ETC 3DG2383

华晶分立器件
3DG2383
高频放大环境额定双极型晶体管
1 概述与特点
2.1
3DG2383 硅 NPN 型高频高压小功率晶体管 适用于一般高频放大电路 其特点如下
电流容量大
饱和压降低
击穿电压高
封装形式 TO-92MOD
2 电特性
符号
VCE0
VCB0
VEB0
IC
Ptot
Tj
Tstg
额定值
160
160
6
1.0
0.9
150
-55 150
单位
V
V
V
A
W
12.7min
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
耗散功率(Ta=25 )
结温
贮存温度
5.1max
8.7max
6.1max
0.5
1.45
0.5
1.45
E
C
B
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
测 试 条 件
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
ICB0
IEB0
VCB=150V, IE=0
VEB=6V ,IC=0
共发射极正向电流传输比
的静态值
hFE
VCE=5V,
IC=200mA
集电极-发射极饱和电压
特征频率
VCEsat
fT
R
O
Y
IC=500mA, IB=50mA
VCE=5V ,IC=200mA
规 范 值
最小 典型 最大
1
1
60
120
100
200
160
320
1.5
20
单位
A
A
V
MHz
无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号
电话
0510 5807228-2268 2299
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传真
0510 5800360
华晶分立器件
3DG2383
3 特性曲线
IC-VCE 关系曲线
Ptot-Tamb 关系曲线
Ptot(W)
IC (A)
8m
0.8
0.90
0.6
0.45
0.4
2mA
0.2
0
IB=1mA
0
2
4
6
0
8 VCE (V)
50
T( )
VCEsat-IC 关系曲线
hFE-IC 关系曲线
hFE
100
Tamb=25
VCE=5V
VCEsat (V)
Tamb=25
IC/IB=10
1
100
0.1
10
0.001
0.01
0.1
IC (A)
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IC (A)