elm34413aa

单 P 沟道 MOSFET
ELM34413AA-N
■概要
■特点
ELM34413AA-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-12A
·Rds(on) < 12mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 19mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
Id
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-30
±25
V
V
-12
-9
-50
A
A
Pd
2.5
1.3
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
3
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
记号
稳定状态
稳定状态
典型值
最大值
单位
25
50
℃/W
℃/W
Rθjc
Rθja
■引脚配置图
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
引脚编号
引脚名称
1
SOURCE
1
8
2
SOURCE
2
7
3
SOURCE
3
6
4
5
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM34413AA-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-30
V
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±25V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
-1.0
-50
Vgs=-10V, Id=-12A
Vgs=-4.5V, Id=-9A
Vds=-10V, Id=-12A
-1.5
10
15
29
μA
±100
nA
-3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
-1.2
-2.1
V
A
1
-4
A
3
12
19
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
3450
1000
pF
pF
Crss
414
pF
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
Qg
Qgs
Qgd
Is=If, Vgs=0V
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-12A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
tf
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
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34.5
48.3
nC
2
10.3
12.6
nC
nC
2
2
13.8
18.4
57.5
ns
ns
ns
2
2
2
115.0
ns
2
单 P 沟道 MOSFET
NIKO-SEM
P-Channel Logic
Level Enhancement
ELM34413AA-N
■标准特性和热特性曲线
Mode Field Effect Transistor
P1203EVG
SOP-8
Lead-Free
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS= 0V
-Is - Reverse Drain Current(A)
10
T A= 125°C
1
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
0.0001
0
0.6
0.2
0.4
0.8
-VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
3
4- 3
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1.0
1.2
MAR-30-2006
NIKO-SEM
单 P 沟道 MOSFET
P-Channel Logic Level Enhancement
ELM34413AA-N
Mode Field Effect Transistor
5
4- 4
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P1203EVG
SOP-8
Lead-Free
MAR-30-2006
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