SANYO 2SK3614

注文コード No. N 7 4 2 2
2SK3614
No.
N7422
91603
新
2SK3614
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・超オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
ID
IDP
許容損失
PD
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
unit
60
± 20
V
V
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
4
16
A
A
セラミック基板(250mm2 × 0.8mm)装着時
Tc=25℃
1.5
3.5
W
W
150
− 55 ∼+ 150
℃
℃
min
max
unit
1
V
µA
± 10
2.6
µA
V
145
S
mΩ
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=60V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
yfs
RDS(on)1
VDS=10V, ID=2A
ID=2A, VGS=10V
入力容量
RDS(on)2
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ID=2A, VGS=4V
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
typ
60
1.2
2
3.6
110
150
300
215
mΩ
pF
54
34
pF
pF
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単体品名表示:LK
外形図 2062A
(unit : mm)
4.5
1.6
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
2.5
4.25max
0.4
1.0
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途(生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
1.5
0.5
3
1.5
2
1
0.4
3.0
(Bottom view)
0.75
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : PCP
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
91603 TS IM ◎佐藤 TA-3952 No.7422-1/4
2SK3614
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min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS=30V, VGS=10V, ID=4A
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
IS=4A, VGS=0
typ
max
unit
指定回路において
〃
8
16
ns
ns
〃
〃
32
34
ns
ns
7.8
2.4
nC
nC
1.7
0.86
1.2
nC
V
スイッチングタイム測定回路図
VDD=30V
VIN
10V
0V
ID=2A
RL=15Ω
VOUT
VIN
D
PW=10µs
D.C.≦1%
G
2SK3614
50Ω
S
3
2
6
5
4
3
2
1
°C
25
0
0.2
0.4
0.6
0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
1.0
RDS(on) -- VGS
300
Tc=25°C
ID=2A
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0
1
18
20
IT05835
2
3
4
5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT05833
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
--25
Tc
1
0
VDS=10V
75°
C
--25°
C
Tc=
ドレイン電流, ID -- A
V 8
.0
.0
4
7
°C
0V
V
6.
5
V
V
4.0
=3.5
VGS
10
ドレイン電流, ID -- A
5
ID -- VGS
8
.0V
25°
C
ID -- VDS
6
=7
5°
C
P.G
6
IT05834
RDS(on) -- Tc
300
280
260
240
220
200
,
2A
I D=
180
160
=4V
V GS
V
=10
VGS
2A,
140
I D=
120
100
80
60
40
20
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
ケース温度, Tc -- °C
120
140
160
IT05836
No.7422-2/4
2SK3614
yfs -- ID
10
5
7
5
C
5° C
-2
°
=
75
Tc
3
2
3
0.1
7
5
0.01
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
0
5 7 10
IT05837
ドレイン電流, ID -- A
5
tf
2
td(on)
7
tr
5
0.8
1.0
1.2
IT05838
f=1MHz
5
3
10
0.6
7
Ciss, Coss, Crss -- pF
td(off)
0.4
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
VDD=30V
VGS=10V
7
0.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
SW Time -- ID
100
スイッチングタイム, SW Time -- ns
3
2
3
2
°C
25
2
5°C
25°C
--25°C
1.0
1.0
7
5
Tc=7
2
0.1
0.01
3
Ciss
3
2
100
7
Coss
Crss
5
3
2
2
10
1.0
0.1
2
3
5
7
2
1.0
3
5
ドレイン電流, ID -- A
0
7
10
IT05839
ドレイン電流, ID -- A
8
7
6
5
4
3
4
5
6
7
8
9
Tc=25°C
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT05841
PD -- Ta
2.0
30
IT05840
Operation in this area
is limited by RDS(on).
0.01 1パルス
0.01 2 3 5 7 0.1
0
3
ID=4A
3
2
3
2
総ゲート電荷量, Qg -- nC
25
<10µs
10
0µ
s
1m
s
10
m
D 100 s
C
op ms
er
at
io
n
1.0
7
5
1
2
20
3
2
2
1
15
IDP=16A
10
7
5
0.1
7
5
0
10
ASO
3
2
VDS=30V
ID=4A
9
5
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VGS -- Qg
10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VGS=0
3
2
3
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
7
IF -- VSD
10
7
5
VDS= --10V
5 7 100
IT05842
PD -- Tc
4.0
3.5
3.0
セ
許容損失, PD -- W
許容損失, PD -- W
1.5
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
(2
1.0
50
m
m2
×
0.8
m
0.5
m
2.5
2.0
1.5
1.0
)装
着
時
0.5
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT05843
0
20
40
60
80
100
ケース温度, Tc -- °C
120
140
160
IT05844
No.7422-3/4
2SK3614
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PS No.7422-4/4