elm33404ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM33404CA-S
■概要
■特点
ELM33404CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=3A
·Rds(on) < 85mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 115mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
栅极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vgs
±20
3
2
V
Idm
20
A
Pd
0.6
0.5
W
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
Ta=25℃
Ta=100℃
漏极电流(定常)
Id
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Tc=100℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
A
3
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
记号
Rθjc
稳定状态
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
65
单位
℃/W
230
℃/W
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
备注
单 N 沟道 MOSFET
ELM33404CA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
30
V
Vds=24V,Vgs=0V
1
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=10V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
0.8
3
Vgs=10V, Id=3A
Vgs=4.5V, Id=1.5A
Vds=15V, Id=3A
1.2
48
70
16
μA
±100
nA
2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.5
2.3
V
A
1
4.6
A
3
85
115
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
450
200
pF
pF
Crss
60
pF
Qg
15
nC
2
Vgs=10V, Vds=15V, Id=3A
2
7
nC
nC
2
2
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V , Id=3A
td(off) RL=1Ω, Rgen=2.5Ω
6
6
20
ns
ns
ns
2
2
2
5
ns
2
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
Qgs
Qgd
If=Is, Vgs=0V
tf
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
NIKO-SEM
P8503BMG
N-Channel Logic Level Enhancement Mode
Field Effect Transistor
SOT-23
Lead Free
单 N 沟道 MOSFET
ELM33404CA-S
■标准特性和热特性曲线
Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature.
IS,Reverse Drain Current(A)
5
1
VGS=0V
TJ=125°C
0.1
25°C
-55°C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VSD,Body Diode Forward Voltage(V)
3
4-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
Mar-22-2006
NIKO-SEM
N-Channel Logic Level Enhancement Mode
单Field
N 沟道
MOSFET
Effect Transistor
ELM33404CA-S
4
4-4
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P8503BMG
SOT-23
Lead Free
Mar-22-2006
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