PNP SILICON 汕头华汕电子器件有限公司 TRANSISTOR 对应国外型号 BC557 H557 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 开关、视频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ P C ——集电极耗散功率…………………………………500mW 1―集电极，C 2―基 极，B 3―发射极，E V CBO ——集电极—基极电压………………………………-50V V CEO ——集电极—发射极电压……………………………-45V V E B O ——发射极—基极电压……………………………-5V I C ——集电极电流………………………………………-100mA █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO HFE VCE(sat1) VCE(sat2) 集电极—基极击穿电压 -50 集电极—发射极击穿电压 -45 发射极—基极击穿电压 -5 集电极—基极截止电流 直流电流增益 110 集电极—发射极饱和电压 VBE(sat1) VBE(sat2) VBE(on1) VBE(on2) fT 基极—发射极饱和电压 Cob 基极—发射极导通电压 特征频率 输出电容 典型值 -90 -250 -700 -900 -660 最大值 单 位 V V V nA -15 800 -300 -650 mV mV mV mV mV mV MHz pF -750 -800 150 6 █ 分档及其标志 A B C 110—220 200—450 420—800 测 试 条 件 IC=-100μA，IE=0 IC=-10mA，IB=0 IE=-100μA，IC=0 VCB=-30V,IE=0 VCE=-5V,IC=-2mA IC=-10mA,IB=-0.5mA IC=-100mA,IB=-5mA IC=-10mA,IB=-0.5mA IC=-100mA,IB=-5mA VCE=-5V,IC=-2mA VCE=-5V,IC=-10mA VCE=-5V,IC=-10mA，f=1MHz VCE=-10V,IC=0,f=1MHz