BAS70

BAS70
BAS70
Surface Mount Schottky Barrier Single/Dual Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2010-01-18
+0.1
1.1 -0.2
2.9 ±0.1
0.4+0.1
-0.05
Type
Code
1
1.3±0.1
2.4 ±0.2
3
2
1.9
Power dissipation – Verlustleistung
310 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
70 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
±0.1
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode
BAS70-series
Power dissipation − Verlustleistung 1)
Ptot
310 mW 2)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
200 mA 2)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
IFRM
300 mA 2)
IFSM
600 mA
VRRM
70 V
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 1 mA
IF = 15 mA
VF
VF
< 410 mV
< 1000 mV
Leakage current – Sperrstrom 3)
VR = 50 V
IR
< 100 nA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 5 ns
RthA
< 400 K/W 2)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
3
Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS70
Pinning – Anschlussbelegung
3
1
Single diode
einzelne Diode
1=A
2
3
1
1 = A1
3
3=C
2 = C2
BAS70-04 = 74
3 = C1/A2
Dual diode, common cathode
Doppeldiode, gemeinsame Kathode
1 = A1
2
3
1
2 = n.c.
BAS70 = 73
Dual diode, series connection
Doppeldiode, Reihenschaltung
2
1
Marking – Stempelung
BAS70-05 = 75
2 = A2 3 = C1/C2
Dual diode, common anode
Doppeldiode, gemeinsame Anode
1 = C1
2
2 = C2
BAS70-06 = 76
3 = A1/A2
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
-2
10
60
40
10
-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-4
1
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
Tj = 25°C
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
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