BAS40

BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
Surface Mount Schottky Barrier Single/Double Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2015-05-12
Power dissipation – Verlustleistung
3
Type
Code
1
40 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1.3±0.1
2.4 ±0.2
0.4
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
+0.1
1.1 -0.2
2.9 ±0.1
+0.1
-0.05
310 mW
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
2
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1.9±0.1
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode
BAS40-series
1
Power dissipation – Verlustleistung )
Ptot
310 mW 2)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV
200 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM
300 mA 2)
IFSM
0.6 A
VRRM
40 V
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage 3)
Durchlass-Spannung 3)
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 40 mA
VF
VF
VF
< 380 mV
< 500 mV
< 1.00 V
Leakage current
Sperrstrom
VR = 30 V
VR = 40 V
IR
IR
< 200 nA
< 10 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
5 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 5 ns
RthA
< 400 K/W 2)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
3
Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
Pinning – Anschlussbelegung
3
1
Single Diode
Einzeldiode
1=A
2
3
1
1 = A1
3
3=C
2 = C2
BAS40-04 = 44
3 = C1/A2
Dual diode, common cathode
Doppeldiode, gemeinsame Katode
1 = A1
2
3
1
2 = n.c./frei
BAS40 = 43
Dual diode, series connection
Doppeldiode, Reihenschaltung
2
1
Marking – Stempelung
2 = A2
BAS40-05 = 45
3 = C1/C2
Dual diode, common anode
Doppeldiode, gemeinsame Anode
1 = C1
2
120
2 = C2
BAS40-06 = 46
3 = A1/A2
1
[%]
[A]
100
10-1
80
60
10
-2
40
10
-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-4
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
2
http://www.diotec.com/
Tj = 25°C
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
© Diotec Semiconductor AG
Similar pages