elm34403aa

シングル P チャンネル MOSFET
ELM34403AA-N
■概要
■特長
ELM34403AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-55V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-4.5A
・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-55
V
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
±20
-4.5
-3.5
-20
Id
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
V
A
A
2.5
1.3
-55 ～ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
50
単位
℃/W
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM34403AA-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
-55
V
Vds=-44V, Vgs=0V
-1
Vds=-36V, Vgs=0V
Ta=125℃
-10
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-1.0
-20
±250 nA
-1.5 -2.5
V
A
Rds(on)
Vgs=-10V, Id=-4.5A
Vgs=-4.5V, Id=-3.5A
60
90
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=-10V, Id=-4.5A
9
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
Is=If, Vgs=0V
ダイオード　パルス電流
動的特性
入力容量
Ism
ドレイン - ソースオン状態抵抗
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
Ciss
Vgs=0V, Vds=-30V
Coss
f=1MHz
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-10V, Vds=-27.5V
Id=-4.5A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-20V
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tf
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
trr
Qrr
If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs
If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs
備考 :　1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1％
4-2
μA
80
mΩ
150
1
1
S
1
-1
-1.3
V
A
1
-2.6
A
3
760
pF
90
40
pF
pF
15.0
nC
2
2.5
3.0
nC
nC
2
2
7
10
19
14
20
34
ns
ns
ns
2
2
2
12
22
ns
2
15.5
7.9
ns
nC
NIKO-SEM
P8006EVG
P-Channel Logic Level Enhancement
シングル
P チャンネル
MOSFET
Mode Field
Effect Transistor
SOP-8
Lead-Free
ELM34403AA-N
■標準特性と熱特性曲線
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
-Is - Reverse Drain Current(A)
V GS = 0V
10
1
T A = 125° C
0.1
25° C
-55° C
0.01
0.001
0
0.2
0.6
0.8
1.0
0.4
-VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.2
1.4
4-3
SEP-30-2004
NIKO-SEM
P-Channel
Level Enhancement
シングル Logic
P チャンネル
MOSFET
Mode Field Effect Transistor
ELM34403AA-N
4-4
P8006EVG
SOP-8
Lead-Free