BAW56

BAW56
BAW56
Surface Mount Small Signal Double-Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2015-05-12
+0.1
1.1 -0.2
2.9 ±0.1
3
Type
Code
1
1.3±0.1
2.4 ±0.2
0.4+0.1
-0.05
2
Power dissipation – Verlustleistung
310 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
85 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1.9±0.1
Dimensions - Maße [mm]
1 = C1
2 = C2
3 = A1/A2
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode
BAW56
Power dissipation − Verlustleistung 1)
Ptot
310 mW 2)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
250 mA 2)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
IFRM
450 mA 2)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
IFSM
IFSM
IFSM
0.5 A
1A
2A
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
VRRM
85 V
Reverse voltage – Sperrspannung (dc)
VR
70 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current 3)
Sperrstrom
1
2
3
IF
IF
IF
IF
=
=
=
=
1 mA
10 mA
50 mA
150 mA
VF
VF
VF
VF
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
Tj = 25°C
VR = 70 V
IR
< 100 nA
Tj = 150°C
Tj = 150°C
VR = 25 V
VR = 70 V
IR
IR
< 30 µA
< 50 µA
Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAW56
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
1.5 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 6 ns
RthA
< 400 K/W 1)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Pinning – Anschlussbelegung
3
1
Marking – Stempelung
Double diode, common anode
Doppeldiode, gemeinsame Anode
1 = C1
2
2 = C2
BAW56 = A1 or/oder JD
3 = A1/A2
Other available configurations – Andere lieferbare Konfigurationen
Single diode – einzelne Diode
BAL99
Double diode, series connection – Doppeldiode, Reihenschaltung
BAV99
Double diode, common cathode – Doppeldiode, gemeinsame Kathode
BAV70
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
-2
10
60
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-4
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
2
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
Similar pages