ETC 3DD13003K8

华晶分立器件
3DD13003 K8
低频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3DD13003K8 硅 NPN 型功率开关晶体管 主要用于电子节能灯 电子镇流器的功率开关电路
其特点如下
具有击穿电压高 漏电流小
开关速度快
4.8max
饱和压降低 电流特性好
10.7max
1.4max
温度特性好
3.84
封装形式 TO-220AB
符号
VCE0
VCB0
VEB0
IC
额定值
400
700
9
1.5
2
50
150
-55 150
Ptot
Tj
Tstg
单位
V
V
V
A
6.9max
12.5min
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
Ta=25
耗散功率
Tc=25
结温
贮存温度
16.5max
2 电特性
W
2.54
2.54
0.56m
B C E
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
小电流下 hFE1 与大电流下
hFE2 比值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
下降时间
贮存时间
ICB0
IEB0
VCB=700V, IE=0
VEB=9V, IC=0
hFEa
VCE=5V, IC=0.5A
hFE1/
hFE2
VCE sata
VBE sata
tf
ts
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp 300 s,
测 试 条 件
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2.VCE=5V, IC=250mA
IC=1A, IB=0.25A
IC=1A, IB=0.25A
VCC=100V, IC=1A
IB1=-IB2=0.2A
VCE=10V, IC=100mA
f=1MHz
规 范 值
最小 典型 最大
0.1
0.1
8
0.75
单位
mA
mA
40
0.9
0.8
1.2
0.5
2.5
5
V
V
s
s
MHz
2%
无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号
电话
0510 5807228-2268 2299
第 1 页
共 2 页
传真
0510 5800360
华晶分立器件
3DD13003 K8
3 特性曲线
安全工作区(直流)
Ptot (W)
IC (A)
Tcase=25
Ptot - T 关系曲线
Ptot - Tcase
40
1
30
20
0.1
10
Ptot - Tamb
0.01
1
hFE
10
0
0
VCE (V)
100
hFE - IC 关系曲线
VBEsat (V)
50
T( )
100
VBEsat - IC 关系曲线
Tamb=25
VCE=5V
Tamb=25
IC/IB=4
1.2
10
0.8
1
0.01
VCesat (v)
0.1
IC (A)
1
1
VCEsat - IC 关系曲线
Tamb=25
IC/IB=4
1
0.1
0.1
1
IC(A)
第 2 页
共 2 页
10 IC (A)