operation
WGATE
OPEENB
current
limit
HFV
HF
Mod.
LD off
read
1
30
CC
42
FSC
erase
write
Power
generators
VCCA
SDATA
Serial interface
SENB
VCCL
37
SCLOCK
29
GND
VCCD
9–14,
15
31–36
T2
T1
VCCS
8
3
27, 28
26
25
24
21
22
2
17
7
6
5
digital signals
20
analog signals
Figure 1.
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 30-Aug-96
1 (12)
Preliminary Information
U8600B
General Description
U8600B is a very high-speed, mixed-signal laser driver
circuit for re-writable optical disk systems. It comprises
servo amplifier, high-frequency modulator, power generators, pulse-width generators, serial interface, and
operation control unit.
The wideband and high-gain servo amplifier drives the
laser diode up to 180 mA. It performs noise reduction of
the laser by a feedback loop via an optical path and a monitor diode. The reference input current for the servo loop
is digitally-controlled by power and pulse-width generators.
For reduction of laser mode hopping noise during read
mode, the high-frequency modulator adds a weak modulation current of 300 MHz and a maximum swing of
5 mA.
Pin Description
ISET
1
44
VMON
VREF
2
43
EXTM
T1
3
42 FSC
OPENB
4
41 GADJ
SENB
5
40 GND
SDATA
6
39 IREF
SCLOCK
7
38 PDK
VCCS
8
37
VCCA
GND
9
36
GND
GND
10
35
GND
GND
11
34
GND
GND
12
33
GND
GND
13
32
GND
GND
14
31
GND
GND
15
30
CC
VCCD
16
29
VCCL
DCLK
17
28
LDK
LDENB
18
27
LDK
WGATE
19
26
HFV
WDATA
20
25
HFE
T2
21
24
EXTC
PFAIL
22
23
VDM
96 11658
Figure 2.
Three power generators define read, erase, and write
power levels with a 4-bit resolution each.
In write mode, two pulse-width generators generate the
widths of write pulse and off pulse in the range between
15 and 90 ns with 5-ns resolution.
Read and write actions are controlled by write gate
(WGATE), write data (WDATA), and off-pulse enable
(OPENB) signals.
The pulse-width and power parameters are programmed
via the serial interface. Data packets of 16-bit length can
be received with a maximum clock rate of 10 MHz. The
information is stored within five 4-bit registers.
The operation control unit supervises the power supply
voltage, servo amplifier error signal, current limiter
status, and manages the laser shutdown and slow start.
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Pin
1
2
3
4
5
6
7
8
9–14,
31–36, 40
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27, 28
29
30
37
38
39
40
41
42
43
44
Symbol
ISET
VREF
T1
OPENB
SENB
SDATA
SCLOCK
VCCS
GND
Function
Set input for basic power level
Reference voltage output
Temperature test diode 1
Off-pulse enable input
Serial port enable input
Serial data input
Serial clock input
Power supply
Ground
VCCD
DCLK
LDENB
WGATE
WDATA
T2
PFAIL
LPFAIL
VDM
EXTC
HFE
HFV
LDK
VCCL
CC
VCCA
PDK
IREF
GND
GADJ
FSC
EXTM
VMON
Power supply
Reference clock input
LD control enable input
Write mode gate input
Write data pulse input
Temperature test diode 2
Power supply fail signal
Light power fail signal
Monitor voltage, delay adjustment
External slow starter capacitor
HFM enable input
HFM power-control input
LD cathode, servo-amplifier output
Power supply
Connection to int. low-pass filter
Power supply
PD cathode, servo-amplifier input
Connection to servo-reference input
Analog ground
Gain adjust for error amplifier
Frequency slope-control input
External modulation-signal input
Monitor current, servo reference
2 (12)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 30-Aug-96
U8600B
Absolute Maximum Ratings
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁ
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D
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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Recommended Operating Conditions
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DC Characteristics
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W
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Parameter
Symbol
VCC
VCC
Vin
I(LDK)
Pmax
Tj
Tstg
Value
–0.5 to +6.0
± 0.1
–0.5 to VCC +0.5
200
1
125
–65 to +125
Unit
V
V
V
mA
W
°C
°C
Parameter
Symbol
VCC
Tamb
Value
4.75 to 5.25
0 to +75
Unit
V
°C
Supply voltage
Supply voltage differences
Input voltage at any input
LD drive current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Supply voltage range
Operating temperature range
VCCA = VCCL = VCCD = VCCS = 5 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Test Conditions /Pin
Symbol
Power supply
Test circuit
VH = 5 V, VE = 0 V,
WGATE = low, HFE = low,
fDCLK = 2 MHz, rdata = 9
Supply current, VCCA
Pin 37
I(VCCA)
Supply current, VCCL
Pin 29
I(VCCL)
Supply current, VCCD & VCCS
Pins 15 and 8
I(VCCDS)
Typical parameters
fDCLK = 9.83 MHz,
RSET = 11.2 k
Supply current, VCCA
Pin 37
I(VCCA)
Supply current, VCCL
Pin 29, LDENB = low
I(VCCL)off
Supply current, VCCL
Pin 29, ILDK = 100 mA
I(VCCL)on
Supply current, VCCD
Pin 15
I(VCCD)
Supply current, VCCS
Pin 8
I(VCCS)
Supply current vs. iset
Pin 37
I(VCCA)
Supply current vs. iset
Pin 8
I(VCCS)
Supply current vs. I(LDK)
Pin 29, I(LDK) > 50 mA
I(VCCL)
Supply current vs. VDM
Pin 15
I(VCCD)
Servo amplifier
Bias voltage
Pin 38, figure 15
V(PDK)
Bias voltage
Pin 39
V(IRef)
Offset voltage
Pins 38 and 39
V(PDK)–
V(IRef)
Temperature drift
Pin 38, IRef = 50 µA
V(PDK)
Temperature drift
Pin 38, IRef = 1000 µA
V(PDK)
Bias voltage
Pin 30
V(CC)
Limiting current
Pins 27 and 28
I(LDK)lim
Voltage compliance
Pins 27 and 28
V(LDK)
Input voltage range
Pin 41
V(GADJ)
Input voltage range
Pin 42
V(FSC)
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 30-Aug-96
Min.
Typ.
22
10
20
Max.
Unit
42
25
38
mA
mA
mA
37
11
24
26
12
4.4
11
0,04
4.3
2.5
2.5
–5
mA
mA
mA
mA
mA
mA/mA
mA/mA
mA/mA
mA/V
4.0
4.0
5
V
V
mV
300
mV/°C
mV/°C
V
mA
V
V
V
0.8
2
2.5
220
1.0
1.5
1.5
3.0
3.0
3 (12)
Preliminary Information
U8600B
DC Characteristics (continued)
VCCA = VCCL = VCCD = VCCS = 5 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified
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Parameter
IRef buffer
Voltage compliance
Bias voltage
Input current
RF modulator
Bias voltage
Output current
Current ratio, control input
Pulse width generators
Output voltage
Power generators
Offset voltage
External resistor
External resistor
Gain error, read level
Non-linearity error, read level
Offset error, read level
Gain error, erase level
Non-linearity, erase level
Offset, erase level
Gain error, write level
Non-linearity, write level
Ratio, erase/ read level
Ratio, write/ read level
Reference voltage
Output voltage
Temperature drift
Power supply rejection ratio
Source resistance
Limiting current
Operation control unit
Lower supply threshold voltage
Upper supply threshold voltage
Supply voltage for power
supply fail detection
Threshold for current limit
switch-off
Slow starter
Bias voltage, high status
Saturation voltage, low status
Charge current
Test Conditions /Pin
Pin 44
Pin 43, I(EXTM) = 1 mA
Pin 43
Pin 26
Pin 27
Symbol
Min.
V(VMON)
V(EXTM)
I(EXTM)
3.5
Typ.
Max.
Unit
2
V
V
mA
0.8
V(HFV)
I(LDK)hfm
I(LDK)hfm /
I(HFV)
1.6
5
V
mA
–
6
Pin 23
V(VDM)
1.9
3.9
V
Pins 1 and 2
–3
3
mV
Pin 1, offset < 3 mV
Pin 1, offset < 50 mV
Pin 44
Pin 44
Pin 44
Pin 44
Pin 44
Pin 44
Pins 27 and 28
Pins 27 and 28
Pin 44, preset levels
Pin 44, preset levels
V(ISET)–
V(VRef)
RSET
RSETmin
GEr
NLEr
OEr
GEe
NLe
OEe
GEw
NLw
ie/ir
iw/ir
Pin 2
Pin 2, Tamb = 0 to 75°C
Pin 2, VCC = 4.5 to 5.5 V
Pin 2
Pin 2
V(VRef)
TD(VRef)
PSRR
r(VRef)
I(VRef)lim
2.37
–200
–20
Pin 24
Pin 24, Iload = 4 mA
Pin 24
11.2
7
–1.5
–0.3
1.5
0.3
0.1
1.5
0.3
0.1
1.5
0.5
4.3
–1.5
–0.3
–1.5
–0.5
3.7
7
V
µV/°C
mV/V
3
2.63
200
20
10
10
VCCthl
VCCthh
VCCfail
4.5
5.3
1.5
4.7
5.5
7
V
V
V
I(LDK)swoff
200
280
mA
V(EXTC)hi
V(EXTC)lo
I(EXTC)
4 (12)
Preliminary Information
2.1
9
2.5
k
k
LSB
LSB
LSB
LSB
LSB
LSB
LSB
LSB
–
–
3.0
2.9
17
mA
V
V
µA
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 30-Aug-96
U8600B
DC Characteristics (continued)
VCCA = VCCL = VCCD = VCCS = 5 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁ
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ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameter
Test Conditions /Pin
Symbol
Min.
Typ.
Digital inputs HFE, WDATA, WGATE, OPENB, DCLK, SENB, SDATA, SCLOCK, LDENB
L-input voltage
VIL
H-input voltage
VIH
3.5
Threshold voltage
Vth
2.5
L-input current
IIL
–70
H-input current
IIH
Open collector outputs PFAIL, LPFAIL
L-output voltage
IOL = 2 mA
VOL
L-output current
IOL
Output leakage current
IOH
Temperature test diodes T1, T2
Diode voltage
Id = 100 µA
Vd
750
Temperature dependancy
DVd/Dd
1.5
Bias current
Id
Max.
Unit
0.8
70
V
V
V
µA
µA
0.4
2
10
V
mA
µA
300
mV
mV/°C
µA
AC Characteristics
VCCA = VCCL = VCCD = VCCS = 5 V, Tamb = 25 C, unless otherwise specified
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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Dö ÁÁÁ
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D
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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D
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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D
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameter
Servo amplifier
Open loop parameters
DC gain
Low frequency pole
High frequency pole
High frequency gain
Phase margin
Gain adjust range
Low frequency gain adjust
range
Shift range of low frequency
slope
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 30-Aug-96
Test Conditions /Pin
without LD,
I(LDK)sa = 100 mA
V(GADJ) = V(FSC) = 2.5V
V(FSC) = 2.5 V
V(GADJ) = 2.5 V
V(GADJ) = 2.5 V
f = 100 MHz
V(GADJ) = 2.5 V
C(PDK) = CREF = 10 pF
f = 100 MHz
V(GADJ) = 1.5 to 2.5 V,
figure 10
V(FSC) = 1.5 to 2.5 V,
figure 11
V(FSC) = 1.5 to 2.5 V,
figure 7
Symbol
gDC
fpLF
fpHF
gHF
Min.
Typ.
Max.
Unit
110
60
10
42
dB
kHz
MHz
dB
75
°
g
14
dB
gLF
10
dB
fpLF
3
–
5 (12)
Preliminary Information
U8600B
AC Characteristics (continued)
VCCA = VCCL = VCCD = VCCS = 5 V, Tamb = 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Test Conditions /Pin
Symbol
Noise
Output voltage
Pins 27, 28; (*),
vn1
VCC = 4.5 V
Output voltage
Pins 27, 28; (*),
vn2
VCC = 5.5 V
Circuit parameters
Impedance
Pin 30
r(CC)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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W
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Series inductance
Input dynamic range
Optical pulse parameters
Rise time
Fall time
Settling time to 5%
Overshoot
HF modulator
Modulation frequency
Output current swing
Switch-off attenuation
Attenuation of spurious
LDENB
Slow starter delay
Switch-off delay
Delay time WGATE
Hold time WGATE
WGATE
Adjust time, 1st adjustment
Adjust time, following
adjustments
Writing time
WDATA
Leading time of WGATE
Hold time of WGATE
WDATA pulse width, high
WDATA pulse width, low
WDATA period
WDATA period
Delay time erase level
Delay time write pulse
Jitter
Pin 30
10% compression for max.,
figure 14
V(GADJ) and V(FSC)
adjusted for optimal pulse
shape
10%, 90%
90%, 10%
I(HFV) = 833 µA
l(CC)
iref
Min.
Max.
Unit
15
mVpp
20
mVpp
312
/50
6
//pF
15
Tr
Tf
Tset
Aos
fmod
I(LDK)pp
aoff
aspur
Typ.
1000
5
5
20
15
250
nH
µA
ns
ns
ns
%
350
5
30
30
MHz
mA
dB
dB
Figure 1, CEXT = 10 nF
Tpon
Tpof
Tdwg
Thlde
1.5
200
0
ms
ns
ns
ns
Tadj1
Tadj2
7
1
µs
µs
100
Figure 2
Twrt
Figure 3
(1), fDCLK = 9.83 MHz,
wpwdata = opwdata = 15
(2), fDCLK = 9.83 MHz,
wpwdata = opwdata = 15
(3),
wpwdata = opwdata = 5
(3),
wpwdata = 2, opwdata = 0
980
µs
Tdw
340
ns
Thwg
200
ns
Twph
Twpl
Twd
15
15
100
ns
ns
ns
Twd
63
ns
Te
Tw
Tw
6 (12)
Preliminary Information
30
30
0.5
ns
ns
ns
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 30-Aug-96
U8600B
AC Characteristics (continued)
VCCA = VCCL = VCCD = VCCS = 5 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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D
Dd
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameter
Pulse widths
Write pulse width, wpwdata = 0
Write pulse width, wpwdata = 5
Write pulse width, wpwdata = F
Write pulse width increment
Off pulse width, opwdata = 0
Off pulse width, opwdata = 5
Off pulse width, opwdata = F
Off pulse width increment
Temperature drift
Operation control unit
Fail period
Serial interface
SCLOCK pulse cycle
SCLOCK pulse width high
SCLOCK pulse width low
SENB set up time
SENB hold time
SDATA set up time
SDATA hold time
Data change delay time
Test Conditions /Pin
50% of pulse amplitude
OPENB = 0
OPENB = 0
OPENB = 0
OPENB = 0
wpwdata = 0
wpwdata = 0
wpwdata = 0
wpwdata = 0
pulse width: 40 ns
Figure 4
Symbol
Min.
Twp0
Twp5
Twp15
Twp
Top0
Top5
Top15
Top
Tp/
13
36
81
3.5
13
36
81
3.5
Tfail
2.6
TcySCK
TwhSCK
TwlSCK
TsSEN
ThSEN
TsDSA
ThDSA
Tdcha
100
40
40
20
20
15
15
Typ.
Max.
Unit
17
44
99
6
17
44
99
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps/°C
3.5
µs
1.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
14
Figure 5
Figure 6
(*)
Test circuit with electrical feedback on page 10. Measurement with sampling head with 300 ps sampling time.
Peak-to-peak value of 1200 measurements, each measurement represents the average of 64 samples. These
noise values ensure a stable operation of the servo amplifier for Tamb = 0 to 75°C.
(1)
Tdwd depends on DCLK frequency and write pulse width:
Tdwd = 2/fDCLK + Twp + 38 ns
(2)
Tdwg depends on write pulse width and off pulse width:
Tdwg = Twp + Top
(3)
Twd depends on write pulse width and off pulse width:
Twd
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 30-Aug-96
= Twp + Top + 12 ns
7 (12)
Preliminary Information
U8600B
Timing Diagrams
LDENB
WGATE
Tpon
Tdwg
Thlde Tpof
Read level
I(LDK)
12506
Figure 3. LDENB
LDENB
Tadj1
Twrt
Tadj2
1st delay line
adjustment
Pulse generation
Following
adjustments
WGATE
Delay line
operation
System
operation
Reading
Writing
Header
reading
12507
Figure 4. WGATE
WGATE
Ted
Twpl Twph
Tdw
Thwg
WDATA
Te
Tw
Write level
Erase level
I(LDK) Read level
Write pulse
Off pulse
12508
Figure 5. WDATA
8 (12)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 30-Aug-96
U8600B
Failure
Tfaul
Tfail
PFAIL,
LPFAIL
Tpof
I(LDK)
0
12509
Figure 6. Power supply fail and laser power fail
SENB
TwhSCK TwlSCK
TsSEN
ThSEN
SCLK
TsSDA
SDATA
ThSDA
TsySCK
Bit 0
Bit 1
Bit 2
LSB
Bit 15
MSB
12510
Figure 7. Serial interface
SENB
ÉÉÉÉÉÉÉ
ÇÇÇ
ÉÉÉÉÉÉÉ
ÇÇÇ
Tdcha
I(LDK)
Change of power level or pulse width
12511
Figure 8. Data change
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 30-Aug-96
9 (12)
Preliminary Information
U8600B
Typical Operating Circuit
RSET 11.2k
Serial
interface
VCC
0.1m
0.1m
VCC
10 MHz
2 x 4.7k
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
ISET
VRef
T1
OPENB
SENB
SDATA
SCLK
VCCS
GND
GND
GND
GND
GND
GND
VCCD
DCLK
LDENB
WGATE
WDATA
T2
PFAIL
LPFAIL
VMON
EXTM
FSC
GADJ
GND
IRef
PDK
VCCA
GND
GND
GND
GND
GND
GND
CC
VCCL
LDK
LDK
HFV
HFE
EXTC
VDM
U8600B
0.1m
0.1m VRef
44 RMON
VCC
43
47k 0 to 47k
42
41
VRef
47k
40
47
0 to 47k
39 CRef
PD
38
10p*
37
VCC
36
0.1m
35
34
33
32
31
30
0.1m
29
VCC
28
LD
VCC
27
0.1m
RHEV 4k
26
VCC
25
24
23 CEXT
100p
Digital signals
* Value of CREF should be approximately corresponding to total capacitance of PD
12512
Figure 9.
Test Circuit (Electrical Feedback)
VCCR
0.1m
0.1m
47k
Serial
interface
VCC
0.1m
0.1m
VCC
VCCR
VCCR
47k
2 x 4.7k
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
ISET
VRef
T1
OPENB
SENB
SDATA
VMON
EXTM
FSC
GADJ
GND
IRef
SCLK
VCCS
GND
GND
GND
GND
GND
GND
VCCD
DCLK
LDENB
WGATE
WDATA
T2
PFAIL
LPFAIL
PDK
VCCA
U8600B
RSET 22k
RMON 2k
44
VCC
43
VE
4k
42
VFSC
41
VGADJ
100k
40
39
10k
38
VOFF
100k
37
VCC
36
0.1m
35
1.8k
34
10
33
VCUL
32
47
VLD
0.1m
31
0.1m
30 100k
GND
GND
GND
GND
GND
GND
CC
VCCL 29
To high
VCC
LDK 28
impedance
27
LDK
470n oscilloscope
26 RHEV 4k
HFV
VH
50
25
HFE
24
EXTC
23 CEXT 100p
VDM
Digital signals
Decoupled dc test points
Figure 10.
10 (12)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 30-Aug-96
U8600B
Package Information
Package: SSO44
Dimensions in mm
17.9 ± 0.1
0.25 ± 0.05
2.35 ± 0.05
0.1 max.
0.3
7.4 ± 0.1
0.8 ± 0.05
10.35 ± 0.1
Pin 1
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 30-Aug-96
11 (12)
Preliminary Information
U8600B
Ozone Depleting Substances Policy Statement
It is the policy of TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH to
1. Meet all present and future national and international statutory requirements.
2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating systems
with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their impact on
the environment.
It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as
ozone depleting substances ( ODSs).
The Montreal Protocol ( 1987) and its London Amendments ( 1990) intend to severely restrict the use of ODSs and
forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban
on these substances.
TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH semiconductor division has been able to use its policy of
continuous improvements to eliminate the use of ODSs listed in the following documents.
1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively
2 . Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental
Protection Agency ( EPA) in the USA
3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C ( transitional substances ) respectively.
TEMIC can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting substances and do not contain
such substances.
We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice.
Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer
application by the customer. Should the buyer use TEMIC products for any unintended or unauthorized
application, the buyer shall indemnify TEMIC against all claims, costs, damages, and expenses, arising out of,
directly or indirectly, any claim of personal damage, injury or death associated with such unintended or
unauthorized use.
TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany
Telephone: 49 ( 0 ) 7131 67 2831, Fax number: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
12 (12)
Preliminary Information
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