桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBTA56 ■FEATURES 特點 PNP Low Frequency Amplifier Transistor ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值(Ta=25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base voltage 集電極-基極電壓 VCBO -80 Vdc -Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO -80 Vdc Emitter-Base voltage 發射極-基極電壓 VEBO -4.0 Vdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Ic -500 mAdc Base-Current 基極電流 IB -50 mAdc Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 300 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 GMBTA56(MMBTA56)=2GM 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBTA56 ■ELECTRICAL CHARACRTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=-80V,IE=0 — — -0.1 μA Collector Emitter Current 集電極發射極電流 ICES VCE=-80V, VBE=0 — — -0.1 μA V(BR)CBO IC=-100μA -80 — — V V(BR)CEO IC=-1.0mA -80 — — V V(BR)EBO IE=-100μA -4 — — V hFE(1) VCE=-1V, IC=-10mA 100 — — hFE(2) VCE=-1V, IC=-100mA 100 — — VCE(sat) IC=-100mA, IB=-10mA — — -0.25 V VBE(sat) IC=-100mA, IB=-10mA — — -1.2 V VBE VCE=-1V, IC=-100mA — — -1.2 V fT VCE=-1V, IC=-100mA 50 — — MHz Collect-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collect-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 Min. Typ. Max. Unit 最小值 典型值 最大值 單位 —