elm34411aa

シングル P チャンネル MOSFET
ELM34411AA-N
■概要
■特長
ELM34411AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-12A
・ Rds(on) < 14mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 22mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Id
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
±25
-12
-9
V
-50
2.5
A
A
3
W
1.3
-55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - ケース
定常状態
記号
Rθjc
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
25
単位
℃/W
50
℃/W
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
2
3
SOURCE
SOURCE
SOURCE
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM34411AA-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
-30
V
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
Vds=-20V, Vgs=0V
Ta=125℃
-10
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±25V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-1.0
-50
±100 nA
-1.5 -3.0 V
A
Rds(on)
Vgs=-10V, Id=-12A
Vgs=-4.5V, Id=-9A
12
18
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=-10V, Id=-12A
28
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
Is=If, Vgs=0V
ダイオード パルス電流
動的特性
入力容量
Ism
ドレイン - ソースオン状態抵抗
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-12A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
tf
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
μA
14
22
mΩ
1
S
1
-1.2
-2.1
V
A
1
-4
A
3
3000
pF
870
360
pF
pF
30
1
42
nC
2
9
11
nC
nC
2
2
12
16
50
ns
ns
ns
2
2
2
100
ns
2
シングル P チャンネル MOSFET
P-Channel Logic
Level Enhancement
ELM34411AA-N
■標準特性と熱特性曲線
Mode Field Effect Transistor
P1403EVG
SOP-8
Lead-Free
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS= 0V
10
-Is - Reverse Drain Current(A)
NIKO-SEM
T A= 125°C
1
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
0.0001
0
3
4-3
0.6
0.2
0.4
0.8
-VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.0
1.2
JAN-17-2006
NIKO-SEM
シングル P チャンネル MOSFET
P-Channel Logic Level Enhancement
ModeELM34411AA-N
Field Effect Transistor
4
4-4
P1403EVG
SOP-8
Lead-Free
JAN-17-2006
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