データシート

C
等価回路
2SD2082
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ（2SB1382とコンプリメンタリ）
用途：ソレノイド、モータ駆動、一般用
120
V
ICBO
VCB＝120V
10max
μA
VCEO
120
V
IEBO
VEB＝6V
10max
mA
6
V
V(BR)CEO
IC＝10mA
120min
A
hFE
VCE＝4V, IC＝8A
2000min
A
VCE(sat)
IC＝8A, IB＝16mA
1.5max
VBE(sat)
IC＝8A, IB＝16mA
2.5max
V
150
℃
fT
VCE＝12V, IE＝−1A
20typ
MHz
−55∼＋150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
210typ
pF
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
40
5
8
10
5
16
16
0.6typ
7.0typ
1.5typ
3.0
1.05 +0.2
-0.1
4.4
1.5
C
E
(V CE =4V)
16
25
5˚
12
1
2
3
4
5
0
6
0.2
0.5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
1
5
10
50
直流電流増幅率 h FE
Typ
5000
1000
500
100
0.2
0.5
1
5
10
16
12
5˚C
5000
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
10000
˚C
25
0˚C
–3
1000
500
100
0.2
0.5
1
10
5
16
f T – I E 特性（代表 例 ）
）
温度
ース
1
0.5
0.1
1
10
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
2
5
20000
30000
1
θ j-a – t特 性
(V C E =4V)
(V CE =4V)
10000
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
h FE – I C 特性（代 表 例 ）
直流電流増幅率 h FE
0
100 200
ベース電流 I B (mA)
度）
度）
4
（ケ
4A
0˚C
1
8
−3
8A
ス温
I C =16A
ケー
2
C（
I B =1m A
10
12
コレクタ電流 I C (A)
1. 5m A
0
3.35
製品質量 約6.5g
イ．品名
ロ．ロット番号
6mA
3mA
0
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
3
A
20
コレクタ電流 I C (A)
B
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
m
20
40m
A
A
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
0.8
2.15
1.5
RL
(Ω)
m
1.75
5.45±0.1
VCC
(V)
12
5.5
V
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
26
ø3.3±0.2
イ
ロ
ス温
Tj
3.45 ±0.2
ケー
75(Tc＝25℃)
5.5±0.2
˚C（
PC
Tstg
V
W
1
IB
15.6±0.2
3.3
16(パルス26)
IC
単位
23.0±0.3
VEBO
規格値
試 験 条 件
0.8±0.2
VCBO
記 号
外形図 FM100(T03PF)
(Ta＝25℃)
単 位
1.6
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
16.2
■絶対最大定格
(2kΩ) (100Ω) E
9.5±0.2
ダーリントン
B
100
1000
時間 t(ms)
ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
30
80
50
10
Typ
0µ
s
DC
放熱板なし
自然空冷
40
付
0.5
板
1
熱
最大許容損失 P C (W)
60
5
放
コレクタ電流 I C (A )
10
s
大
10
1m
限
20
s
無
遮断周波数 f T (MH Z )
10
m
20
0.1
0
–0.05 –0.1
–0.5
–1
エミッタ電流 I E (A)
146
–5
–10 –16
0.05
0.03
3
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150