European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Marketing Information FS 300 R 12 KF4 61,5 61,5 M6 13 190 31,5 171 57 2,8x0,5 U V CX CU CY W CV CZ CW 4 deep 3,35 5,5 26,4 7 5 3x5=15 GX EX EU GU GY EY EV GV + + Cu Cv Cw Gu Gv Gw Eu Ev Ew Cx Cy Cz Gx Gy Gz Ex - Ey - Ez GZ EZ EW GW external connection + to be done U V W - external connection to be done VWK, May 1996 IGBT-Module FS 300 R 12 KF4 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage VCES Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current IC Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tp=1 ms ICRM 600 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25°C, Transistor /transistor Ptot 2000 W Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage VGE +/- 20 V Dauergleichstrom DC forward current IF 300 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1ms IFRM 600 A Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. VISOL 2,5 kV iC=300A, vGE=15V, t vj=25°C vCE sat Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage iC=300A, vGE=15V, t vj=125°C 1200 V 300 A min. typ. - 2,7 max. 3,2 V - 3,3 3,9 V 6,5 V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage iC=12mA, vCE=vGE, tvj=25°C vGE(th) 4,5 5,5 Eingangskapazität input capacity fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V,vGE=0V Cies - 22 Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1200V, vGE=0V, t vj=25°C i CES - - - - 50 mA Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, t vj=25°C i GES - - 400 nA Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE=0V, vEG=20V, t vj=25°C i EGS - - 400 nA Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) iC=300A,vCE=600V ton vL= ±15V,R G=6,8Ω, tvj=25°C - 0,35 - µs vL= ±15V,R G=6,8Ω, tvj=125°C - 0,45 - µs vL= ±15V,R G=6,8Ω, tvj=25°C - 0,9 - µs vL= ±15V,R G=6,8Ω, tvj=125°C - 1,0 - µs vL= ±15V,R G=6,8Ω, tvj=25°C - 0,10 - µs vL= ±15V,R G=6,8Ω, tvj=125°C - 0,15 - µs - 2,3 2,9 V - 2,1 - V vRM=600V, vEG=10V, t vj=25°C - 25 - A vRM=600V, vEG=10V, t vj=125°C - 65 - A vCE=1200V, vGE=0V, t vj=125°C Speicherzeit (induktive Last) Fallzeit (induktive Last) storage time (inductive load) fall time (inductive load) iC=300A,vCE=600V iC=300A,vCE=600V - nF 5 mA ts tf Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode Durchlaßspannung forward voltage iF=300A, vGE=0V, t vj=25°C VF iF=300A, vGE=0V, t vj=125°C Rückstromspitze Sperrverzögerungsladung peak reverse recovery current recovered charge iF=300A, -di F/dt=300A/µs iF=300A, -di F/dt=300A/µs IRM Qr vRM=600V, vEG=10V, t vj=25°C - 4 - µAs vRM=600V, vEG=10V, t vj=125°C - 20 - µAs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor,DC,pro Modul/per module RthJC 0,011 °C/W Transistor,DC,pro Zweig/per arm 0,064 °C/W Diode,DC, pro Modul/per module 0,023 °C/W Diode,DC, pro Zweig/per arm Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module 0,140 °C/W RthCK pro Zweig / per arm Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature typ. 0,006 °C/W typ. 0,036 °C/W tvj max Transistor / transistor Diode / diode 150 °C tc op -40...+150 °C tc op -40...+125 °C tstg -40...+125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al2O 3 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight M1 terminals M6 3 Nm M2 G 5...6 Nm ca. 2300 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256