EFM8SB1 Data Sheet (Chinese)

EFM8 Sleepy Bee 产品系列
EFM8SB1 数据表
EFM8SB1 是 Sleepy Bee 产品系列的 MCU,是全球最节能的小封装
且功能全面的多用途 8 位微控制器。
节能
• 最低 MCU 睡眠电流和电源掉电检测 (50
nA)
这些设备采用小型封装,结合创新的低功耗技术,从节能模式中唤醒时间短,非常适合所
有电池驱动式应用。EFM8SB1 产品系列采用高效的 8051 内核,具有 14 个高品质电容感
测通道和高精度模拟功能,是嵌入式应用的最佳选择。
• 最低 MCU 有效电流(24.5 MHz 时 150
μA / MHz)
• 最低 MCU 唤醒触摸平均电流 (< 1 μA)
EFM8SB1 可用于以下应用:
• 使用内部 RTC 和电源掉电时的最低睡眠电
流 (< 300 nA)
• 仪表板
• 电池驱动式消费电子设备
• 触摸板/键盘
• 可穿戴产品
• 数字和模拟外围设备的快速唤醒 (< 2 μs)
• 集成 LDO 以在所有电压下保持超低有效电
流
Core / Memory
Clock Management
CIP-51 8051 Core
(25 MHz)
Flash Program
Memory
RAM Memory
(up to 512 bytes)
(up to 8 KB)
Debug Interface
with C2
Energy Management
External
Oscillator
Low Power 20 MHz
RC Oscillator
Low Frequency
RC Oscillator
High Frequency
24.5 MHz RC
Oscillator
Internal LDO
Regulator
Power-On Reset
Brown-Out Detector
External 32 kHz RTC Oscillator
8-bit SFR bus
Serial Interfaces
UART
SPI
I2C / SMBus
I/O Ports
External
Interrupts
General
Purpose I/O
Pin Reset
Pin Wakeup
Timers and Triggers
Timers
0/1/2/3
Watchdog
Timer
PCA/PWM
Real Time
Clock
Analog Interfaces
ADC
Comparator 0
Internal Current
Reference
Internal Voltage
Reference
Security
16-bit CRC
Capacitive Sense
Lowest power mode with peripheral operational:
Normal
Idle
Suspend
Sleep
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1.2
EFM8SB1 数据表
功能列表
1.
功能列表
EFM8SB1 突出功能如下所列。
• 内核:
• 流水线式 CIP-51 内核
• 与标准 8051 指令集完全兼容
• 70% 指令的执行时间为 1-2 系统时钟周期
• 25 MHz 最高工作频率
• 内存:
• 最高 8 kB 闪存,可在系统内对固件重新编程。
• 最高 512 字节 RAM(包括 256 字节标准 8051 RAM 和
256 字节片上 XRAM)
• 电源:
• 用于 CPU 内核电压的内部 LDO 稳压器
• 加电复位电路和掉电检测器
• I/O:最多共 17 组多功能 I/O 引脚:
• 用于外围路由的灵活的外围设备交叉开关
• 5 mA 源电流,12.5 mA 吸收器允许直接驱动 LED
• 时钟源:
• 内部 20 MHz 低功耗振荡器,精度 ±10%
• 内部 24.5 MHz 高精度振荡器,精度 ±2%
• 内部 16.4 kHz 低频振荡器或 RTC 32 kHz 晶体(RTC 晶
体对 CSP16 封装不可用)
• 外部晶体、RC、C 和 CMOS 时钟选项
• 定时器/计数器和 PWM:
• 32 位实时时钟 (RTC)
• 3 信道可编程计数器阵列 (PCA),支持 PWM、捕获/比较、带
有看门狗定时器功能的频率输出模式
• 4 个 16 位通用计时器
• 通信和数字外围设备:
• UART
• SPI™ 主/从
• SMBus™ / I2C™ 主/从
• 16 位 CRC 单元,支持 256 字节边界内闪存自动 CRC
• 模拟:
• 电容感测 (CS0)
• 可编程参考电流 (IREF0)
• 12 位 AD 转换器 (ADC0)
• 1 个低电流模拟比较器
• 片上非侵入式调试
• 全内存和寄存器检查
• 四个硬件断点、单步执行
• 预装 UART 引导程序
• -40 至 85 ºC 温度范围
• 单电源 1.8 至 3.6 V
• QSOP24、QFN24、QFN20 和 CSP16 封装
借助芯片上加电复位、电源电压监控器、监视程序定时器和时钟振荡器,EFM8SB1 设备成为真正独立的系统单芯片解决方案。闪存是可编
程内部电路,提供非易失性数据存储以及支持固件的现场升级。片上调试接口 (C2) 允许使用安装在最终应用中的生产 MCU 进行非侵入
式(不使用片上资源)、全速、内部电路调试。此调试逻辑支持检查和修改存储器与寄存器、设置断点、单步执行以及运行和停止命令。
进行调试时,所有模拟和数字外围设备的功能都得到充分发挥。各设备的指定操作电压是 1.8 到 3.6 V,适用于 16 针 CSP、20 针
QFN、24 针 QFN 或 24 针 QSOP 封装的元件。所有封装选项均符合无铅和 RoHS 要求。
Note: 可使用符合行业标准的表面安装装配技术处理并焊接 CSP 设备。但是,由于 CSP 设备主要采用硅制成,并非密封在塑料内,这些
设备易受到机械损伤的影响,且可能对光照十分敏感。当必须在暴露于光照的环境中使用 CSP 封装时,可能需要使用不透明材料覆盖在
顶部和侧面。
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1
EFM8SB1 数据表
订购信息
2.
订购信息
EFM8 SB1 0 F 8 G – A – QSOP24 R
Tape and Reel (Optional)
Package Type
Revision
Temperature Grade G (-40 to +85)
Flash Memory Size – 8 KB
Memory Type (Flash)
Family Feature Set
Sleepy Bee 1 Family
Silicon Labs EFM8 Product Line
Figure 2.1.
EFM8SB1 部件编号
所有 EFM8SB1 产品系列都具备以下功能:
• 运行频率高达 25 MHz 的 CIP-51 内核
• 三种内部振荡器(24.5 MHz、20 MHz 和 16 kHz)
• SMBus / I2C
• SPI
• UART
• 3 信道可编程计数器阵列(PWM、时钟生成、捕获/比较)
• 4 个 16 位定时器
• 模拟比较器
• 6 位电流源参考
• 12 位 AD 转换器,配有集成多路复用器、电压参考和温度传感器
• 16 位 CRC 单元
• 预装 UART 引导程序
除了这些功能外,EFM8SB1 系列的各元件随产品系列不同而具有不同的功能集。产品选择指南列出了各系列元件的可用功能。
-40 to +85 C QSOP24
EFM8SB10F8G-A-QFN24
8
512
17
10
14
Yes
-40 to +85 C QFN24
EFM8SB10F8G-A-QFN20
8
512
16
9
13
Yes
-40 to +85 C QFN20
EFM8SB10F8G-A-CSP16
8
512
13
9
12
Yes
-40 to +85 C CSP16
EFM8SB10F4G-A-QFN20
4
512
16
9
13
Yes
-40 to +85 C QFN20
EFM8SB10F2G-A-QFN20
2
256
16
9
13
Yes
-40 to +85 C QFN20
Package
Yes
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Temperature Range
14
(RoHS Compliant)
10
Pb-free
Capacitive
17
Touch Inputs
ADC0 Channels
512
I/Os (Total)
Digital Port
8
Number
EFM8SB10F8G-A-QSOP24
Ordering Part
RAM (Bytes)
Product Selection Guide
Flash Memory (kB)
Table 2.1.
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2
EFM8SB1 数据表
System Overview
3.
System Overview
3.1
介绍
CIP-51 8051 Controller
Core
Power On
Reset/PMU
Wake
Reset
C2CK/RSTb
Debug /
Programming
Hardware
Port I/O Configuration
Digital Peripherals
8/4/2 KB ISP Flash
Program Memory
UART
256 Byte SRAM
Timers 0,
1, 2, 3
256 Byte XRAM
Priority
Crossbar
Decoder
PCA/WDT
SMBus
C2D
SPI
VDD
VREG
SYSCLK
P0.n
Port 1
Drivers
P1.n
Port 2
Driver
P2.n
CRC
Digital
Power
Crossbar Control
System Clock
Configuration
Port 0
Drivers
SFR
Bus
Analog Peripherals
Precision
24.5 MHz
Oscillator
Low Power
20 MHz
Oscillator
XTAL1
XTAL2
Internal
External
VREF
VREF
12-bit
ADC
External
Oscillator
Circuit
IREF0
AMUX
GND
6-bit
IREF
14-Channel
Capacitance
To Digital
Converter
VDD
VREF
Temp
Sensor
GND
XTAL3
XTAL4
RTC
Oscillator
+
Comparator
Figure 3.1.
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EFM8SB1 方框图详情
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3
EFM8SB1 数据表
System Overview
3.2
电源
所有内部电路由 VDD 供电引脚供电。外部 I/O 引脚由 VIO 电源电压供电(或设备上无独立 VIO 连接的 VDD),大多数内部电路由片上
LDO 调节器供电。根据需要启用/禁用各个外围设备可以控制设备功耗。每个模拟外围设备在不使用时都可以禁用,从而置于低功耗模
式。在不使用数字外围设备(如定时器或串行总线)时,时钟将关闭且消耗较少电量。
Table 3.1.
电源模式
电源模式
详情
进入模式
唤醒源
普通模式
为内核和所有外围设备设定时钟,且均完全运行
—
—
在 PCON0 中设置 IDLE 位
任何中断
空闲模式
• 内核暂停
• 为所有外围设备设定时钟,且完全运行
• 发生唤醒事件时恢复执行代码
挂起模式
• 内核和数字外围设备暂停
• 禁用内部振荡器
• 发生唤醒事件时恢复执行代码
停止
• 所有内部电源网络均关闭
• 引脚保持其状态
• 发生任何复位源时退出
睡眠模式
•
•
•
•
•
3.3
多数内部电源网络关闭
选择电路保持上电
引脚保持其状态
所有 RAM 和 SFR 保持其状态
发生唤醒事件时恢复执行代码
1. 将 SYSCLK 切换为
HFOSC0 或 LPOSC0
2. 在 PMU0CF 中设置
SUSPEND 位
在 PCON0 中设置 STOP 位
1. 禁用未用的模拟外围
设备
2. 在 PMU0CF 中设置
SLEEP 位
•
•
•
•
•
RTC0 警报事件
RTC0 失败事件
CS0 中断
端口匹配事件
比较器 0 上升沿
任何复位源
•
•
•
•
RTC0 警报事件
RTC0 失败事件
端口匹配事件
比较器 0 上升沿
I/O
数字和模拟资源可以通过设备的多功能 I/O 引脚来实现外部调用。端口引脚 P0.0 - P1.7 可以被定义为通用 I/O (GPIO),通过交叉开
关或专用信道被分配至其中一个内部数字资源,或者被分配至模拟功能。端口 引脚 P2.7 可被用作 GPIO。此外,C2 接口数据信号
(C2D) 可与 P2.7 共享。
•
•
•
•
•
最高 17 个多功能 I/O 引脚,支持数字和模拟功能。
数字外围设备分配的灵活的优先交叉开关译码器。
各引脚配有两个驱动强度设置。
配有专用中断向量(INT0 和 INT1)的两个直接引脚中断源。
配有共用中断向量(端口匹配)的最多 16 个直接引脚中断源。
3.4
时钟
CPU 内核和外围设备子系统可以按照内部和外部振荡器资源来设定时钟。默认情况下,系统时钟运行的情况为:20 MHz 低功耗振荡器 8
分频。
•
•
•
•
•
•
为内核和外围设备提供时钟。
20 MHz 低功耗振荡器 (LPOSC0),随电源和温度变化,精度为 ±10%。
24.5 MHz 内部振荡器 (LPOSC0),随电源和温度变化,精度为 ±2%。
16.4 kHz 低频振荡器 (LFOSC0) 或外部 RTC 32 kHz 晶体。
外部 RC、C、CMOS 和高频晶体时钟选项 (EXTCLK)。
时钟分频器具有八个设置,可实现灵活的时钟调整:将所选的时钟源分频为:1、2、4、8、16、32、64 或 128。
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4
EFM8SB1 数据表
System Overview
3.5
定时器/计数器和 PWM
实时时钟 (RTC0)
RTC 是超低功耗、36 小时 32 位独立计时且带有警报的实时时钟。RTC 具有专用 32 kHz 振荡器。无需外部电阻或负载电容,如果外部
晶振故障,缺失时钟检测器功能将使系统发出警报。片上负载电容可编程为 16 种离散电平,兼容各种晶体。
RTC 模块包括以下功能:
• 长达 36 小时(32 位)独立计时。
• 支持内部 16.4 kHz 低频振荡器 (LFOSC0) 或外部 32 kHz 晶体(晶体不适用于 CSP16 封装)。
• 16 级内部晶体负载电容。
• 运行于最低电源模式下并覆盖所支持的全部电压范围。
• 从最低电源模式下唤醒或复位设备的警报和振荡器故障事件。
• 即使在最低电源模式下其他系统设备仍可用缓冲时钟输出。
可编程计数器阵列 (PCA0)
可编程计数器阵列 (PCA) 提供增强的定时器和 PWM 功能的多个信道,与标准计数器/定时器相比,它需要较少的 CPU 干预。PCA 的各信
道由一个专用的 16 位计数器/定时器和一个 16 位捕获/比较模块组成。计数器/定时器由具有灵活的外部和内部时钟选项的可编程时基
驱动。每个捕获/比较模块可配置为在五种模式中的一种模式下独立运行:边沿触发捕获、软件定时器、高速输出、频率输出、或脉宽调
制 (PWM) 输出。每个捕获/比较模块有其自己的关联 I/O 线 (CEXn),这些线在启用时通过交叉开关连接到端口 I/O。
•
•
•
•
•
•
•
•
•
16 位时基。
可编程时钟分频器和时钟源选择。
最多 三个 个独立配置的信道
8、9、10、11 和 16 位 PWM 模式(沿对准操作)。
输出频率模式。
捕获上升沿、下降沿或任何沿。
比较任意波形生成函数。
软件定时器(内部比较)模式。
集成监视程序定时器。
定时器(定时器 0、定时器 1、定时器 2 和定时器 3)
设备中包含几个计数器/定时器:两个是 16 位计数器/定时器与标准 8051 中的计数器/定时器兼容,另外两个是 16 位自动重新加载定
时器,可用于定时外围设备或作为通用定时器使用。这些定时器可以用于测量时间间隔、对外部事件计数或生成周期性中断请求。定时器
0 和定时器 1 几乎完全相同,有四种主要工作模式。其他定时器都提供带有自动重新加载和捕获功能的 16 位和分割 8 位定时器功能。
定时器 0 和定时器 1 包括以下功能:
• 标准 8051 定时器,支持向后兼容固件和硬件。
• 时钟源包括 SYSCLK、SYSCLK(12、4 或 48 分频)或外部时钟(8 分频)或外部引脚。
• 8 位自动重新加载计数器/定时器模式
• 13 位计数器/定时器模式
• 16 位计数器/定时器模式
• 双 8 位计数器/定时器模式(定时器 0)
定时器 2 和定时器 3 是包括以下功能的 16 位定时器:
• 时钟源包括 SYSCLK、SYSCLK(12 分频)或外部时钟(8 分频)。
• 16 位自动重新加载定时器模式
• 双 8 位自动重新加载定时器模式
• 比较器 0 或 RTC0 捕获(定时器 2)
• RTC0 或 EXTCLK/8 捕获(定时器 3)
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EFM8SB1 数据表
System Overview
监视程序定时器 (WDT0)
设备包括 PCA0 外围设备中集成的可编程监视程序定时器 (WDT)。WDT 溢出将使 MCU 复位。为了避免复位,WDT 必须在溢出之前由应用
软件重启。如果系统遇到软件或硬件故障阻止软件重启 WDT,则 WDT 溢出并复位。复位之后,WDT 自动开启并以默认最大时间间隔来运
行。WDT 可以按需由系统软件禁用。RSTb 引脚的状态不受此复位的影响。
PCA0 外围设备中集成的监视程序定时器具有以下功能:
• 可编程超时间隔
• 从所选 PCA 时钟源运行
• 任何系统复位之后自动启动
3.6
通信和其他数字外围设备
通用异步接收器/发射器 (UART0)
UART0 是一个异步、全双工串口,它提供标准 8051 UART 的模式 1 和 3。增强的波特率支持允许各种时钟源来生成标准波特率。接收数
据缓冲机制允许 UART0 在软件尚未读取前一个数据字节的情况下开始接收第二个输入数据字节。
UART 模块提供以下功能:
• 异步发射和接收
• 波特率高达 SYSCLK/2(发射)或 SYSCLK/8(接收)
• 8 位或 9 位数据
• 自动启动和停止发生
串行外围设备接口 (SPI0)
串行外围设备接口 (SPI) 模块可以访问灵活的全双工同步串行总线。SPI 可作为主设备或从属设备在 3 线或 4 线模式下运行,支持单
个 SPI 总线上的多个主设备或从属设备。从选择 (NSS) 信号可配置为输入,以在从模式中选择 SPI,或在多主环境中禁用主模式操作,
以避免多个主设备试图同时进行数据传输时发生 SPI 总线冲突。NSS 可以在主模式中配置为固件控制的片选输出,或被禁用以减少所需
引脚的数量。在主模式中,可以用其它通用端口 I/O 引脚选择多个从属设备。
SPI 模块包括以下功能:
• 支持 3 线或 4 线主模式或从模式运行。
• 在主模式下支持的外部时钟频率为 SYSCLK 2 分频,从模式下为 SYSCLK 10 分频。
• 支持四种时钟相位及极性选项。
• 8 位专用时钟的时钟频率发生器。
• 支持同一数据线上的多主模式。
系统管理总线 / I2C (SMB0)
SMBus I/O 接口是一个二线的双向串行总线。SMBus 完全符合系统管理总线规范 1.1 版,并与 I2C 串行总线兼容。
SMBus 模块包括以下功能:
• 标准(最高 100 kbps)和快速 (400 kbps) 传输速度。
• 支持主、从和多主模式。
• 多主模式的硬件同步和仲裁。
• 时钟低延长(时钟拉伸)以连接到较快的主模式。
• 硬件支持 7 位从模式和一般调用地址识别。
• 固件支持 10 位从地址解码。
• 能够阻止所有从状态。
• 可编程数据建立/保持时间。
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6
EFM8SB1 数据表
System Overview
16 位 CRC (CRC0)
循环冗余校验 (CRC) 模块使用 16 位多项式执行 CRC。CRC0 接受 8 位数据流并将 16 位结果存入内部寄存器中。除了使用 CRC 模块对
数据进行操作外,硬件也可以对设备的闪存内容自动执行 CRC。
CRC 模块可以为闪存验证和通信协议进行硬件计算。CRC 模块支持标准 CCITT-16 16 位多项式 (0x1021),包括以下功能:
• 支持 CCITT-16 多项式
• 字节级位序颠倒
• 对一个或多个 256-字节块上的闪存内容自动执行 CRC
• 初始种子选择为 0x0000 或 0xFFFF
3.7
模拟
电容感测 (CS0)
电容感测子系统使用电容到数字电路来确定端口引脚上的电容。模块可以使用模块的模拟多路复用器来获取不同端口引脚的测量值。模块
可被配置为测量一个端口引脚、使用自动扫描测量多个引脚、或一次测量多个信道的总电容。可选增益电路允许设计者调节最大允许电
容。此外,还包括一个累加器,可配置为对输入信道的多个转换进行平均。当 CS0 外围设备完成转换时或测量值超过配置阀值时生成中
断。
电容传感模块包括下列功能:
• 使用自动扫描逐个测量多个引脚或多个信道的总电容。
• 可配置输入增益。
• 硬件自动累计和平均。
• 多个内部转换启动源。
• 所有其他时钟禁用时操作暂停。
• 转换结束时或测量值超过配置阀值时中断。
可编程参考电流 (IREF0)
可编程电流参考 (IREF0) 模块可以开启电流输出或输入,配有两种输出电流设置:低功耗模式和高电流模式。低功耗模式下最大电流输
出是 63 µA(1 µA 级),高电流模式下最大电流输出是 504 µA(8 µA 级)。
IREF 模块包括以下功能:
• 可以编程来实现输出或输入电流。
• 两种运行模式:低功耗模式和高电流模式。
• 与 PCA0 模块结合使用时用于增高输出精度的微调模式。
12 位 AD 转换器 (ADC0)
ADC 是一款逐次逼近寄存器 (SAR) ADC,具有 12、10 和 8 位模式,集成了跟踪保持电路和可编程窗口检测器。该 ADC 可完全在软件控
制下通过几个寄存器来配置。ADC 可通过使用模拟多路复用器配置,以测量各种不同信号。ADC 的电压参考可在内部和外部参考源之间选
择。
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
高达 10 的外部输入。
单端 12 位和 10 位模式。
支持 12 位模式下每秒 75 ksps 样本的输出更新速率或 10 位模式下每秒 300 ksps 样本的输出更新速率。
在低功耗模式下运行时具有较低的转换速度。
异步硬件转换触发器,可以在软件、外部 I/O 和内部定时器来源之间选择。
输出数据窗口比较器允许自动范围检查。
支持突发模式,各转换启动触发器生成一组累计数据并具有可编程的加电稳定和跟踪时间。
支持转换完成和窗口比较中断。
灵活的输出数据格式。
包括内部 1.65 V 快速稳定参考并支持外部参考。
集成温度传感器。
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7
EFM8SB1 数据表
System Overview
低电流比较器 (CMP0)
模拟比较器用于比较两种模拟输入的电压,其中数字输出显示两者之中较高的输入电压。至设备 I/O 引脚的外部输入连接以及内部连接
可通过正负输入端上彼此独立的多路复用器来启用。滞后、响应时间和电流消耗可以根据应用的具体需要进行编程。
比较器模块包括下列功能:
• 除引脚之外的输入选项:
• 电容感测比较器输出。
• VDD。
• VDD 除以 2。
• 内部连接到 LDO 输出。
• 直接连接到 GND。
• 同步和异步输出可以通过交叉开关被路由至引脚。
• 可编程滞后位于 0 和 ±20 mV 之间。
• 可编程响应时间。
• 在上升沿、下降沿或这两者中都可以生成中断。
3.8
复位源
复位电路允许很容易地将控制器置于一个预定义的缺省状态。在进入此复位状态时,将发生以下过程:
• 内核停止程序执行。
• 如果位复位不是仅使用加电复位,模块寄存器被初始化为指定的复位值。
• 外部端口引脚被置于已知状态。
• 中断和定时器被禁用。
如果位复位不是仅使用加电复位,则所有寄存器都被复位为寄存器说明中备注的预定义值。在复位期间 RAM 的内容不受影响;之前存储
的数据在断电之前保持不变。端口 I/O 锁存器在开路漏极模式下复位为 1。在复位期间和复位之后弱上拉启用。对于电源监视器和加电
复位,RSTb 引脚被驱动为低电平,直到设备退出复位状态。在退出复位状态时,程序计数器 (PC) 被复位,并且系统时钟默认为内部振
荡器。监视程序定时器被启用,从位置 0x0000 开始程序执行。
设备上的复位源包括以下功能:
• 加电复位
• 外部复位引脚
• 比较器复位
• 软件触发复位
• 电源监控器复位(监控器 VDD 电源)
• 监视程序定时器复位
• 时钟丢失检测器复位
• 闪存错误复位
• RTC0 警报或振荡器故障
3.9
调试
EFM8SB1 设备包括一个片上 Silicon Labs 2 线 (C2) 调试接口,支持闪存编程和使用安装在终端应用中的生产件进行系统内调试。C2
接口使用一个时钟信号 (C2CK) 和一个双向 C2 数据信号 (C2D) 在设备和主机系统之间传输信息。有关 C2 协议的详细信息,请参见 C2
接口规范。
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8
EFM8SB1 数据表
System Overview
3.10
引导装载程序
所有设备都配备预编程的 UART 引导装载程序。此引导装载程序驻留在闪存的最后一页中,不需要时可以擦除。
锁定字节的前一个字节是引导装载程序签名字节。如果此字节的值设为 0xA5 则表示系统中存在引导装载程序。该位置出现任何其他值都
表示闪存中没有引导装载程序。
存在引导装载程序时,设备将在执行任何复位操作后,跳转至引导装载程序向量,允许运行引导装载程序。随后,引导装载程序将确定设
备是应该停留在引导装载模式中,还是跳转至位于 0x0000 的复位向量。不存在引导装载程序时,设备将在执行任何复位操作后,跳转至
0x0000 的复位向量。
0xFFFF
Reserved
0x2000
0x1FFF
0x1FFE
Lock Byte
Security Page
512 Bytes
0x1E00
8 KB Flash
(16 x 512 Byte pages)
0x0000
Figure 3.2.
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带引导装载程序的闪存映射 — 8 kB 设备
Rev. 1.2
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9
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
4.
Electrical Specifications
4.1
电气特性
除非另有说明,各表中的所有电气参数都适用于 Table 4.1 Recommended Operating Conditions on page 10(第 11 页表 4.1“推荐
操作条件”)中所列的条件。
4.1.1
建议的工作条件
Table 4.1.
Parameter
Symbol
Recommended Operating Conditions
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
1.8
2.4
3.6
V
Not in Sleep Mode
—
1.4
—
V
Sleep Mode
—
0.3
0.5
V
0
—
25
MHz
–40
—
85
°C
Operating Supply Voltage on VDD VDD
Minimum RAM Data Retention
Voltage on VDD1
VRAM
System Clock Frequency
fSYSCLK
Operating Ambient Temperature
TA
Note:
1. All voltages with respect to GND.
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.2
|
10
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
4.1.2
功耗
Table 4.2.
Parameter
Power Consumption
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Units
IDD
VDD = 1.8–3.6 V, fSYSCLK
= 24.5 MHz
—
3.6
4.5
mA
VDD = 1.8–3.6 V, fSYSCLK = 20
MHz
—
3.1
—
mA
VDD = 1.8–3.6 V, fSYSCLK =
32.768 kHz
—
84
—
µA
VDD = 1.8–3.6 V, T = 25 °C,
fSYSCLK < 14 MHz
—
174
—
µA/MHz
VDD = 1.8–3.6 V, T = 25 °C,
fSYSCLK > 14 MHz
—
88
—
µA/MHz
VDD = 1.8–3.6 V, fSYSCLK = 24.5
MHz
—
1.8
3.0
mA
VDD = 1.8–3.6 V, fSYSCLK = 20
MHz
—
1.4
—
mA
VDD = 1.8–3.6 V, fSYSCLK =
32.768 kHz
—
82
—
µA
Digital Supply Current
Normal Mode supply current Full speed with code executing
from flash 3 , 4 , 5
Normal Mode supply current
frequency sensitivity1, 3, 5
IDDFREQ
Idle Mode supply current - Core IDD
halted
with
peripherals
running4 , 6
Idle Mode Supply Current
Frequency Sensitivity1 ,6
IDDFREQ
VDD = 1.8–3.6 V, T = 25 °C
—
67
—
µA/MHz
Suspend Mode Supply Current
IDD
VDD = 1.8–3.6 V
—
77
—
µA
Sleep Mode Supply Current with
RTC running from 32.768 kHz
crystal
IDD
1.8 V, T = 25 °C
—
0.60
—
µA
3.6 V, T = 25 °C
—
0.80
—
µA
1.8 V, T = 85 °C
—
0.80
—
µA
3.6 V, T = 85 °C
—
1.00
—
µA
1.8 V, T = 25 °C
—
0.30
—
µA
3.6 V, T = 25 °C
—
0.50
—
µA
1.8 V, T = 85 °C
—
0.50
—
µA
3.6 V, T = 85 °C
—
0.80
—
µA
1.8 V, T = 25 °C
—
0.05
—
µA
3.6 V, T = 25 °C
—
0.08
—
µA
1.8 V, T = 85 °C
—
0.20
—
µA
3.6 V, T = 85 °C
—
0.28
—
µA
—
7
—
µA
—
300
—
µA
Sleep Mode Supply Current with
RTC running from internal LFO
Sleep Mode Supply Current (RTC
off)
IDD
IDD
VDD Monitor Supply Current
IVMON
Oscillator Supply Current
IHFOSC0
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
25 °C
Rev. 1.2
|
11
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Units
ADC0 Always-on Power Supply
Current7
IADC
300 ksps, 10-bit conversions or
—
740
—
µA
—
400
—
µA
CPMD = 11
—
0.4
—
µA
CPMD = 10
—
2.6
—
µA
CPMD = 01
—
8.8
—
µA
CPMD = 00
—
23
—
µA
Normal Power Mode
—
260
—
µA
Low Power Mode
—
140
—
µA
—
35
—
µA
CS module bias current, 25 °C
—
50
60
µA
CS module alone, maximum code
output, 25 °C
—
90
125
µA
Wake-on-CS threshold (suspend
mode with regulator and CS
module on)9
—
130
180
µA
Current Source, Either Power
Mode, Any Output Code
—
10
—
µA
Low Power Mode, Current Sink
—
1
—
µA
—
11
—
µA
—
12
—
µA
—
81
—
µA
75 ksps, 12-bit conversions
Normal bias settings
VDD = 3.0 V
150 ksps, 10-bit conversions or
37.5 ksps 12-bit conversions
Low power bias settings
VDD = 3.0 V
Comparator 0 (CMP0) Supply
Current
ICMP
Internal Fast-Settling 1.65V
ADC0 Reference, Always-on8
IVREFFS
Temp sensor Supply Current
ITSENSE
Capacitive Sense Module (CS0)
Supply Current
ICS0
Programmable Current Reference
(IREF0) Supply Current10
IIREF0
IREF0DAT = 000001
Low Power Mode, Current Sink
IREF0DAT = 111111
High Current Mode, Current Sink
IREF0DAT = 000001
High Current Mode, Current Sink
IREF0DAT = 111111
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Rev. 1.2
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12
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Note:
1. Based on device characterization data; Not production tested.
2. SYSCLK must be at least 32 kHz to enable debugging.
3. Digital Supply Current depends upon the particular code being executed. The values in this table are obtained with
the CPU executing an “sjmp $” loop, which is the compiled form of a while(1) loop in C. One iteration requires 3
CPU clock cycles, and the flash memory is read on each cycle. The supply current will vary slightly based on the
physical location of the sjmp instruction and the number of flash address lines that toggle as a result. In the
worst case, current can increase by up to 30% if the sjmp loop straddles a 64-byte flash address boundary (e.g.,
0x007F to 0x0080). Real-world code with larger loops and longer linear sequences will have few transitions across
the 64-byte address boundaries.
4. Includes supply current from regulator and oscillator source (24.5 MHz high-frequency oscillator, 20 MHz low-power
oscillator, 1 MHz external oscillator, or 32.768 kHz RTC oscillator).
5. IDD can be estimated for frequencies < 14 MHz by simply multiplying the frequency of interest by the frequency
sensitivity number for that range, then adding an offset of 84 µA. When using these numbers to estimate IDD for >
14 MHz, the estimate should be the current at 25 MHz minus the difference in current indicated by the frequency
sensitivity number. For example: VDD = 3.0 V; F = 20 MHz, IDD = 3.6 mA – (25 MHz – 20 MHz) x 0.088 mA/MHz = 3.16
mA assuming the same oscillator setting.
6. Idle IDD can be estimated by taking the current at 25 MHz minus the difference in current indicated by the
frequency sensitivity number. For example: VDD = 3.0 V; F = 5 MHz, Idle IDD = 1.75 mA – (25 MHz – 5 MHz) x 0.067
mA/MHz = 0.41 mA.
7. ADC0 always-on power excludes internal reference supply current.
8. The internal reference is enabled as-needed when operating the ADC in burst mode to save power.
9. Includes only current from regulator, CS module, and MCU in suspend mode.
10. IREF0 supply current only. Does not include current sourced or sunk from IREF0 output pin.
4.1.3
复位和电源监控器
Table 4.3.
Reset and Supply Monitor
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VDD Supply Monitor Threshold
VVDDM
Reset Trigger
1.7
1.75
1.8
V
VWARN
Early Warning
1.8
1.85
1.9
V
—
300
—
ns
Rising Voltage on VDD
—
1.75
—
V
Falling Voltage on VDD
0.45
0.7
1.0
V
VDD Supply Monitor Turn-On Time tMON
Power-On Reset (POR) Monitor
Threshold
VPOR
VDD Ramp Time
tRMP
Time to VDD ≥ 1.8 V
—
—
3
ms
Reset Delay
tRST
Time between release of reset
source and code execution
—
10
—
µs
RST Low Time to Generate Reset
tRSTL
15
—
—
µs
100
650
1000
µs
—
7
10
kHz
Missing Clock Detector Response tMCD
Time (final rising edge to
reset)
Missing Clock Detector Trigger
Frequency
FMCD
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FSYSCLK > 1 MHz
Rev. 1.2
|
13
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
4.1.4
闪存
Table 4.4.
Flash Memory
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
Write Time1
tWRITE
One Byte
57
64
71
µs
Erase Time1
tERASE
One Page
28
32
36
ms
Endurance (Write/Erase Cycles)
NWE
20 k
100 k
—
Cycles
Note:
1. Does not include sequencing time before and after the write/erase operation, which may be multiple SYSCLK cycles.
2. Data Retention Information is published in the Quarterly Quality and Reliability Report.
4.1.5
电源管理定时
Table 4.5.
Parameter
Symbol
Idle Mode Wake-up Time
tIDLEWK
Suspend Mode Wake-up Time
tSUSPENDWK
Power Management Timing
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
2
—
3
SYSCLKs
—
400
—
ns
—
2
—
µs
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
fHFOSC0
Full Temperature and Supply
Range
24
24.5
25
MHz
fLPOSC
Full Temperature and Supply
Range
18
20
22
MHz
13.1
16.4
19.7
kHz
CLKDIV = 0x00
Low Power or Precision Osc.
Sleep Mode Wake-up Time
4.1.6
tSLEEPWK
内部振荡器
Table 4.6.
Parameter
Symbol
Internal Oscillators
High Frequency Oscillator 0 (24.5 MHz)
Oscillator Frequency
Low Power Oscillator (20 MHz)
Oscillator Frequency
Low Frequency Oscillator (16.4 kHz internal RTC oscillator)
Oscillator Frequency
fLFOSC
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Full Temperature and Supply
Range
Rev. 1.2
|
14
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
4.1.7
晶体振荡器
Table 4.7.
Parameter
Symbol
Crystal Frequency
fXTAL
Crystal Drive Current
IXTAL
4.1.8
Crystal Oscillator
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
0.02
—
25
MHz
XFCN = 0
—
0.5
—
µA
XFCN = 1
—
1.5
—
µA
XFCN = 2
—
4.8
—
µA
XFCN = 3
—
14
—
µA
XFCN = 4
—
40
—
µA
XFCN = 5
—
120
—
µA
XFCN = 6
—
550
—
µA
XFCN = 7
—
2.6
—
mA
Min
Typ
Max
Unit
外部时钟输入
Table 4.8.
External Clock Input
Parameter
Symbol
Test Condition
External Input CMOS Clock
fCMOS
0
—
25
MHz
External Input CMOS Clock High
Time
tCMOSH
18
—
—
ns
External Input CMOS Clock Low
Time
tCMOSL
18
—
—
ns
Frequency (at EXTCLK pin)
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Rev. 1.2
|
15
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
4.1.9
ADC
Table 4.9.
ADC
Parameter
Symbol
Test Condition
Resolution
Nbits
12 Bit Mode
12
Bits
10 Bit Mode
10
Bits
Throughput Rate
Tracking Time
fS
tTRK
Power-On Time
tPWR
SAR Clock Frequency
fSAR
Min
Typ
Max
Unit
12 Bit Mode
—
—
75
ksps
10 Bit Mode
—
—
300
ksps
Initial Acquisition
1.5
—
—
us
Subsequent Acquisitions (DC
input, burst mode)
1.1
—
—
us
1.5
—
—
µs
High Speed Mode,
—
—
8.33
MHz
Low Power Mode
—
—
4.4
MHz
Conversion Time
TCNV
10-Bit Conversion
13
—
—
Clocks
Sample/Hold Capacitor
CSAR
Gain = 1
—
16
—
pF
Gain = 0.5
—
13
—
pF
Input Pin Capacitance
CIN
—
20
—
pF
Input Mux Impedance
RMUX
—
5
—
kΩ
Voltage Reference Range
VREF
1
—
VDD
V
Input Voltage Range1
VIN
Gain = 1
0
—
VREF
V
Gain = 0.5
0
—
2 x VREF
V
Internal High Speed VREF
—
67
—
dB
External VREF
—
74
—
dB
12 Bit Mode
—
±1
±1.5
LSB
10 Bit Mode
—
±0.5
±1
LSB
12 Bit Mode
—
±0.8
±1
LSB
10 Bit Mode
—
±0.5
±1
LSB
12 Bit Mode, VREF = 1.65 V
–3
0
3
LSB
10 Bit Mode, VREF = 1.65 V
–2
0
2
LSB
—
0.004
—
LSB/°C
12 Bit Mode
—
±0.02
±0.1
%
10 Bit Mode
—
±0.06
±0.24
%
12 Bit Mode
62
65
—
dB
10 Bit Mode
54
58
—
dB
Power Supply Rejection Ratio
PSRRADC
DC Performance
Integral Nonlinearity
INL
Differential Nonlinearity
(Guaranteed Monotonic)
DNL
Offset Error
EOFF
Offset Temperature Coefficient
TCOFF
Slope Error
EM
Dynamic Performance 10 kHz Sine Wave Input 1dB below full scale, Max throughput
Signal-to-Noise
SNR
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Rev. 1.2
|
16
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
Parameter
Symbol
Signal-to-Noise Plus Distortion SNDR
Total Harmonic Distortion (Up
to 5th Harmonic)
THD
Spurious-Free Dynamic Range
SFDR
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
12 Bit Mode
62
65
—
dB
10 Bit Mode
54
58
—
dB
12 Bit Mode
—
-76
—
dB
10 Bit Mode
—
-73
—
dB
12 Bit Mode
—
82
—
dB
10 Bit Mode
—
75
—
dB
Note:
1. Absolute input pin voltage is limited by the VDD supply.
2. INL and DNL specifications for 12-bit mode do not include the first or last four ADC codes.
3. The maximum code in 12-bit mode is 0xFFFC. The Full Scale Error is referenced from the maximum code.
4.1.10
参考电压
Table 4.10.
Parameter
Symbol
Voltage Reference
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Internal Fast Settling Reference
Output Voltage
VREFFS
1.62
1.65
1.68
V
Temperature Coefficient
TCREFFS
—
50
—
ppm/°C
Turn-on Time
tREFFS
—
—
1.5
µs
Power Supply Rejection
PSRRREFFS
—
400
—
ppm/V
Input Voltage
VEXTREF
1
—
VDD
V
Input Current
IEXTREF
—
5.25
—
µA
External Reference
4.1.11
Sample Rate = 300 ksps; VREF =
3.0 V
温度传感器
Table 4.11.
Temperature Sensor
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Offset
VOFF
TA = 0 °C
—
940
—
mV
Offset Error1
EOFF
TA = 0 °C
—
18
—
mV
Slope
M
—
3.40
—
mV/°C
Slope Error1
EM
—
40
—
µV/°C
—
±1
—
°C
—
1.8
—
µs
Linearity
Turn-on Time
tPWR
Note:
1. Represents one standard deviation from the mean.
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Rev. 1.2
|
17
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
4.1.12
比较器
Table 4.12.
Comparators
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Response Time, CPMD = 00
(Highest Speed)
tRESP0
+100 mV Differential
—
120
—
ns
–100 mV Differential
—
110
—
ns
Response Time, CPMD = 11
(Lowest Power)
tRESP3
+100 mV Differential
—
1.25
—
µs
–100 mV Differential
—
3.2
—
µs
CPHYP = 00
—
0.4
—
mV
CPHYP = 01
—
8
—
mV
CPHYP = 10
—
16
—
mV
CPHYP = 11
—
32
—
mV
CPHYN = 00
—
-0.4
—
mV
CPHYN = 01
—
–8
—
mV
CPHYN = 10
—
–16
—
mV
CPHYN = 11
—
–32
—
mV
CPHYP = 00
—
0.5
—
mV
CPHYP = 01
—
6
—
mV
CPHYP = 10
—
12
—
mV
CPHYP = 11
—
24
—
mV
CPHYN = 00
—
-0.5
—
mV
CPHYN = 01
—
–6
—
mV
CPHYN = 10
—
–12
—
mV
CPHYN = 11
—
–24
—
mV
CPHYP = 00
—
0.7
—
mV
CPHYP = 01
—
4.5
—
mV
CPHYP = 10
—
9
—
mV
CPHYP = 11
—
18
—
mV
CPHYN = 00
—
-0.6
—
mV
CPHYN = 01
—
–4.5
—
mV
CPHYN = 10
—
–9
—
mV
CPHYN = 11
—
–18
—
mV
CPHYP = 00
—
1.5
—
mV
CPHYP = 01
—
4
—
mV
CPHYP = 10
—
8
—
mV
CPHYP = 11
—
16
—
mV
Positive Hysterisis
HYSCP+
Mode 0 (CPMD = 00)
Negative Hysterisis
HYSCP-
Mode 0 (CPMD = 00)
Positive Hysterisis
HYSCP+
Mode 1 (CPMD = 01)
Negative Hysterisis
HYSCP-
Mode 1 (CPMD = 01)
Positive Hysterisis
HYSCP+
Mode 2 (CPMD = 10)
Negative Hysterisis
HYSCP-
Mode 2 (CPMD = 10)
Positive Hysteresis
HYSCP+
Mode 3 (CPMD = 11)
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Rev. 1.2
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18
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Negative Hysteresis
HYSCP-
CPHYN = 00
—
-1.5
—
mV
CPHYN = 01
—
–4
—
mV
CPHYN = 10
—
–8
—
mV
CPHYN = 11
—
–16
—
mV
Mode 3 (CPMD = 11)
Input Range (CP+ or CP–)
VIN
-0.25
—
VDD+0.25
V
Input Pin Capacitance
CCP
—
12
—
pF
Common-Mode Rejection Ratio
CMRRCP
—
70
—
dB
Power Supply Rejection Ratio
PSRRCP
—
72
—
dB
Input Offset Voltage
VOFF
-10
0
10
mV
Input Offset Tempco
TCOFF
—
3.5
—
µV/°C
Typ
Max
Units
4.1.13
TA = 25 °C
可编程参考电流 (IREF0)
Table 4.13.
Parameter
Symbol
Programmable Current Reference (IREF0)
Conditions
Min
Static Performance
Resolution
Nbits
Output Compliance Range
VIOUT
6
bits
Low Power Mode, Source
0
—
VDD –
0.4
V
High Current Mode, Source
0
—
VDD –
0.8
V
Low Power Mode, Sink
0.3
—
VDD
V
High Current Mode, Sink
0.8
—
VDD
V
Integral Nonlinearity
INL
—
<±0.2
±1.0
LSB
Differential Nonlinearity
DNL
—
<±0.2
±1.0
LSB
Offset Error
EOFF
—
<±0.1
±0.5
LSB
Full Scale Error
EFS
Low Power Mode, Source
—
—
±5
%
High Current Mode, Source
—
—
±6
%
Low Power Mode, Sink
—
—
±8
%
High Current Mode, Sink
—
—
±8
%
Low Power Mode Sourcing 20 µA
—
<±1
±3
%
Output Settling Time to 1/2 LSB tSETTLE
—
300
—
ns
Startup Time
—
1
—
µs
Absolute Current Error
EABS
Dynamic Performance
tPWR
Note:
1. The PCA block may be used to improve IREF0 resolution by PWMing the two LSBs.
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19
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
4.1.14
电容感测 (CS0)
Table 4.14.
Capacitive Sense (CS0)
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Single Conversion Time1
tCNV
12-bit Mode
20
25
40
µs
13-bit Mode (default)
21
27
42.5
µs
14-bit Mode
23
29
45
µs
16-bit Mode
26
33
50
µs
Number of Channels
NCHAN
24-pin Packages
14
Channels
20-pin Packages
13
Channels
16-pin Packages
12
Channels
Capacitance per Code
CLSB
Default Configuration, 16-bit
codes
—
1
—
fF
Maximum External Capacitive
Load
CEXTMAX
CS0CG = 111b (Default)
—
45
—
pF
CS0CG = 000b
—
500
—
pF
Maximum External Series
Impedance
REXTMAX
CS0CG = 111b (Default)
—
50
—
kΩ
Note:
1. Conversion time is specified with the default configuration.
2. RMS Noise is equivalent to one standard deviation. Peak-to-peak noise encompasses ±3.3 standard deviations. The
RMS noise value is specified with the default configuration.
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Rev. 1.2
|
20
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
4.1.15
端口 I/O
Table 4.15.
Parameter
Symbol
Test Condition
Output High Voltage (High
Drive)
VOH
Port I/O
Min
Typ
Max
Unit
IOH = –3 mA
VDD – 0.7
—
—
V
Output Low Voltage (High Drive) VOL
IOL = 8.5 mA
—
—
0.6
V
Output High Voltage (Low Drive) VOH
IOH = –1 mA
VDD – 0.7
—
—
V
Output Low Voltage (Low Drive)
VOL
IOL = 1.4 mA
—
—
0.6
V
Input High Voltage
VIH
VDD = 2.0 to 3.6 V
VDD – 0.6
—
—
V
VDD = 1.8 to 2.0 V
0.7 x VDD
—
—
V
VDD = 2.0 to 3.6 V
—
—
0.6
V
VDD = 1.8 to 2.0 V
—
—
0.3 x VDD
V
VDD = 1.8 V
—
–4
—
µA
–35
–20
—
µA
–1
—
1
µA
Input Low Voltage
Weak Pull-Up Current
VIL
IPU
VIN = 0 V
VDD = 3.6 V
VIN = 0 V
Input Leakage
4.2
ILK
Weak pullup disabled or pin in
analog mode
热能条件
Table 4.16.
Thermal Conditions
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Thermal Resistance*
θJA
QFN-24 Packages
—
35
—
°C/W
QFN-20 Packages
—
60
—
°C/W
QSOP-24 Packages
—
65
—
°C/W
Note:
1. Thermal resistance assumes a multi-layer PCB with any exposed pad soldered to a PCB pad.
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21
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
4.3
绝对最大额定值
超过 Table 4.17 Absolute Maximum Ratings on page 22(第 20 页表 4.17“最大额定值”)中所列的应力值可能会永久损坏设备。
这仅为应力额定值,不表示在此值之下或在此规范的操作列表中标明的额定值之上的任何其他条件下可以对设备进行功能性操作。长期在
最大额定值条件下工作可影响设备的可靠性。有关质量参数和可靠性数据的更多信息,请访问 http://www.silabs.com/support/
quality/pages/default.aspx 参阅《质量和可靠性监视报告》。
Table 4.17.
Parameter
Symbol
Ambient Temperature Under Bias
Absolute Maximum Ratings
Test Condition
Min
Max
Unit
TBIAS
–55
125
°C
Storage Temperature
TSTG
–65
150
°C
Voltage on VDD
VDD
GND–0.3
4.0
V
Voltage on I/O pins or RSTb
VIN
GND–0.3
VDD + 0.3
V
Total Current Sunk into Supply Pin
IVDD
—
400
mA
Total Current Sourced out of
Ground Pin
IGND
400
—
mA
Current Sourced or Sunk by Any I/O
Pin or RSTb
IIO
-100
100
mA
Maximum Total Current through all
Port Pins
IIOTOT
—
200
mA
Operating Junction Temperature
TJ
–40
105
°C
Exposure to maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
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|
22
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
4.4
典型性能曲线
Figure 4.1.
常见工作电流(全电源电压范围)
Figure 4.2.
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常见 VOH 曲线
Rev. 1.2
|
23
EFM8SB1 数据表
Electrical Specifications
Figure 4.3.
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
常见 VOL 曲线
Rev. 1.2
|
24
EFM8SB1 数据表
Typical Connection Diagrams
5.
Typical Connection Diagrams
5.1
电源
Figure 5.1 电源连接图 on page 25 是 EFM8SB1 设备电源引脚的典型连接图。
1.8-3.6 V (in)
1 µF and 0.1 µF bypass
capacitors required for
the power pins placed
as close to the pins as
possible.
VDD
EFM8SB1
Device
GND
Figure 5.1.
5.2
电源连接图
其他连接
其他元件或连接可能需要满足系统级要求。应用说明 AN203:“8 位 MCU 印刷电路板设计说明”中对这些连接进行了详细说明。应用说
明位于 Silicon Labs 网站上 (www.silabs.com/8bit-appnotes)。
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|
25
EFM8SB1 数据表
VDD
4
RSTb / C2CK
5
P2.7 / C2D
P0.3
P0.4
P0.5
18
17
(Top View)
GND
6
Figure 6.1.
Table 6.1.
Pin
2
P0.6
15
P0.7
14
P1.0
13
P1.1
12
GND
11
P1.2
EFM8SB1x-QFN20 引出线
Pin Definitions for EFM8SB1x-QFN20
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P0.1
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.1
ADC0.1
INT0.1
CS0.1
INT1.1
AGND
P0MAT.0
CS0.0
INT0.0
VREF
Number
1
16
20 pin QFN
10
3
P1.3
GND
9
2
P1.5
P0.0
19
1
8
P0.1
P1.6
EFM8SB1x-QFN20 引脚定义
P0.2
6.1
7
Pin Definitions
P1.7
6.
20
Pin Definitions
P0.0
Multifunction I/O
Yes
INT1.0
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|
26
EFM8SB1 数据表
Pin Definitions
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
3
GND
Ground
4
VDD
Supply Power Input
5
RSTb /
Active-low Reset /
C2CK
C2 Debug Clock
P2.7 /
Multifunction I/O /
C2D
C2 Debug Data
7
P1.7
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.7
XTAL4
8
P1.6
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.6
XTAL3
9
P1.5
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.5
CS0.13
10
P1.3
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.3
ADC0.11
Number
6
CS0.11
11
P1.2
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.2
ADC0.10
CS0.10
12
GND
Ground
13
P1.1
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.1
CMP0N.4
CS0.9
14
P1.0
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.0
CMP0P.4
CS0.8
15
16
P0.7
P0.6
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Yes
Yes
P0MAT.7
ADC0.7
INT0.7
CS0.7
INT1.7
IREF0
P0MAT.6
ADC0.6
CNVSTR
CS0.6
INT0.6
INT1.6
17
P0.5
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.5
ADC0.5
INT0.5
CS0.5
INT1.5
18
P0.4
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.4
ADC0.4
INT0.4
CS0.4
INT1.4
19
P0.3
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.3
ADC0.3
EXTCLK
CS0.3
WAKEOUT
XTAL2
INT0.3
INT1.3
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Rev. 1.2
|
27
EFM8SB1 数据表
Pin Definitions
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P0.2
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.2
ADC0.2
RTCOUT
CS0.2
INT0.2
XTAL1
Number
20
INT1.2
Center
GND
Ground
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.2
|
28
EFM8SB1 数据表
Pin Definitions
P0.0
P0.1
P0.2
P0.3
P0.4
P0.5
24
23
22
21
20
19
EFM8SB1x-QFN24 引脚定义
N/C
1
18
P0.6
GND
2
17
P0.7
VDD
3
16
P1.0
N/C
4
15
P1.1
N/C
5
14
P1.2
RSTb / C2CK
6
13
P1.3
24 pin QFN
(Top View)
10
11
N/C
P1.5
Table 6.2.
Pin
Pin Name
Description
1
N/C
No Connection
2
GND
Ground
3
VDD
Supply Power Input
4
N/C
No Connection
5
N/C
No Connection
Number
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
12
9
P1.6
Figure 6.2.
P1.4
8
P2.7 / C2D
P1.7
VSS
7
6.2
EFM8SB1x-QFN24 引出线
Pin Definitions for EFM8SB1x-QFN24
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
Rev. 1.2
|
29
EFM8SB1 数据表
Pin Definitions
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
RSTb /
Active-low Reset /
C2CK
C2 Debug Clock
P2.7 /
Multifunction I/O /
C2D
C2 Debug Data
8
P1.7
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.7
XTAL4
9
P1.6
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.6
XTAL3
10
N/C
No Connection
11
P1.5
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.5
CS0.13
12
P1.4
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.4
ADC0.12
Number
6
7
CS0.12
13
P1.3
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.3
ADC0.11
CS0.11
14
P1.2
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.2
ADC0.10
CS0.10
15
P1.1
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.1
CMP0N.4
CS0.9
16
P1.0
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.0
CMP0P.4
CS0.8
17
18
P0.7
P0.6
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Yes
Yes
P0MAT.7
ADC0.7
INT0.7
CS0.7
INT1.7
IREF0
P0MAT.6
ADC0.6
CNVSTR
CS0.6
INT0.6
INT1.6
19
P0.5
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.5
ADC0.5
INT0.5
CS0.5
INT1.5
20
P0.4
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.4
ADC0.4
INT0.4
CS0.4
INT1.4
21
P0.3
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.3
ADC0.3
EXTCLK
CS0.3
WAKEOUT
XTAL2
INT0.3
INT1.3
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.2
|
30
EFM8SB1 数据表
Pin Definitions
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P0.2
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.2
ADC0.2
RTCOUT
CS0.2
INT0.2
XTAL1
Number
22
INT1.2
23
24
P0.1
P0.0
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Yes
Yes
P0MAT.1
ADC0.1
INT0.1
CS0.1
INT1.1
AGND
P0MAT.0
CS0.0
INT0.0
VREF
INT1.0
Center
GND
Ground
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.2
|
31
EFM8SB1 数据表
Pin Definitions
6.3
EFM8SB1x-QSOP24 引脚定义
P0.2
1
24
P0.3
P0.1
2
23
P0.4
P0.0
3
22
P0.5
N/C
4
21
P0.6
GND
5
20
P0.7
VDD
6
19
P1.0
N/C
7
18
P1.1
N/C
8
17
P1.2
RSTb / C2CK
9
16
P1.3
C2D / P2.7
10
15
P1.4
P1.7
11
14
P1.5
P1.6
12
13
N/C
24 pin QSOP
(Top View)
Figure 6.3.
Table 6.3.
Pin
EFM8SB1x-QSOP24 引出线
Pin Definitions for EFM8SB1x-QSOP24
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P0.2
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.2
ADC0.2
RTCOUT
CS0.2
INT0.2
XTAL1
Number
1
INT1.2
2
P0.1
Multifunction I/O
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Yes
P0MAT.1
ADC0.1
INT0.1
CS0.1
INT1.1
AGND
Rev. 1.2
|
32
EFM8SB1 数据表
Pin Definitions
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P0.0
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.0
CS0.0
INT0.0
VREF
Number
3
INT1.0
4
N/C
No Connection
5
GND
Ground
6
VDD
Supply Power Input
7
N/C
No Connection
8
N/C
No Connection
9
RSTb /
Active-low Reset /
C2CK
C2 Debug Clock
P2.7 /
Multifunction I/O /
C2D
C2 Debug Data
11
P1.7
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.7
XTAL4
12
P1.6
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.6
XTAL3
13
N/C
No Connection
14
P1.5
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.5
CS0.13
15
P1.4
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.4
ADC0.12
10
CS0.12
16
P1.3
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.3
ADC0.11
CS0.11
17
P1.2
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.2
ADC0.10
CS0.10
18
P1.1
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.1
CMP0N.4
CS0.9
19
P1.0
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.0
CMP0P.4
CS0.8
20
21
P0.7
P0.6
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Yes
Yes
P0MAT.7
ADC0.7
INT0.7
CS0.7
INT1.7
IREF0
P0MAT.6
ADC0.6
CNVSTR
CS0.6
INT0.6
INT1.6
22
P0.5
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.5
ADC0.5
INT0.5
CS0.5
INT1.5
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.2
|
33
EFM8SB1 数据表
Pin Definitions
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P0.4
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.4
ADC0.4
INT0.4
CS0.4
Number
23
INT1.4
24
P0.3
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.3
ADC0.3
EXTCLK
CS0.3
WAKEOUT
XTAL2
INT0.3
INT1.3
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.2
|
34
EFM8SB1 数据表
Pin Definitions
6.4
EFM8SB1x-CSP16 引脚定义
可使用符合行业标准的表面安装装配技术处理并焊接 CSP 设备。但是,由于 CSP 设备主要采用硅制成,并非密封在塑料内,这些设备易
受到机械损伤的影响,且可能对光照十分敏感。当必须在暴露于光照的环境中使用 CSP 封装时,可能需要使用不透明材料覆盖在顶部和
侧面。
A1
A2
A3
A4
P0.7
P0.5
P0.4
P0.0
B1
B2
B3
B4
P1.0
P0.3
P0.2
GND
C1
C2
C3
C4
P1.3
P0.6
P0.1
VDD
D1
D2
D3
D4
P1.1
P1.4
RSTb / C2CK P2.7 / C2D
16 pin CSP
(Top View)
Figure 6.4.
Table 6.4.
Pin
EFM8SB1x-CSP16 引出线
Pin Definitions for EFM8SB1x-CSP16
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P0.7
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.7
ADC0.7
INT0.7
CS0.7
INT1.7
IREF0
P0MAT.5
ADC0.5
INT0.5
CS0.5
Number
A1
A2
P0.5
Multifunction I/O
Yes
INT1.5
A3
P0.4
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.4
ADC0.4
INT0.4
CS0.4
INT1.4
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Rev. 1.2
|
35
EFM8SB1 数据表
Pin Definitions
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P0.0
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.0
CS0.0
INT0.0
VREF
Number
A4
INT1.0
B1
P1.0
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.0
CMP0P.4
CS0.8
B2
P0.3
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.3
ADC0.3
EXTCLK
CS0.3
WAKEOUT
XTAL2
INT0.3
INT1.3
B3
P0.2
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.2
ADC0.2
RTCOUT
CS0.2
INT0.2
XTAL1
INT1.2
B4
GND
Ground
C1
P1.3
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.3
ADC0.11
CS0.11
C2
P0.6
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.6
ADC0.6
CNVSTR
CS0.6
INT0.6
INT1.6
C3
P0.1
Multifunction I/O
C4
VDD
Supply Power Input
D1
P1.1
Multifunction I/O
Yes
Yes
P0MAT.1
ADC0.1
INT0.1
CS0.1
INT1.1
AGND
P1MAT.1
CMP0N.4
CS0.9
D2
P1.4
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.4
ADC0.12
CS0.12
D3
D4
RSTb /
Active-low Reset /
C2CK
C2 Debug Clock
P2.7 /
Multifunction I/O /
C2D
C2 Debug Data
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Rev. 1.2
|
36
EFM8SB1 数据表
CSP16 Package Specifications
7.
CSP16 Package Specifications
7.1
CSP16 封装尺寸
Note: 可使用符合行业标准的表面安装装配技术处理并焊接 CSP 设备。但是,由于 CSP 设备主要采用硅制成,并非密封在塑料内,这些
设备易受到机械损伤的影响,且可能对光照十分敏感。当必须在暴露于光照的环境中使用 CSP 封装时,可能需要使用不透明材料覆盖在
顶部和侧面。
Figure 7.1.
Table 7.1.
Dimension
CSP16 封装图
CSP16 Package Dimensions
Min
Typ
Max
A
0.491
0.55
0.609
A1
0.17
—
0.23
A2
0.036
0.040
0.044
b
0.23
—
0.29
S
0.3075
0.31
0.3125
D
1.781 BSC
E
1.659 BSC
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37
EFM8SB1 数据表
CSP16 Package Specifications
Dimension
Min
Typ
e
0.40 BSC
D1
1.20 BSC
E1
1.20 BSC
SD
0.2
SE
0.2
n
16
aaa
0.03
bbb
0.06
ccc
0.05
ddd
0.015
Max
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. Primary datum “C” and seating plane are defined by the spherical crowns of the solder balls.
4. Dimension “b” is measured at the maximum solder bump diameter, parallel to primary datum “C”.
5. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020C specification for Small Body Components.
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|
38
EFM8SB1 数据表
CSP16 Package Specifications
7.2
CSP16 PCB 焊盘布局
Figure 7.2.
Table 7.2.
Dimension
CSP16 PCB 焊盘布局图
CSP16 PCB Land Pattern Dimensions
Min
Max
X
0.20
C1
1.20
C2
1.20
E1
0.40
E2
0.40
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing is per the ANSI Y14.5M-1994 specification.
3. This Land Pattern Design is based on the IPC-7351 guidelines.
4. All metal pads are to be non-solder mask defined (NSMD). Clearance between the solder mask and the metal pad is to
be 60 µm minimum, all the way around the pad.
5. A stainless steel, laser-cut and electro-polished stencil with trapezoidal walls should be used to assure good
solder paste release.
6. The stencil thickness should be 0.075 mm (3 mils).
7. A stencil of square aperture (0.22 x 0.22 mm) is recommended.
8. A No-Clean, Type-3 solder paste is recommended.
9. The recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020 specification for Small Body Components.
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|
39
EFM8SB1 数据表
CSP16 Package Specifications
7.3
CSP16 封装标识
PPPP
TTTT
YYWW
Figure 7.3.
CSP16 封装标识
封装标识的组成为:
• PPPP – 指定部件编号。
• TTTT – 跟踪或生产代码。
• YY – 生产年份的最后 2 位数字。
• WW – 设备生产时的 2 位工作周。
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40
EFM8SB1 数据表
QFN20 Package Specifications
8.
QFN20 Package Specifications
8.1
QFN20 封装尺寸
Figure 8.1.
Table 8.1.
QFN20 封装图
QFN20 Package Dimensions
Dimension
Min
Typ
Max
A
0.50
0.55
0.60
A1
0.00
—
0.05
b
0.20
0.25
0.30
b1
0.275
0.325
0.375
D
D2
3.00 BSC
1.6
1.70
e
0.50 BSC
e1
0.513 BSC
E
3.00 BSC
1.80
E2
1.60
1.70
1.80
L
0.35
0.40
0.45
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41
EFM8SB1 数据表
QFN20 Package Specifications
Dimension
Min
Typ
Max
L1
0.00
—
0.10
aaa
—
0.10
—
bbb
—
0.10
—
ddd
—
0.05
—
eee
—
—
0.08
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This drawing is based upon JEDEC Solid State Product Outline MO-248 but includes custom features which are
toleranced per supplier designation.
4. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020 specification for Small Body Components.
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42
EFM8SB1 数据表
QFN20 Package Specifications
8.2
QFN20 PCB 焊盘布局
Figure 8.2.
Table 8.2.
Dimension
QFN20 PCB 焊盘布局图
QFN20 PCB Land Pattern Dimensions
Min
Max
C1
2.70
C2
2.70
C3
2.53
C4
2.53
E
0.50 REF
X1
0.20
0.30
X2
0.24
.034
X3
1.70
1.80
Y1
0.50
0.60
Y2
0.24
0.34
Y3
1.70
1.80
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43
EFM8SB1 数据表
QFN20 Package Specifications
Dimension
Min
Max
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing is per the ANSI Y14.5M-1994 specification.
3. This Land Pattern Design is based on the IPC-7351 guidelines.
4. All metal pads are to be non-solder mask defined (NSMD). Clearance between the solder mask and the metal pad is to
be 60 µm minimum, all the way around the pad.
5. A stainless steel, laser-cut and electro-polished stencil with trapezoidal walls should be used to assure good
solder paste release.
6. The stencil thickness should be 0.125 mm (5 mils).
7. The ratio of stencil aperture to land pad size should be 1:1 for the perimeter pads.
8. A 2x2 array of 0.75mm openings on a 0.95mm pitch should be used for the center pad to assure proper paste volume.
9. A No-Clean, Type-3 solder paste is recommended.
10. The recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020 specification for Small Body Components.
8.3
QFN20 封装标识
PPPP
PPPP
TTTTTT
YYWW #
Figure 8.3.
QFN20 封装标识
封装标识的组成为:
• PPPPPPPP – 指定部件编号。
• TTTTTT – 跟踪或生产代码。
• YY – 生产年份的最后 2 位数字。
• WW – 设备生产时的 2 位工作周。
• # – 设备版本(A、B 等)。
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44
EFM8SB1 数据表
QFN24 Package Specifications
9.
QFN24 Package Specifications
9.1
QFN24 封装尺寸
Figure 9.1.
Table 9.1.
QFN24 封装图
QFN24 Package Dimensions
Dimension
Min
Typ
Max
A
0.70
0.75
0.80
A1
0.00
—
0.05
b
0.18
0.25
0.30
D
3.90
4.00
4.10
D2
2.60
2.70
2.80
e
0.50 BSC
E
3.90
4.00
4.10
E2
2.60
2.70
2.80
L
0.35
0.40
0.45
aaa
—
—
0.10
bbb
—
—
0.10
ccc
—
—
0.08
ddd
—
—
0.10
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45
EFM8SB1 数据表
QFN24 Package Specifications
Dimension
Min
Typ
Max
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This drawing conforms to JEDEC Solid State Outline MO-220.
4. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020C specification for Small Body Components.
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46
EFM8SB1 数据表
QFN24 Package Specifications
9.2
QFN24 PCB 焊盘布局
Figure 9.2.
Table 9.2.
QFN24 PCB 焊盘布局图
QFN24 PCB Land Pattern Dimensions
Dimension
Min
Max
C1
3.90
4.00
C2
3.90
4.00
E
0.50 BSC
X1
0.20
0.30
X2
2.70
2.80
Y1
0.65
0.75
Y2
2.70
2.80
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47
EFM8SB1 数据表
QFN24 Package Specifications
Dimension
Min
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. This Land Pattern Design is based on the IPC-7351 guidelines.
3. All metal pads are to be non-solder mask defined (NSMD). Clearance between the solder mask
be 60 µm minimum, all the way around the pad.
4. A stainless steel, laser-cut and electro-polished stencil with trapezoidal walls should be
solder paste release.
5. The stencil thickness should be 0.125 mm (5 mils).
6. The ratio of stencil aperture to land pad size should be 1:1 for all perimeter pads.
7. A 2 x 2 array of 1.10 mm x 1.10 mm openings on 1.30 mm pitch should be used for the center
8. A No-Clean, Type-3 solder paste is recommended.
9. The recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020 specification for Small
9.3
Max
and the metal pad is to
used to assure good
ground pad.
Body Components.
QFN24 封装标识
PPPPPPPP
TTTTTT
YYWW #
Figure 9.3.
QFN24 封装标识
封装标识的组成为:
• PPPPPPPP – 指定部件编号。
• TTTTTT – 跟踪或生产代码。
• YY – 生产年份的最后 2 位数字。
• WW – 设备生产时的 2 位工作周。
• # – 设备版本(A、B 等)。
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48
EFM8SB1 数据表
QSOP24 Package Specifications
10.
QSOP24 Package Specifications
10.1
QSOP24 封装尺寸
Figure 10.1.
Table 10.1.
QSOP24 封装图
QSOP24 Package Dimensions
Dimension
Min
Typ
Max
A
—
—
1.75
A1
0.10
—
0.25
b
0.20
—
0.30
c
0.10
—
0.25
D
8.65 BSC
E
6.00 BSC
E1
3.90 BSC
e
0.635 BSC
L
theta
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0.40
—
1.27
0º
—
8º
Rev. 1.2
|
49
EFM8SB1 数据表
QSOP24 Package Specifications
Dimension
Min
Typ
aaa
0.20
bbb
0.18
ccc
0.10
ddd
0.10
Max
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This drawing conforms to JEDEC outline MO-137, variation AE.
4. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020 specification for Small Body Components.
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50
EFM8SB1 数据表
QSOP24 Package Specifications
10.2
QSOP24 PCB 焊盘布局
Figure 10.2.
Table 10.2.
QSOP24 PCB 焊盘布局图
QSOP24 PCB Land Pattern Dimensions
Dimension
Min
Max
C
5.20
5.30
E
0.635 BSC
X
0.30
0.40
Y
1.50
1.60
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. This land pattern design is based on the IPC-7351 guidelines.
3. All metal pads are to be non-solder mask defined (NSMD). Clearance between the solder mask and the metal pad is to
be 60 µm minimum, all the way around the pad.
4. A stainless steel, laser-cut and electro-polished stencil with trapezoidal walls should be used to assure good
solder paste release.
5. The stencil thickness should be 0.125 mm (5 mils).
6. The ratio of stencil aperture to land pad size should be 1:1 for all perimeter pads.
7. A No-Clean, Type-3 solder paste is recommended.
8. The recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020 specification for Small Body Components.
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|
51
EFM8SB1 数据表
QSOP24 Package Specifications
10.3
QSOP24 封装标识
EFM8
PPPPPPPP #
TTTTTTYYWW
Figure 10.3.
QSOP24 封装标识
封装标识的组成为:
• PPPPPPPP – 指定部件编号。
• TTTTTT – 跟踪或生产代码。
• YY – 生产年份的最后 2 位数字。
• WW – 设备生产时的 2 位工作周。
• # – 设备版本(A、B 等)。
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Rev. 1.2
|
52
EFM8SB1 数据表
Revision History
11.
Revision History
11.1
版本 1.2
添加了 CSP16 封装。
QSOP24 引脚输出图上的 "C2D / P2.0" 引脚更新为 "C2D / P2.7"。
在 Table 4.7 Crystal Oscillator on page 15 中添加了晶体振荡器驱动器电流典型值。
更正了 Table 4.14 Capacitive Sense (CS0) on page 20 中 24 针和 20 针封装的电容感测通道数量。
更正了 Figure 8.2 QFN20 PCB 焊盘布局图 on page 43 尺寸 E 中的数据。
在 3.10 引导装载程序 中添加了更多信息。
11.2
版本 1.1
首次发行。
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Rev. 1.2
|
53
目录
1.
功能列表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
2.
订购信息 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
3.
System Overview . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
4.
5.
6.
3.1
介绍 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
3.2
电源 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3.3
I/O . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3.4
时钟 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3.5
定时器/计数器和 PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3.6
通信和其他数字外围设备 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.7
模拟 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.8
复位源 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3.9
调试 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3.10
引导装载程序 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Electrical Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
4.1 电气特性 . . . . . . .
4.1.1 建议的工作条件 . . . .
4.1.2 功耗 . . . . . . . .
4.1.3 复位和电源监控器 . . .
4.1.4 闪存 . . . . . . . .
4.1.5 电源管理定时 . . . . .
4.1.6 内部振荡器. . . . . .
4.1.7 晶体振荡器. . . . . .
4.1.8 外部时钟输入 . . . . .
4.1.9 ADC . . . . . . . .
4.1.10 参考电压 . . . . . .
4.1.11 温度传感器 . . . . .
4.1.12 比较器 . . . . . . .
4.1.13 可编程参考电流 (IREF0)
4.1.14 电容感测 (CS0). . . .
4.1.15 端口 I/O . . . . . .
.
.
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.
10
10
11
13
14
14
14
15
15
16
17
17
18
19
20
21
4.2
热能条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
21
4.3
绝对最大额定值 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
22
4.4
典型性能曲线. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
23
Typical Connection Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25
5.1
电源 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25
5.2
其他连接 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25
Pin Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
26
6.1
EFM8SB1x-QFN20 引脚定义 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
26
6.2
EFM8SB1x-QFN24 引脚定义 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
29
目录
54
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.
7.
8.
9.
10.
11.
6.3
EFM8SB1x-QSOP24 引脚定义 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
32
6.4
EFM8SB1x-CSP16 引脚定义 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35
CSP16 Package Specifications. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
37
7.1
CSP16 封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
37
7.2
CSP16 PCB 焊盘布局 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
39
7.3
CSP16 封装标识 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
QFN20 Package Specifications. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
41
8.1
QFN20 封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
41
8.2
QFN20 PCB 焊盘布局 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
43
8.3
QFN20 封装标识 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
44
QFN24 Package Specifications. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
45
9.1
QFN24 封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
45
9.2
QFN24 PCB 焊盘布局 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
47
9.3
QFN24 封装标识 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
48
QSOP24 Package Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
49
10.1
QSOP24 封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
49
10.2
QSOP24 PCB 焊盘布局
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
51
10.3
QSOP24 封装标识 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
52
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
11.1
版本 1.2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
11.2
版本 1.1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
目录 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
54
目录
55
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