桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM1015(销售型號 S1015) ■FEATURES 特點 PNP General Purpose Transistor ■MAXIMUM RATINGS（TA=25℃）最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO -50 Vdc Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO -50 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO -5.0 Vdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Ic -150 mAdc Base Current 基極電流 IB -30 mAdc Collector Power Dissipation 集電耗散功率 PC 225 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 GM1015(销售型號 S1015)=BA 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM1015(销售型號 S1015) ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol Test Condition Min 符號 測試條件 最小值 TYP 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=-50V, IE=0 — — -0.1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=-5V, IC=0 — — -0.1 μA V(BR)CBO IC=-100μA -50 — — V V(BR)CEO IC=-1.0mA -50 — — V V(BR)EBO IE=-100μA -5 — — V hFE VCE=-6V, IC=-2mA 70 — 400 — VCE(sat) IC=-100mA, IB=-10mA — — -0.3 V VBE(sat) IC=-100mA, IB=-10mA — — -1.0 V Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓 VBE VCE=-5.0V, IC=-10mA — — -0.82 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=-5.0V, IC=-10mA 100 180 — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB=-10V, IE=0,f=1MHz —— 4.0 7.0 pF Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降