elm33401ca

シングル P チャンネル MOSFET
ELM33401CA-S
■概要
■特長
ELM33401CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-3A
・ Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 118mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 215mΩ (Vgs=-2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
-20
±12
-3.0
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃
Pd
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
-1.4
-10
1.25
Idm
最大許容損失
V
V
A
3
W
0.80
-55 ～ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
記号
Rθja
Typ.
Max.
166
単位
℃/W
■回路
■端子配列図
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
備考
�
端子番号
1
2
端子記号
GATE
SOURCE
3
DRAIN
�
�
4-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM33401CA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
Idss
-1
Vds=-16V, Vgs=0V
Ta=125℃
-10
Vgs=-10V, Id=-2A
Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-2A
Vgs=-2.5V, Id=-1A
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
ダイオード　パルス電流
動的特性
Is
Ism
入力容量
出力容量
帰還容量
V
Vds=-16V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±12V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
-20
Vds=-5V, Id=-2A
Is=-1A, Vgs=0V
μA
±100 nA
-0.45 -0.80 -1.20 V
-6
A
72
98
150
85
118 mΩ
430
235
95
Qg
Qgs
7.6
3.2
1
215
16
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-6V, f=1MHz
Crss
1
-1.2
S
V
1
1
-1.6
-3
A
A
3
pF
pF
pF
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-2A
10.0
nC
nC
2
2
2
2
2
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
2.0
11
32
22
55
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
38
68
ns
2
32
55
ns
2
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tf
備考 :　1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1％
4-2
NIKO-SEM
P-Channel Logic Level Enhancement
シングル
チャンネル
MOSFET
ModeP
Field
Effect Transistor
ELM33401CA-S
PA102FMG
SOT-23
Lead-Free
■標準特性と熱特性曲線
4-3
3
Mar-22-2006
P-Channel Logic Level Enhancement
NIKO-SEM
Mode Field Effect Transistor
シングル P チャンネル MOSFET
PA102FMG
SOT-23
Lead-Free
ELM33401CA-S
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
-Is - Reverse Drain Current(A)
10
V GS = 0V
1
T A = 125°C
0.1
25°C
0.01
-55°C
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.8
1.0
0.6
-V - Body Diode Forward Voltage(V)
1.2
4-4
4
Mar-22-2006