2sb1420 ds jp

(2 k Ω) (80Ω) E
2SB1420
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ
−10max
mA
V
V(BR)CEO
A
hFE
IC＝−10mA
−120min
VCE＝−4V, IC＝−8A
2000min
A
VCE(sat)
IC＝−8A, IB＝−16mA
− 1.5max
W
VBE(sat)
IC＝−8A, IB＝−16mA
− 2.5max
℃
fT
℃
COB
V
V
V
VCE＝−12V, IE＝1A
50typ
MHz
VCB＝−10V, f＝1MHz
350typ
pF
1.05 +0.2
-0.1
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–24
2
–12
–10
5
–24
24
1.0typ
3.0typ
1.0typ
0
–1
–2
–3
–4
–5
–4A
–1
0
–0.5
–6
–1
–10
直流電流増幅率 h F E
10000
Typ
5000
1000
–10
12
5˚
5000
C
25
˚C
–3
0˚
C
1000
500
–0.3
–16
–0.5
–1
f T – I E 特性（代表 例 ）
–5
–10
–16
0.2
1
度）
）
1000
80
10
–10
1m
m
10
s
0µ
s
s
DC
60
熱
板
40
付
放熱板なし
自然空冷
放
–0.5
大
–1
限
–5
無
コレクタ電流 I C (A)
100
P c – Ta定 格
–50
Typ
50
ス温
10
時間 t(ms)
最大許容損失 P C (W)
100
温度
度）
0.5
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
(V CE = – 12V)
–2.4
1
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
–2
3
20000
10000
直流電流増幅率 h F E
(V C E = – 4V)
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
20000
–1
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
–5
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE = – 4V)
遮断周波数 f T (MH Z )
0
–100
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性（代表 例 ）
–1
ス温
–4
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
500
–0.3
–8
ース
–8A
ケー
I C =–16A
C（
I B =–1.5m A
–12
–2
5˚
–3m A
–10
(V CE = – 4V)
12
–6 mA
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
–20
0
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
–16
–3
–1
1.4
E
2mA
コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V)
A
0m
–4
–2
C
製品質量 約6.0ｇ
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
RL
(Ω)
A
2
3
5.45±0.1
VCC
(V)
0m
ø3.2±0.1
ロ
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
–26
イ
2.0±0.1
ケー
−55∼＋150
Tstg
VEB＝−6V
（ケ
150
Tj
IEBO
4.8±0.2
˚C（
80(Tc＝25℃)
PC
V
15.6±0.4
9.6
0˚C
−1
IB
μA
−3
−6
−16(パルス−26)
IC
−10max
1.8
−120
VCB＝−120V
5.0±0.2
VCEO
ICBO
25
V
単位
2.0
−120
規格値
4.0
VCBO
C
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta＝25℃)
試 験 条 件
記 号
19.9±0.3
単 位
VEBO
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
等価回路
4.0max
■絶対最大定格
B
用途： チョッパレギュレータ、DCモータ駆動、一般用
20.0min
ダーリントン
20
–0.1
0
0.05 0.1
0.5
1
エミッタ電流 I E (A)
46
5
10
16
–0.05
–0.03
–3
–5
–10
–50
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150