华晶分立器件 3DA1569 高频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DA1569 硅 NPN 型高频高压大功率晶体管 适用于彩色电视机色输出电路及行推动电路 其 特点如下 击穿电压高 反向漏电流小 饱和压降低 封装形式 TO-220AB 2 电特性 4.8max 10.7max 6.9max 额定值 300 300 5 0.15 1.5 12.5 150 -55 150 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A 16.5max 符号 VCB0 VCE0 VEB0 IC 12.5min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 1.4max 3.84 1.27 1.2max W 2.67 2.54 2.54 B C 0.4max E 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 ICB0 发射极-基极截止电流 IEB0 共发射极正向电流传输比 hFEa 的静态值 集电极-发射极饱和电压 VCEsata 特征频率 fT a 脉冲测试 tp 300 s, 2% 测 试 条 件 VCB=300V, IE=0 VEB=5V, IC=0 R O IC=100mA, IB=20mA VCE=10V, IC=30mA VCE=10V IC=50mA 规 范 值 最小 典型 最大 10 1 40 100 80 170 1 40 单位 A A V MHz 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DA1569 3 特性曲线 安全工作区(直流) Ptot - T 关系曲线 IC (A) Ptot (W) Tcase=25 12 Ptot-Tcase 0.1 9 6 0.01 3 Ptot-Tam 0.001 1 0 10 VCE (V) 100 0 hFE - IC 关系曲线 hFE VCEsat (V) Tamb=25 VCE=10V 1 10 0.1 1 0.01 0.1 TC ( ) 100 VCEsat - IC 关系曲线 100 0.001 50 Ic (A) 第 2 页 0.01 0.001 共 2 页 Tamb=25 IC/IB=5 0.01 Ic (A)