Multi TOPLED LSPB T670 ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● Gehäusebauform: P-LCC-4 Gehäusefarbe: weiß volles Farbspektrum darstellbar Lichterzeugung über drei Halbleiterdioden: blau (480 nm), pure green (557 nm), rot (630 nm), getrennt ansteuerbar gute Farbmischung durch kleine Chipabstände (0,5 mm) und gemeinsamen Reflektor mit ∅ 2,4 mm für Matrix-Anzeigen mit hoher Packungsdichte bzw. hoher Auflösung (Pixelgrafik) zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung Farbmeßtechnik medizinische Analysetechnik hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 40839 VPL06837 Besondere Merkmale Auf Grund der z. Zt schnellen Technologie-Entwicklung bei blauen Chips, sind die Daten als vorläufig zu betrachten. Bezüglich der Helligkeit stellen sie Minimal- und für VF Maximal-Werte dar. Bitte um Rücksprache mit Ihrem Vertriebspartner vor Design In‘s. Features ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● P-LCC-4 package color of package: white complete color spectrum three separate light sources (dies) blue (480 nm), pure green (557 nm), red (630 nm) excellent color mixture due to small distances between the dies (0.5 mm) and a common reflector of ∅ 2.4 mm suitable for matrix-displays with high packing density and high resolution (pixel graphic), respectively for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses Colorimeter medical analysis high signal ratio possible by color change suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Due to the fast technological development of blue chips, these data are preliminary. Brightness values are minimum values and VF are maximum values. Please contact your sales office before design-ins. Semiconductor Group 1-180 10.95 LSPB T670 Typ Type LSPB T670 Emissions- Farbe der farbe Lichtaustrittsfläche Color of Color of Emission Light Emitting Area super-red / pure green/ blue colorless clear Durchlaß- Strahlstrom stärke Strahl- Lichtstrom stärke Forward current Radiant intensity Total flux Luminous Ordering intensity Code IF mA Ie µW/sr Φe µW Iv mcd 2 10 30 5.5 (≥ 2.5) 16.5 4.0 (≥ 2.0) 12 4.0 (≥ 2.0) 12 0.7 2.5 0.6 Best.nr. Q62703Q2896 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value LS LP Einheit Unit LB Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom1) Forward current IF 30 30 30 mA Durchlaßstrom2) Forward current IF 7.5 15 30 mA Sperrspannung Reverse voltage VR Verlustleistung1) Power dissipation Ptot Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-Board (Padgröße ≥ 16 mm 2) Rth JA1) mounted on PC board (pad size ≥ 16 mm 2) Rth JA2) 1) 2) 1) 2) 5 V 100 100 130 mW 480 630 370 450 450 530 K/W K/W Die angegebenen Grenzwerte gelten für einen Chip, wenn die anderen Chips nicht betrieben werden. Die angegebenen Grenzwerte gelten, wenn alle Chips in Betrieb sind. The stated maximum ratings refer to one die with the other dies turned off. The stated maximum ratings refer to all dies turned on. Semiconductor Group 1-181 LSPB T670 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value LS LP LB Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA (typ.) λpeak (typ.) 635 557 467 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA (typ.) λdom (typ.) 628 560 480 nm 45 22 75 nm 165 lm/W lm/W lm/W Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) ∆λ Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.) IF = 10 mA Visueller Wirkungsgrad Visual efficiency IF = 2 mA IF = 10 mA IF = 30 mA (typ.) ηv (typ.) ηv (typ.) ηv 130 2ϕ 120 VF VF VF VF VF VF 2.0 2.6 Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA IF = 10 mA IF = 20 mA Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group (typ.) (max.) (typ.) (max.) (typ.) (max.) 625 120 120 Grad deg. 3.1 4.5 V V V V V V 2.0 2.6 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA (typ.) C0 12 15 50 pF (typ.) tr (typ.) tf 300 150 450 200 800 800 ns ns (typ.) IR (max.) IR 1-182 LSPB T670 Additive Farbmischung durch unabhängige Ansteuerung von jedem Chip. Die Farbkoordinaten des Mischlichtes können innerhalb des mit a) gekennzeichneten Bereichs des Farbdreiecks erwartet werden. Der Unbuntpunkt (x = 0.33; y = 0.33) ist mit “+” gekennzeichnet. Beim Betrieb der LEDs mit folgenden Strömen: super-rot pure green blau 2 mA 10 mA 30 mA können die Farbkoordinaten des abgestrahlten Lichtes im mit b) gekennzeichneten Bereich (s = 0.275 – 0.37; y = 0.295 – 0.42) des Farbdreiecks erwartet werden. Additive mixture of color stimuli by independent driving of each chip. The color coordinates of the mixed light can be expected within the area of the color triangle marked a). The achromatic point (x = 0.33; y = 0.33) is marked “+”. With LED operating currents of: super-red pure green blue 2 mA 10 mA 30 mA the color coordinates of the emitted light can be expected in the area of the color triangle (s = 0.275 – 0.37; y = 0.295 – 0.42) marked b). Semiconductor Group 1-183 LSPB T670 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 1-184 LSPB T670 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV / IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Semiconductor Group 1-185 LSPB T670 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handlingcapability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Only one system biased Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) All systems biased Semiconductor Group 1-186 LSPB T670 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 10 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 1-187 LSPB T670 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GPL06900 Maßzeichnung Package Outlines Semiconductor Group 1-188