注文コード No. N 7 5 4 9 FW359 N7549 22004 新 FW359 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗、超高速スイッチング , 4V 駆動の N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・オン抵抗性が優れている。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 N-channel P-channel unit ドレイン電流（DC） ドレイン電流（PW=10s） VDSS VGSS ID ID duty cycle ≦ 1% 60 ± 20 − 60 ± 20 V V 3 3.5 −3 − 3.5 A A ドレイン電流（PW=100ms） ドレイン電流（パルス） ID IDP duty cycle ≦ 1% PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% 5.5 14 − 5.5 − 14 A A 許容損失 PD セラミック基板(2000mm2 × 0.8mm)装着時 , 1unit, PW ≦ 10s 1.8 W 全損失 PT セラミック基板(2000mm2 × 0.8mm)装着時 , PW ≦ 10s 2.2 W チャネル温度 保存周囲温度 Tch Tstg 150 − 55 ∼＋ 150 ℃ ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ [N-channel] ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 V(BR)DSS IDSS min 60 ID=1mA, VGS=0 typ VDS=60V, VGS=0 max unit V 1 µA 次ページへ続く。 単体品名表示：W359 外形図 2129 (unit : mm) 5 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 1 4 5.0 2 3 4 (Top view) 0.595 1.27 0.43 0.2 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 0.1 1 6.0 6 4.4 7 1.5 8 5 0.3 8 1.8max 電気的接続図 SANYO : SOP8 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 22004 TS IM ◎佐藤 TA-100552 No.7549-1/6 FW359 前ページより続く。 min ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 VGS= ± 16V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA typ max unit 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 VDS=10V, ID=3A ID=3A, VGS=10V 入力容量 RDS(on)2 Ciss ID=1.5A, VGS=4V VDS=20V, f=1MHz 150 300 出力容量 帰還容量 Coss Crss VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz 54 34 pF pF ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 指定回路において 〃 8 23 ns ns ターンオフ遅延時間 下降時間 td(on) tr td(off) tf 〃 〃 30 40 ns ns 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 Qg Qgs VDS=30V, VGS=10V, ID=3A 7.8 2.4 nC nC ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qgd VSD IS=3A, VGS=0 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 V(BR)DSS IDSS ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 60V, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 IGSS VGS(off) VGS= ± 16V, VDS=0 VDS= − 10V, ID= − 1mA 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 yfs RDS(on)1 VDS= − 10V, ID= − 3A ID= − 3A, VGS= − 10V 入力容量 RDS(on)2 Ciss 出力容量 帰還容量 Coss Crss ID= − 1.5A, VGS= − 4V VDS= − 20V, f=1MHz VDS= − 20V, f=1MHz VDS= − 20V, f=1MHz ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 td(on) tr 指定回路において 〃 ターンオフ遅延時間 下降時間 〃 〃 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 td(off) tf Qg Qgs ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qgd VSD 1.2 2.8 [P-channel] 4 110 min ± 10 2.6 µA V 145 S mΩ 215 mΩ pF 1.7 0.86 1.2 nC V typ max unit − 60 − 1.2 4 5.5 110 145 990 ± 10 − 2.6 µA V 145 S mΩ 205 mΩ pF 110 76 pF pF 12 70 ns ns 100 70 ns ns 22 4 nC nC 4 − 0.86 nC V VDS= − 30V, VGS= − 10V, ID= − 3A IS= − 3A, VGS=0 −1 V µA − 1.2 スイッチングタイム測定回路図 [N-channel] [P-channel] VDD=30V VIN VDD= --30V VIN 10V 0V 0V --10V ID=3A RL=10Ω VIN D ID=3A RL=10Ω VIN D VOUT PW=10µs D.C.≦1% VOUT PW=10µs D.C.≦1% G G FW359 P.G 50Ω S FW359 P.G 50Ω S No.7549-2/6 FW359 ID -- VGS 5 0.5 0 0.3 0.4 0.5 0.6 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V [Nch] Ta=25°C 280 260 240 220 200 180 ID=1.5A 160 3A 140 120 100 80 60 40 20 0 0 2 4 6 8 10 12 14 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 16 [Nch] 5 2 3 °C --25 2.5 3.0 3.5 4.0 IT06042 [Nch] 280 260 240 220 200 , 1.5A I D= 180 160 140 =4V VGS , 3.0A I D= 120 100 =10V VGS 80 60 40 20 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 IT06044 IF -- VSD [Nch] VGS=0 3 2 2 °C 75 1.0 2.0 RDS(on) -- Ta 300 10 7 5 順電流, IF -- A = Ta 5°C 1.5 周囲温度, Ta -- °C VDS=10V 7 1.0 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT06043 yfs -- ID 10 0.5 IT06041 RDS(on) -- VGS 300 0 0.7 7 5 1.0 7 5 5°C 25°C --25°C 0.2 3 2 3 0.1 7 5 2 3 Ta=7 0.1 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 2 1 0 順伝達アドミタンス, yfs -- S 3 75° C --25° C 1.0 4 25 °C Ta= VG ドレイン電流, ID -- A 1.5 Ta= --2 .0V 10 V V 8 .0 2.0 V .5 =3 S 4.0 5.0 V V 6.0 ドレイン電流, ID -- A 2.5 [Nch] VDS=10V 75° C 6 5°C [Nch] 25 °C ID -- VDS 3.0 2 0.1 0.01 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 SW Time -- ID [Nch] 5 tf 2 10 td(on) 7 tr 5 3 2 1.0 0.1 0.6 0.8 1.0 1.2 IT06046 [Nch] f=1MHz 7 5 td(off) 3 0.4 Ciss, Coss, Crss -- VDS 1000 VDD=30V VGS=10V 7 0.2 ダイオード順電圧, VSD -- V Ciss, Coss, Crss -- pF スイッチングタイム, SW Time -- ns 100 0 5 7 10 IT06045 ドレイン電流, ID -- A Ciss 3 2 100 7 5 Coss Crss 3 2 10 2 3 5 7 1.0 2 ドレイン電流, ID -- A 3 5 7 10 IT06047 0 10 20 30 40 50 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 60 IT06048 No.7549-3/6 FW359 VGS -- Qg 10 [Nch] 8 ドレイン電流, ID -- A 7 6 5 4 3 2 3 4 7 8 9 ID -- VDS [Pch] 0V V -4 . --6.0 3 5 7 1.0 2 3 on 5 7 10 2 3 5 7 100 IT06061 ID -- VGS [Pch] --4 --2 Ta= 75°C --25°C --3 25° C --5 . ドレイン電流, ID -- A 0V --8. 0V .0V VGS= --3.0V 0 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 [Pch] Ta=25°C 450 400 350 300 --3.0A 250 ID= --1.5A 100 50 0 --2 --4 --6 --10 --8 --12 --14 ゲート・ソース電圧, VGS -- V --16 [Pch] --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 IT06053 RDS(on) -- Ta [Pch] 280 260 240 220 --4V S= G V , 5A --10V --1. = S= ID VG , A --3.0 I D= 200 180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 IT06055 IF -- VSD --10 7 5 °C [Pch] VGS=0 3 2 順電流, IF -- A C 5° -2 = Ta °C 75 1.0 --2.0 周囲温度, Ta -- °C 25 2 --1.5 300 IT06054 yfs -- ID 3 --1.0 ゲート・ソース電圧, VGS -- V VDS= --10V 5 --0.5 IT06052 RDS(on) -- VGS 0 0 --1.0 7 5 --1.0 7 5 3 2 3 --0.1 7 5 2 3 --25°C --0.2 75°C 25°C --0.1 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ati --5 500 7 2 --6 . -3 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 10 er Ta=25°C 1パルス セラミック基板(2000mm2×0.8mm)装着時 --1 150 op ドレイン・ソース電圧, VDS -- V --0.5 200 s s VDS= --10V --1.0 0 0 DC Operation in this area is limited by RDS(on). 5V --2.0 --1.5 0m 10 0.01 0.1 10 IT06049 --10 ドレイン電流, ID -- A 6 総ゲート電荷量, Qg -- nC --3.0 --2.5 5 ms 10 3 2 3 2 1 10 1.0 7 5 1 0 ≦10µs 10 0µ s 1m s ID= --3A 3 2 2 0 順伝達アドミタンス, yfs -- S 10 7 5 0.1 7 5 [Nch] IDP= --14A Ta= ゲート・ソース電圧, VGS -- V 9 ASO 3 2 VDS=30V ID=3A 2 0.1 --0.01 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 ドレイン電流, ID -- A 2 3 5 7 --10 IT06056 0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 ダイオード順電圧, VSD -- V --1.2 IT06057 No.7549-4/6 SW Time -- ID 1000 7 5 [Pch] VDD= --30V VGS= --10V td(off) tf 100 7 5 tr 3 2 td(on) 10 7 5 3 2 Coss 100 7 5 Crss 3 2 2 10 2 3 5 7 2 --1.0 3 5 ドレイン電流, ID -- A VGS -- Qg --10 0 7 --10 IT06058 [Pch] ドレイン電流, ID -- A --6 --5 --4 --3 15 20 25 30 2.4 2.2 s DC Operation in this area is limited by RDS(on). 2 s op er ati on 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT06062 PD -- Ta [Nch, Pch共通] セラミック基板(2000mm2×0.8mm)装着時, PW≦10s 2.2 2.0 10 Ta=25°C 1パルス セラミック基板(2000mm2×0.8mm)装着時 1unit 2.5 セラミック基板(2000mm2×0.8mm)装着時, PW≦10s ≦10µs 10 0µ 1m s s 10 ms 0m --0.01 --0.1 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT06060 PD(FET 1) -- PD(FET 2) [Nch, Pch共通] --60 IT06059 10 3 2 3 2 10 --50 [Pch] --1.0 7 5 --1 5 --40 ID= --3A 3 2 --2 0 --30 IDP= --14A --10 7 5 --0.1 7 5 0 --20 ASO 3 2 --8 --7 --10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V VDS= --30V ID= --3A --9 ゲート・ソース電圧, VGS -- V Ciss 1000 7 5 3 1.0 --0.1 2.0 1.8 許容損失, PD -- W 許容損失(FET 1), PD -- W [Pch] f=1MHz 3 2 3 2 Ciss, Coss, Crss -- VDS 10000 7 5 Ciss, Coss, Crss -- pF スイッチングタイム, SW Time -- ns FW359 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 1.8 全 損 1u 失 ni t 1.5 1.0 0.6 0.5 0.4 0.2 0 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 許容損失(FET 2), PD -- W 2.0 2.2 2.4 IT06063 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 160 IT06064 No.7549-5/6 FW359 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7549-6/6