elm32428la

单 N 沟道 MOSFET
ELM32428LA-S
■概要
■特点
ELM32428LA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=25V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=75A
·Rds(on) < 7mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 10mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
±20
V
记号
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=100℃
Id
75
50
A
漏极电流(脉冲)
Idm
170
A
崩溃电流
崩溃能量
Iar
Eas
60
140
A
mJ
Ear
5.6
60.00
32.75
mJ
- 55 ~ 150
℃
漏极电流(定常)
L=0.1mH
持续崩溃能量
L=0.05mH
Tc=25℃
Tc=100℃
容许功耗
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
3
4
W
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
记号
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
热阻 ( 封装 - 散热器 )
Rθjc
Rθja
Rθcs
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
2.3
62.5
℃/W
℃/W
℃/W
0.6
■电路图
D
TO-252-3(俯视图)
TAB
2
1
3
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
备注
单 N 沟道 MOSFET
ELM32428LA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
25
V
Vds=20V,Vgs=0V
25
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=125℃
250
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=10V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
1.0
70
Vgs=10V, Id=30A
Vgs=4.5V, Id=24A
Vds=15V, Id=30A
1.5
5.0
6.6
55
μA
±250
nA
3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.3
75
V
A
1
170
A
3
1100
pF
pF
7.0
10.0
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
2700
500
Crss
200
Qg
19.0
25.0
nC
2
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=25A
7.0
7.5
9.0
11.0
nC
nC
2
2
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V, Id=30A
td(off) Rgen=2.5Ω
11.5
17.0
32.0
17.0
26.0
48.0
ns
ns
ns
2
2
2
7.5
37
200
11.0
ns
ns
A
2
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
Qgs
Qgd
If=Is, Vgs=0V
关闭下降时间
tf
寄生二极管反向恢复时间
trr
寄生二极管反向恢复峰值电流 Irm(rec) If=Is, dIf/dt=100A/μs
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
0.043
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
pF
μC
NIKO-SEM
N-Channel Logic Level Enhancement
Mode
Effect
Transistor
单 Field
N 沟道
MOSFET
ELM32428LA-S
P75N02LDG
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
4-3
3
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Jun-11-2005
NIKO-SEM
单N
沟道
MOSFET
N-Channel
Logic
Level
Enhancement
ELM32428LA-S
Mode Field
Effect Transistor
P75N02LDG
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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Jun-11-2005
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