单 N 沟道 MOSFET ELM33404CA-S ■概要 ■特点 ELM33404CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=3A ·Rds(on) < 85mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 115mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 栅极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vgs ±20 3 2 V Idm 20 A Pd 0.6 0.5 W Tj, Tstg - 55 ~ 150 ℃ Ta=25℃ Ta=100℃ 漏极电流（定常） Id 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ Tc=100℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 A 3 ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 记号 Rθjc 稳定状态 Rθja ■引脚配置图 典型值 最大值 65 单位 ℃/W 230 ℃/W ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 2 引脚编号 1 2 引脚名称 GATE SOURCE 3 DRAIN G S 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 备注 单 N 沟道 MOSFET ELM33404CA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 30 V Vds=24V,Vgs=0V 1 Vds=20V,Vgs=0V, Ta=125℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=10V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 0.8 3 Vgs=10V, Id=3A Vgs=4.5V, Id=1.5A Vds=15V, Id=3A 1.2 48 70 16 μA ±100 nA 2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 1.5 2.3 V A 1 4.6 A 3 85 115 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 二极管脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 450 200 pF pF Crss 60 pF Qg 15 nC 2 Vgs=10V, Vds=15V, Id=3A 2 7 nC nC 2 2 td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V , Id=3A td(off) RL=1Ω, Rgen=2.5Ω 6 6 20 ns ns ns 2 2 2 5 ns 2 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 Qgs Qgd If=Is, Vgs=0V tf 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 NIKO-SEM P8503BMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 Lead Free 单 N 沟道 MOSFET ELM33404CA-S ■标准特性和热特性曲线 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature. IS,Reverse Drain Current(A) 5 1 VGS=0V TJ=125°C 0.1 25°C -55°C 0.01 0.001 0.0001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 VSD,Body Diode Forward Voltage(V) 3 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Mar-22-2006 NIKO-SEM N-Channel Logic Level Enhancement Mode 单Field N 沟道 MOSFET Effect Transistor ELM33404CA-S 4 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P8503BMG SOT-23 Lead Free Mar-22-2006