注文コード No. N 7 2 6 7 CPH5809 No. N 7 2 6 7 83002 新 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5809 特長 DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の N チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間 が短く、低順電圧のショットキバリアダイオードを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高 密度実装が可能である。 ・CPH5809 は、MCH3411 相当のチップと SBS005 相当のチップを同一ケース内に収容したものである。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ [MOSFET 部] unit ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 VDSS VGSS 30 ± 10 V V ドレイン電流（DC） ドレイン電流（パルス） ID IDP 3 12 A A 許容損失 チャネル温度 PD Tch 0.9 150 W ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼＋ 125 ℃ [SBD 部] 繰り返しピーク逆電圧 VRRM 30 unit V 非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM 平均整流電流 IO 30 1 V A 10 − 55 ∼＋ 125 A ℃ − 55 ∼＋ 125 ℃ PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit サージ電流 接合部温度 IFSM Tj 保存周囲温度 Tstg 50Hz 正弦波 1 サイクル 単体品名表示：QK 電気的接続図 3 外形図 2171 (unit : mm) 2.9 5 4 0.15 3 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 1.6 0.05 0.6 1 2 0.4 0.2 0.95 0.7 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途（生命維持装置、航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 0.6 (Top view) 0.2 2 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 2.8 1 4 0.4 0.9 5 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode SANYO : CPH5 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 83002 TS IM ◎佐藤 TA-3482 No.7267-1/5 CPH5809 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ [MOSFET 部] min typ max unit 1 V µA ± 10 1.3 µA V 90 S mΩ ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 V(BR)DSS IDSS ID=1mA, VGS=0 VDS=30V, VGS=0 30 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 IGSS VGS(off) VGS= ± 8V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 yfs RDS(on)1 VDS=10V, ID=1.5A ID=1.5A, VGS=4V 入力容量 RDS(on)2 Ciss ID=1A, VGS=2.5V VDS=10V, f=1MHz 84 270 出力容量 帰還容量 Coss Crss VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 38 23 pF pF ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 td(on) tr 指定回路において 〃 10 30 ns ns ターンオフ遅延時間 下降時間 td(off) tf 〃 〃 42 52 ns ns 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 Qg Qgs VDS=10V, VGS=4V, ID=3.0A 3.7 0.7 nC nC ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qgd VSD IS=3.0A, VGS=0 逆電圧 順電圧 VR VF1 IR=1mA IF=0.5A 逆電流 VF2 IR IF=1A VR=15V 端子間容量 逆回復時間 C trr 熱抵抗 Rthj-a VR=10V, f=1MHz サイクル IF=IR=100mA, 指定回路において セラミック基板(600mm2 × 0.8mm) 装着時 0.4 3.5 [SBD 部] 5.0 69 min trr 指定回路図 [MOSFET 部] [SBD 部] VDD=15V 1.2 nC V typ max unit 0.35 0.4 V V 0.42 0.47 500 V µA 15 pF ns 110 ℃/W Duty≦10% VOUT PW=10µs D.C.≦1% 100Ω 10µs 10Ω 10mA 100mA 50Ω 100mA ID=1.5A RL=10Ω D 0.5 0.85 35 4V 0V VIN mΩ pF 30 スイッチングタイム測定回路図 VIN 118 --5V G trr CPH5809 P.G 50Ω S No.7267-2/5 CPH5809 0 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT04632 RDS(on) -- VGS [MOSFET部] 300 Ta=25°C 250 200 150 1.5A 100 ID=1.0A 50 0 0 2 4 6 8 10 0 1.0 12 °C C 5° -2 C = ° Ta 75 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50 150 125 V =2.5 , VGS A 0 . 1 V I D= =4.0 A, VGS 5 . 1 I D= 100 75 50 25 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 IF -- VSD 140 IT04635 [MOSFET部] VGS=0 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 0.01 7 5 3 2 3 2 0.01 0.001 70.001 2 3 5 70.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 ドレイン電流, ID -- A SW Time -- ID 2 3 5 0 0.2 IT04636 [MOSFET部] Ciss, 1000 VDD=15V VGS=4V 0.4 0.6 0.8 1.0 f=1MHz 5 td(off) tf 5 3 1.2 ダイオード順電圧, VSD -- V IT04637 Coss, Crss -- VDS [MOSFET部] 7 Ciss, Coss, Crss -- pF スイッチングタイム, SW Time -- ns 0.75 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT04633 RDS(on) -- Ta [MOSFET部] 10 7 5 3 2 VDS=10V 25 0.50 周囲温度, Ta -- °C ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT04634 [MOSFET部] yfs -- ID 3 2 0.25 Ta= 75 ° 25° C --25 C °C 0.3 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0.2 順電流, IF -- A ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0.1 10 7 5 順伝達アドミタンス, yfs -- S 25°C VGS=1.0V 0 0 7 2 1 0.5 100 3 75°C --25° C 1.0 VDS=10V Ta= ドレイン電流, ID -- A 1.5 [MOSFET部] 25°C 75°C 2.0V 1.5 V 2.5V 4 4.5V .0V 2.0 ID -- VGS 5 4 10.0V ドレイン電流, ID -- A 2.5 [MOSFET部] Ta= --25° C ID -- VDS 3.0 2 tr td(on) 10 7 5 Ciss 3 2 100 7 5 Coss 3 Crss 2 3 2 10 7 0.1 2 3 5 7 1.0 ドレイン電流, ID -- A 2 3 5 IT04638 0 5 10 15 20 25 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 30 IT04639 No.7267-3/5 CPH5809 VGS -- Qg [MOSFET部] VDS=10V ID=3A 4 3 2 1 0 0.5 1.0 2.0 2.5 3.0 3.5 0.9 ID=3A 3 2 10 D C 1.0 7 5 s 0m op s er 3 2 s m 10 0µ s 1m at io n Operation in this area is limited by RDS(on). 0.1 7 5 Ta=25°C 1パルス セラミック基板(600mm2×0.8mm)装着時 1unit 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IF -- VF 1.0 5 IT04654 [SBD部] 7 セ 5 ラ ミ ッ ク 3 順電流, IF -- A 基 板 (6 0.6 00 m m2 × 0. 8m 0.4 m )装 2 0.1 7 125 ° 100 C °C 75° C 50°C 25°C 0.8 5 時 Ta= 着 0.2 3 1u ni 2 t 0.01 0 0 20 40 60 80 100 120 140 周囲温度, Ta -- °C 1.0 0.9 5°C 平均順電力損失, PF(AV) -- W 100°C 75°C 1.0 7 5 3 2 0.1 0.2 50°C 25°C 0.1 7 5 3 2 0.3 0.8 10 15 20 25 (1) 0.6 0.5 0.4 方形波 θ 0.3 360° 0.2 正弦波 0.4 0.6 180° 360° 1.0 0.8 1.2 平均順電流, IO -- A [SBD部] 1.4 IT00629 IS -- t 12 f=1MHz [SBD部] 電流波形 50Hz正弦波 サージ順電流, IS(ピーク値) -- A 7 5 3 2 100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 1.0 0.2 IT00628 C -- VR 1000 0 30 逆電圧, VR -- V [SBD部] (3) (2) (4) 0.7 0 0.01 5 0.5 IT00627 PF(AV) -- IO (1)方形波 θ=60° (2)方形波 θ=120° (3)方形波 θ=180° (4)正弦波 θ=180° 0.1 0 0.4 順電圧, VF -- V [SBD部] Ta=12 10 7 5 3 2 0 160 IT04655 IR -- VR 100 7 5 3 2 逆電流, IR -- mA ＜10µs 10 0.01 0.01 4.0 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT04640 PD -- Ta [MOSFET部] 1.0 許容損失, PD -- W 1.5 [MOSFET部] IDP=12A 10 7 5 3 2 0 端子間容量, C -- pF ASO 3 2 ドレイン電流, ID -- A ゲート・ソース電圧, VGS -- V 5 Is 10 20ms t 8 6 4 2 0 2 3 5 7 10 逆電圧, VR -- V 2 3 5 IT00630 7 0.01 2 3 5 7 0.1 2 時間, t -- s 3 5 7 1.0 2 3 IT00631 No.7267-4/5 CPH5809 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7267-5/5