华晶分立器件 3CG6012 高频放大环境额定双极型晶体管 1 概述与特点 1.5 3CG6012 硅 PNP 型高频小功率晶体管 主要用于收音机及电子玩具中作小信号放大 其特点 如下 频率特性好 反向漏电流小 饱和压降低 电流特性好 封装形式 TO-92 2 电特性 额定值 20 40 5 0.5 0.625 150 -55 150 单位 V V V A W 4.2max 标志 2max 符号 VCE0 VCB0 VEB0 IC Ptot Tj Tstg 5.3max 5.3max 12.7min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 耗散功率(Ta=25 ) 结温 贮存温度 0.45 0.45 E 4B C 2.5 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 ICB0 IEB0 VCB=-25V, IE=0 VEB=-3V, IC=0 hFE VCE=-1V, IC=50mA VCE sat VBE sat 特征频率 fT 测 试 条 件 IC=400mA, IB=40mA IC=400mA, IB=40mA VCE=-6V, IC=20mA f=30MHz 最小 规 范 值 典型 最大 0.1 0.1 70 单位 A A 400 0.6 1.2 100 V V MHz 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3CG6012 3 特性曲线 hFE Ptot-Tamb 关系曲线 hFE-IC 关系曲线 Tamb=25 VCE=–1V Ptot (W) 0.60 0.45 100 0.30 0.15 10 0.001 VCEsat (V) 0.01 0.1 IC (A) 0 VCEsat-IC 关系曲线 100 T( ) VBEsat-IC 关系曲线 1 1.2 0.1 0.6 0.1 50 VBEsat (V) Tamb=25 IC/IB =10 0.01 0.01 0 IC (A) 第 2 页 0.01 共 2 页 Tamb=25 IC/IB=10 0.1 IC (A)