桂林斯壯微電子有限責任公司

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMC945
■FEATRUES
特點
NPN General Purpose Transistor
■MAXIMUM
RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
VCBO
60
Vdc
VCEO
50
Vdc
VEBO
5.0
Vdc
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
Ic
150
mA
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
PC
225
mW
Junction Temperature
結溫
Tj
150
℃
Storage Temperature Range
儲存溫度
Tstg
-55〜150
℃
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
■DEVICE
MARKING 打標
GMC945(C945LT1)=CR
HFE:120-220 200-400
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Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMC945
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol Test Condition Min
Typ
Max
Unit
符號
測試條件
最小值 典型值 最大值 單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
ICBO
VCB=60V,
IE=0
—
—
0.1
μA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
IEBO
VEB=5V,
IC=0
—
—
0.1
μA
V(BR)CBO
IC=100μA
60
—
—
V
V(BR)CEO
IC=1.0mA
50
—
—
V
V(BR)EBO
IE=100μA
5
—
—
V
HFE
VCE=6V,
IC=1mA
120
—
400
—
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
VCE(sat)
IC=100mA,
IB=10mA
—
—
0.3
V
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極飽和壓降
VBE(sat)
IC=100mA,
IB=10mA
—
—
1.0
V
VBE
VCE=5.0V,
IC=10mA
—
—
0.8
V
fT
VCE=6.0V,
IC=1mA
—
250
—
MHz
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓
DC Current Gain
直流電流增益
Base-Emitter Saturation
基極-發射極電壓
Transition Frequency
特徵頻率