华晶分立器件 3DG2482 高频放大环境额定双极型晶体管 1 概述与特点 2.1 3DG2482 硅 NPN 型高频小功率晶体管 适用于彩色电视机色输出电路 其特点如下 击穿电压高 反向漏电小 饱和压降低 封装形式 TO-92MOD 2 电特性 符号 VCB0 VCE0 VEB0 IC Ptot Tj Tstg 额定值 300 300 7 100 0.9 150 -55 150 5.1max 8.7max 6.1max 单位 V V V mA W 12.7min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 耗散功率(Ta=25 ) 结温 贮存温度 0.5 1.45 0.5 1.45 E C B 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 ICB0 IEB0 VCB=300V, IE=0 VEB=7V, IC=0 hFE VCE=5V, IC=200mA VCEsat 特征频率 fT 共基极输出电容 Cob 测 试 条 件 O Y IC=10mA, IB=1mA VCE=10V, IC=20mA f=10MHz VCB=10V, IE=0 f=1MHz 规 范 值 最小 典型 最大 1 1 70 140 100 200 1.0 50 单位 A A V MHz 5 pF 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DG2482 3 特性曲线 Ptot-Tamb 关系曲线 IC-VCE 关系曲线 IC(mA) Ptot (W) 250µA 40 0.90 200µA 150µA 20 0.45 100µA IB=50µ 0 0 hFE 4 8 VCE (V) 12 0 hFE-IC 关系曲线 100 T( ) VCEsat-IC 关系曲线 Tamb=25 VCE=10V VCEsat (V) 100 1 10 0.1 1 0.001 50 Tamb=25 IC/IB=10 0.01 0.01 0.1 IC (A) 第 2 页 0.01 共 2 页 0.1 IC (A)