elm322806a

シングル N チャンネル MOSFET
ELM322806A-S
■概要
■特長
ELM322806A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=60V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=30A
・ Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 38mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Vds
Vgs
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=100℃
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=100℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
60
±20
30
Id
V
V
A
19
Idm
Ias
100
30
A
A
Eas
43
50
20
mJ
- 55 ~ 150
℃
Pd
Tj, Tstg
3
W
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
単位
最大接合部 - ケース
定常状態
Rθjc
2.5
℃/W
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
Rθja
40.0
℃/W
■端子配列図
備考
■回路
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TO-252-3(TOP VIEW)
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端子番号
端子記号
1
2
3
GATE
DRAIN
SOURCE
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�
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4-1
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シングル N チャンネル MOSFET
ELM322806A-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=48V, Vgs=0V
Vds=40V, Vgs=0V, Ta=125℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=10V
Vgs=10V, Id=20A
ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=12A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=5V, Id=20A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
Vsd
60
V
1
10
±250 nA
1.0
100
1.5
Rg
Qg
ゲート - ソース電荷
Qgs
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=30V, Id=20A
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.3
V
1
30
A
28.0 38.0
25
Is
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
3.0
22.3 28.0
If=20A, Vgs=0V
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz
Crss
μA
1500
168
106
pF
pF
pF
1.3
Ω
27.4
nC
2
6.1
nC
2
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
5.8
8
nC
ns
2
2
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=10V, Vds=30V
td(off) Id=20A, Rgen=6Ω
tf
6
29
6
ns
ns
ns
2
2
2
41
ns
46
nC
寄生ダイオード逆回復時間
trr
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=20A, dIf/dt=100A/μs
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
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ELM322806A-S
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■標準特性と熱特性曲線
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4-3

シングル
N チャンネル MOSFET
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ELM322806A-S
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4-4
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