elm322806a

单 N 沟道 MOSFET
ELM322806A-S
■概要
■特点
ELM322806A-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=60V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=30A
·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 38mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
60
±20
30
Id
Ta=100℃
V
V
A
漏极电流(脉冲)
Idm
19
100
崩溃电流
Ias
30
A
Eas
43
mJ
持续崩溃能量
L=0.1mH
Tc=25℃
容许功耗
Pd
Tc=100℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
50
3
W
20
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
稳定状态
记号
Rθjc
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
2.5
40.0
单位
℃/W
℃/W
■电路图
D
TO-252-3(俯视图)
TAB
1
2
3
引脚编号
引脚名称
1
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
备注
单 N 沟道 MOSFET
ELM322806A-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=40V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=10V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=48V,Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
60
1.0
100
Vgs=10V, Id=20A
Vgs=4.5V, Id=12A
Vds=5V, Id=20A
1.5
22.3
28.0
25
If=20A, Vgs=0V
μA
±250
nA
3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
28.0
38.0
1.3
30
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz
Crss
1500
168
106
pF
pF
pF
1.3
Ω
27.4
nC
2
Vgs=10V, Vds=30V, Id=20A
6.1
5.8
nC
nC
2
2
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=30V , Id=20A
td(off) Rgen=6Ω
8
6
29
ns
ns
ns
2
2
2
6
41
46
ns
ns
nC
2
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Qgs
Qgd
tf
trr
Qrr
If=20A, dIf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4- 2
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单 N 沟道 MOSFET

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ELM322806A-S
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■标准特性和热特性曲线
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4- 3
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单 N 沟道 MOSFET
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4- 4
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如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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