European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information FZ 1800 R 12 KF4 61,5 61,5 13 190 31,5 171 57 1 2 3 C M8 C C E M4 4 E E 4,0 deep C 2,5 deep E 7 G 6 5 8 20,25 28 7 41,25 M6 79,4 external connection to be done C C C E E E C G E external connection to be done VWK, January 1997 FZ 1800 R 12 KF4 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Period. Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collector current total power dissipation gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung DC forward current repetitive peak forw. current insulating test voltage Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Koll.-Emitter Sättigungsspannung coll.-emitter saturation voltage Gate-Schwellspannung Eingangskapazität gate threshold voltage input capacity Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (ohmsche Last) gate leakage current gate leakage current turn-on time (resistive load) Speicherzeit (induktive Last) Fallzeit (induktive Last) storage time fall time (inductive load) tp=1 ms tC=25°C, Transistor tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min. iC=1,8kA, vGE =15V, tvj=25°C iC=1,8kA,vGE =15V,t vj=125°C iC=72mA,vCE =vGE ,tvj=25°C fO=1MHz,tvj=25°C,vCE =25V, vGE =0 vCE =1200V,vGE =0V,t vj=25°C vCE =1200V,vGE =0V,t vj=125°C vCE =0V, vGE =20V, t vj=25°C vCE =0V, vEG =20V, t vj=25°C iC=1,8kA,vCE =600V,v L=15V vL=15V,R G=0,43Ω,tvj=25°C tvj=125°C iC=1,8kA,vCE =600V,v L=15V vL=15V,R G=0,43Ω,tvj=25°C tvj=125°C iC=1,8kA,vCE =600V,v L=15V vL=15V,R G=0,43Ω,tvj=25°C tvj=125°C VCES IC ICRM Ptot VGE 1200 V 1800 A 3600 A 11 kW +/- 20 V IF IFRM VISOL 1800 A 3600 A 2,5 kV min. 4,5 - typ. 2,7 3,3 5,5 135 iCES - - 30 mA 300 mA iGES iEGS ton - - 400 nA 400 nA - - - µs - µs - - - µs - µs - - - µs - µs vCE sat vGE(th) C ies ts tf max 3,2 V 3,9 V 6,5 V - nF Bedingungen für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection tfg = 10µs VCC = 750V vL = ± 15V vCEM = 900V iCMK1 = 18000V RGF = RGR =0,43Ω tvj = 125°C iCMK2 = 13500V Unabhängig davon dilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge vCEM = VCES - 12nH . |diC/dt| iF=1,8kA, vGE =0V, t vj=25°C iF=1,8kA, vGE =0V, t vj=125°C iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs vRM =600V,v EG =10V,t vj=25°C vRM =600V,v EG =10V,t vj=125°C VF iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs vRM =600V,v EG =10V,t vj=25°C Qr IRM vRM =600V,v EG =10V,t vj=125°C Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resist., junction to case Übergangs-Wärmewiderstand Höchstzul. Sperrschichttemp. Betriebstemperatur Lagertemperatur thermal resist., case to heatsink max. junction temperature operating temperature storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Innere Isolation Anzugsdrehm. f. mech. Befest. Anzugsdrehm. f. elektr. Anschl. case, see appendix internal insulation mounting torque terminal connection torque Gewicht weight Transistor / transistor, DC Diode, DC pro Module / per Module Transistor Transistor / transistor R thJC R thCK tvj max tc op tstg Seite / page terminals M4 terminals M8 M1 M2 G Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 256 eupec GmbH + Co KG, Max-Plank-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/764-0, Telefax /764- - 2,2 2 2,7 V 2,5 V - - -A -A - - - µAs - - - µAs 0,011 °C/W 0,024 °C/W 0,006 °C/W 150 °C -40...+125 °C -40...+125 °C 1 Al2O3 3 Nm 2 Nm 8...10 Nm ca.2300 g FZ 1800 R 12 KF4 4000 4000 VGE=20V 3000 iC [A] 3000 iC [A] 2000 2000 15V 12V 10V 9V 1000 1000 0 1 2 3 4 vCE [V] FZ 1800 R 12 KF4 5 8V 0 1 2 3 4 vCE [V] FZ 1800 R 12 KF4 Bild / Fig. 1 Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) VGE = 15V - - - - tvj = 25°C ____ t = 125°C vj 5 Bild / Fig. 2 Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) tvj = 125°C 10-1 8 4000 tvj= 125°C 25°C 3000 iC [A] 6 4 Z(th)JC [°C/W] 2 Diode IGBT 10-2 8 6 2000 4 1000 2 0 5 6 7 8 9 10 FZ 1800 R 12 KF4 11 vGE [V] 12 3000 iF [A] 2000 1000 1,5 4 6 10 -2 2 4 6 10-1 2 Bild / Fig. 4 Transienter innerer Wärmewiderstand (DC) Transient thermal impedance (DC) 4000 1,0 2 FZ 1800 R 12 KF4 Bild / Fig. 3 Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) VCE = 20V 0 0,5 10-3 10-3 2,0 FZ 1800 R 12 KF4 Bild / Fig. 5 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward charakteristic of the inverse diode (typical) ----- tvj = 25°C ___ t = 125°C vj 2,5 vF [V] 3,0 4 6 100 2 t [s] 4 6 101