Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T S Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C ... tvj max VRRM 3500, 4000 V 4500 Stoßspitzensperrspannung non-repetetive peak reverse voltage tvj = +25°C ... tvj max VRSM 3600, 4100 V 4600 Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current IFRMSM 2700 A 1460 A 1720 A Dauergrenzstrom mean forward current tC = 85°C, f = 50Hz tC = 70°C, f = 50Hz IFAVM Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = tvj max, tp = 10ms IFSM Grenzlastintegral 2 I t-value tvj = tvj max, tp = 10ms It Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten repetitive decay rate of on-state current at turn-of iFM = 3000A, vR = 0,67 VRRM CS = 3µF, RS = 4Ω (-diF/dt)com 32 kA 2 6 5,12-10 2 As 500 A/µs DS = D291S45T Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage failure rate λ < 100 Durchlaßspannung forward voltage VR(D) typ. tvj = tvj max, iF = 2500A vF max Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max V(TO) 1,43 V Ersatzwiderstand forward slope resistance tvj = tvj max rT 0,38 mΩ Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage tvj = tvj max, diF/dt = 500A/µs VFRM Sperrstrom reverse current tvj = tvj max, vR = VRRM iR Rückstromspitze peak reverse recovery current tvj = tvj max iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs vR = 1000V, CS = 3,3µF, RS = 5Ω IRM max 840 A Sperrverzögerungsladung recovered charge tvj = tvj max iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs vR = 1000V, CS = 3,3µF, RS = 5Ω Qr max 2800 µAs SZ-M / 16 June 1997, Beuermann 2000 V estimate value 2,5 V typ. 45 V 200 mA Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T S Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC RthJC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided RthCK max max max 0,0125 °C/W 0,0228 °C/W 0,0277 °C/W max max 0,003 °C/W 0,006 °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 140 °C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+140 °C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 Anpreßkraft clampig force F Gewicht weight G 27...45 kN typ 850 g Kriechstrecke creepage distance 30 mm Luftstrecke air distance 20 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz C 2 50 m/s Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T S Outline Drawing ∅ 100 max 26+-0.5 A C ∅ 62,8 2 center holes ∅ 3.5 ×1.8 SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T S On-State Characteristics ( v F ) Upper limit of scatter range t vj = 140 °C 3500 typ. max. 3000 2500 IF / [ A ] 2000 1500 1000 500 0 0,00 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 VF / [V] SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T S Transient thermal Impedance for constant-current 1 2 3 4 5 Σ Double side cooled r [K/W] [s] 0,0038 2 0,004 0,202 0,0029 0,103 0,0012 0,0115 0,0006 0,00245 0,0125 - Anode side cooled r [K/W] [s] 0,0141 9,2 0,004 0,202 0,0029 0,103 0,0012 0,0115 0,0006 0,00245 0,0228 - Cathode side cooled r [K/W] [s] 0,019 7,9 0,004 0,202 0,0029 0,13 0,0012 0,0115 0,0006 0,00245 0,0277 - 0,05 Z thJC = ∑ n =1 Rthn ⋅(1 − e − t /τ n ) nmax 0,045 0,04 Cathode side 0,03 Anode side 0,025 0,02 Double side Z (th) JC / [K/W] 0,035 0,015 0,01 0,005 0,001 0,01 0,1 1 10 0 100 t / [sec.] SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page 5 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T S Surge Current Characteristics I FSM = f ( tp ) I²t value i2 dt = f ( tp ) 1,E+07 1,E+04 1,E+06 1,E+03 1,E+05 100 _____ I FSM / [A] 1,E+05 i²dt / [A²s] Sine half-wave, t vj =140 °C , v R = 0 0,1 1 10 Time / [ms] SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page 6 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T S Reverse Recovery Current IRM = f ( - di/dt ) Upper limit of scatter range Conditions : tvj = 140 °C Cs = 3 µF, Ds = D291S45T VR >= 1000 V Parameter: IFM 1400 3000A 1000A 1200 500A 300A 800 100A IRM / [A] 1000 600 400 200 0 0 100 200 300 400 500 600 di/dt / [A/µs] SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page 7 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T S Reverse Recovery Charge Qrr = f ( - di/dt ) Upper limit of scatter range tvj = 140 °C Cs = 3 µF, Ds = D291S45T VR >= 1000 V Conditions: Parameter: IFM 4500 3000A 4000 1000A 3500 500A 3000 QRR / [µAs] 300A 2500 2000 1500 100A 1000 500 0 0 100 200 300 400 500 600 di/dt / [A/µs] SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page 8 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T S Reverse Recovery Energy Eoff = f ( - di/dt ) Standard value for diodes with VT(T0) = 1,43 V, rT = 0,38 mΩ tvj = 140 °C Cs = 3 µF, Ds = D291S45T Conditions: Parameter: IFM VR = 2000 V - - - VR = 3000 V ____ 3 2,5 3000A 1000A W OFF / [WS] 2 500A 1,5 300A 1 100A 0,5 0 0 100 200 300 400 500 600 di/dt / [A/µs] SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page 9 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T S Reverse Recovery Energy Eoff = f ( - di/dt ) Standard value for diodes with VT(T0) = 1,12 V, rT = 0,39 mΩ tvj = 140 °C Cs = 3 µF, Ds = D291S45T Conditions: Parameter: IFM VR = 2000 V - - - VR = 3000 V ____ 3 3000A 1000A 2,5 500A W OFF / [Ws] 2 300A 1,5 1 100A 0,5 0 0 100 200 300 400 500 600 di/dt / [A/µs] SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page 10 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T S Typical Peak Forward Recovery Voltage VFRM = f (diF/dt) linear di/dt Parameter tvj 60 140°C 50 VFRM / [V] 40 30 25°C 20 10 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 di/dt / [A/µs] SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page 11