ダーリントン 2SB1382

(2 k Ω) (80Ω) E
2SB1382
ダーリントン
B
等価回路
C
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ(2SD2082とコンプリメンタリ)
用途： チョッパレギュレータ、DCモータ駆動、一般用
■絶対最大定格
(Ta＝25℃)
V
V(BR)CEO
A
hFE
−120min
2000min
A
VCE(sat)
IC＝−8A, IB＝−16mA
− 1.5max
W
VBE(sat)
IC＝−8A, IB＝−16mA
− 2.5max
℃
fT
℃
COB
V
V
50typ
MHz
VCB＝−10V, f＝1MHz
350typ
pF
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–40
5
–8
–10
5
–16
16
0.8typ
1.8typ
1.0typ
I C – V CE 特性（ 代 表 例 ）
1.05 +0.2
-0.1
–2
–3
–4
–5
–4A
–1
0
–0.5
–6
–1
–10
20000
1000
–10
5˚
5000
C
25
˚C
0
–3
˚C
1000
500
–0.3
–16
–0.5
–1
f T – I E 特性（代 表 例 ）
–5
–10
–16
0.2
1
度）
100
1000
時間 t(ms)
P c – Ta定 格
–50
10
–10
1m
m
10
s
0µ
s
s
DC
熱
板
40
付
放熱板なし
自然空冷
放
–0.5
大
–1
限
最大許容損失 P C (W)
60
–5
無
コレクタ電流 I C (A )
ス温
10
80
Typ
50
温度
度）
0.5
ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
(V CE = – 12V)
100
–2.4
1
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
–2
3
過渡熱抵抗 θ j - a ( ˚C/W)
直流電流増幅率 h FE
5000
12
–1
θ j-a – t特 性
(V C E = – 4V)
10000
Typ
–5
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
20000
10000
直流電流増幅率 h FE
0
–100
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
–1
ス温
–4
(V CE = – 4V)
遮断周波数 f T (MH Z )
–8
ース
–8A
ケー
I C =–16A
）
–12
–2
h FE – I C 特性（代表 例 ）
–0.5
(V C E = – 4V)
–16
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
500
–0.3
E
C（
I B =–1.5m A
–1
3.35
製品質量 約6.5ｇ
イ．品名
ロ．ロット番号
5˚
–3m A
0
C
1.5
12
コレクタ電流 I C (A)
–6 mA
–10
4.4
A
コレクタ電流 I C (A)
–12m
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
–3
A
–20
0
B
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V)
A
0m
–4
m
0.8
2.15
1.5
VCC
(V)
0
–2
1.75
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
–26
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
VCE＝−12V, IE＝1A
3.45 ±0.2
3.0
IC＝−10mA
VCE＝−4V, IC＝−8A
0.8±0.2
mA
5.5
−10max
ケー
−55∼＋150
Tstg
VEB＝−6V
（ケ
150
Tj
IEBO
5.5±0.2
0˚C
75(Tc＝25℃)
PC
V
15.6±0.2
−3
−1
IB
μA
1.6
−6
−16(パルス−26)
IC
−10max
3.3
−120
VCB＝−120V
˚C（
VCEO
ICBO
外形図 FM100(TO3PF)
25
V
単位
9.5±0.2
−120
規格値
23.0±0.3
VCBO
試 験 条 件
記 号
16.2
単 位
VEBO
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
20
–0.1
0
0.05 0.1
0.5
1
エミッタ電流 I E (A)
44
5
10
16
–0.05
–0.03
–3
–5
–10
–50
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–200
3.5
0
放熱板なし
0
50
100
周囲温度 Ta( ˚C)
150