华晶分立器件 3CG966 高频放大环境额定双极型晶体管 1 概述与特点 2.1 3CG966 硅 PNP 型高频小功率晶体管 主要用于彩电电源振荡及低频放大电路 其特点如下 击穿电压低 饱和压降低 频率特性好 可靠性高 封装形式 TO-92MOD 2 电特性 符号 VCE0 VCB0 VEB0 IC Ptot Tj Tstg 额定值 30 30 5 1.5 0.9 150 -55 150 单位 V V V A W 12.7min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 耗散功率 结温 贮存温度 5.1max 8.7max 6.1max 0.5 1.45 0.5 1.45 E C B 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 ICB0(1) IEB0 VCE sat fT 集电极输出电容 Cob VCB=-30V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 O Y IC=1.5A, IB=30mA VCE=-2V, IC=500mA f=30MHz VCB=10V, IE=0 f=1MHz VCE=-2V IC=500mA hFE 特征频率 测 试 条 件 规 范 值 最小 典型 最大 0.1 0.1 100 200 160 320 2 100 单位 A A V MHz 40 PF 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DG965 3 特性曲线 Ptot – Tamb 关系曲线 IC-VCE 关系曲线 IC(A) Ptot (W) Tamb=25 0.8 0.60 0.45 0.4 0.30 0.15 0 0 2 6 4 8 VCE (V) 0 hFE - IC 关系曲线 hFE 30 60 90 120 VCEsat- IC 关系曲线 VCEsat (V) Tamb=25 VCE=2V Tamb=25 IC/IB=50 1 100 0.1 10 0.1 1 IC (A) 第 2 页 0.01 0.1 共 2 页 1 IC (A) T