单 N 沟道 MOSFET ELM322806A-S ■概要 ■特点 ELM322806A-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=30A ·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 38mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs Ta=25℃ 漏极电流（定常） 60 ±20 30 Id Ta=100℃ V V A 漏极电流（脉冲） Idm 19 100 崩溃电流 Ias 30 A Eas 43 mJ 持续崩溃能量 L=0.1mH Tc=25℃ 容许功耗 Pd Tc=100℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg A 50 3 W 20 - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 稳定状态 记号 Rθjc Rθja ■引脚配置图 典型值 最大值 2.5 40.0 单位 ℃/W ℃/W ■电路图 D TO-252-3(俯视图) TAB 1 2 3 引脚编号 引脚名称 1 GATE 2 3 DRAIN SOURCE 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 备注 单 N 沟道 MOSFET ELM322806A-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=40V,Vgs=0V, Ta=125℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=10V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is V Vds=48V,Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 60 1.0 100 Vgs=10V, Id=20A Vgs=4.5V, Id=12A Vds=5V, Id=20A 1.5 22.3 28.0 25 If=20A, Vgs=0V μA ±250 nA 3.0 V A 1 mΩ 1 S 1 V A 1 28.0 38.0 1.3 30 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz Crss 1500 168 106 pF pF pF 1.3 Ω 27.4 nC 2 Vgs=10V, Vds=30V, Id=20A 6.1 5.8 nC nC 2 2 td(on) tr Vgs=10V, Vds=30V , Id=20A td(off) Rgen=6Ω 8 6 29 ns ns ns 2 2 2 6 41 46 ns ns nC 2 Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg Qgs Qgd tf trr Qrr If=20A, dIf/dt=100A/μs 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM322806A-S ■标准特性和热特性曲线 � � � � � � � � � � � � � � � 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM322806A-S � �� �� �� �� 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。