桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC945 ■FEATRUES 特點 NPN General Purpose Transistor ■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值 CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 VCBO 60 Vdc VCEO 50 Vdc VEBO 5.0 Vdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Ic 150 mA Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 225 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 ■DEVICE MARKING 打標 GMC945(C945LT1)=CR HFE:120-220 200-400 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC945 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol Test Condition Min Typ Max Unit 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=60V, IE=0 — — 0.1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=5V, IC=0 — — 0.1 μA V(BR)CBO IC=100μA 60 — — V V(BR)CEO IC=1.0mA 50 — — V V(BR)EBO IE=100μA 5 — — V HFE VCE=6V, IC=1mA 120 — 400 — Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 VCE(sat) IC=100mA, IB=10mA — — 0.3 V Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 VBE(sat) IC=100mA, IB=10mA — — 1.0 V VBE VCE=5.0V, IC=10mA — — 0.8 V fT VCE=6.0V, IC=1mA — 250 — MHz Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Base-Emitter Saturation 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率