elm33408ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM33408CA-S
■概要
■特点
ELM33408CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=20V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=3A
·Rds(on) < 50.8mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 100mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
栅极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vgs
±16
3
2
V
Idm
20
A
Pd
0.6
0.5
W
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
Ta=25℃
Ta=100℃
漏极电流(定常)
Id
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Tc=100℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
A
3
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
记号
Rθjc
稳定状态
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
65
单位
℃/W
230
℃/W
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
备注
单 N 沟道 MOSFET
ELM33408CA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=16V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±16V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=10V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Vsd
寄生二极管最大连续电流
二极管脉冲电流
Is
Ism
V
Vds=16V,Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
二极管正向压降
20
0.45
6
Vgs=4.5V, Id=3A
Vgs=2.5V, Id=1.5A
If=Is, Vgs=0V
0.75
42.0
60.0
μA
±100
nA
1.20
V
A
50.8
mΩ
100.0
1.3
V
2.3
4.6
A
A
1
1
1
3
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
450
100
60
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
12.0
3.0
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=3A
pF
pF
pF
25.0
nC
nC
2
2
2
2
2
2
2
导通延迟时间
Qgd
td(on)
4.5
6
12
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=4.5V, Vds=10V , Id=1A
td(off) RL=1Ω, Rgen=0.2Ω
tf
5
16
5
10
40
20
ns
ns
ns
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
NIKO-SEM
P5002CMG
单Logic
N 沟道
MOSFET Mode
N-Channel
Level Enhancement
Field Effect Transistor
SOT-23
Lead-Free
ELM33408CA-S
■标准特性和热特性曲线
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
VGS= 0V
Is - Reverse Drain Current(A)
10
T = 125° C
1
25° C
0.1
-55° C
0.01
0.001
0.0001
0
0.6
0.2
0.4
0.8
VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
3
4-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.0
1.2
Mar-22-2006
NIKO-SEM
N-Channel Logic Level Enhancement Mode
单Field
N 沟道
MOSFET
Effect Transistor
ELM33408CA-S
4
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
P5002CMG
SOT-23
Lead-Free
Mar-22-2006
Similar pages