华晶分立器件 3DA5108 高频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DA5108 硅 NPN 型微波大功率振荡晶体管 主要用于 L 波段微波功率振荡 其特点如下 特征频率高 漏电流小 低温工作性能好 饱和压降低 电流特性好 8.64 9.39 封装形式 B4(A3-02B) 2 电特性 45 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A 8.50 6.60 8.01 6.10 额定值 55 35 4 0.4 1.0 3.5 150 -55 150 25.0 符号 VCE0 VCB0 VEB0 IC W 12.5 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 E B C 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 ICB0 IEB0 VCB=30V IE= 0 VEB=3V IC= 0 hFE VCE=5V IC=20 mA VCE sat IC=100mA IB=10 mA VCE=10V IC=30 mA f=400MHz VCB=24V IE=0 f=1MHz 特征频率 fT 输出电容 Cob 测 试 条 件 规 范 值 最小 典型 最大 0.1 0.1 50 单位 mA mA 150 0.5 1200 V MHz 5 pF 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DA5108 3 特性曲线 Ptot - T 关系曲线 安全工作区(直流) Ptot (W) IC (A) Tcase=25 4 0.1 3 Ptot -Tcase 2 0.01 Ptot -Tamb 1 0.001 0.1 0 1 VCE(V) 10 0 100 50 T( ) VCEsat - IC 关系曲线 hFE - IC 关系曲 hFE VCEsat (V) Tamb=25 IC/IB=10 Tamb=25 VCE=10V 1 100 0.1 10 0.001 0.01 0.1 IC(A) 第 2 页 0.01 0.01 共 2 页 0.1 IC(A)