桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA1504 ■FEATURES 特點 PNP General Purpose Transistor ■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 VCBO -50 V VCEO -50 V VEBO -5 V Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Ic -150 mA Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 225 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ GMA1504 O Y GR MARK ASO ASY ASG HFE 70~140 120~240 200~400 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 ■DEVICE MARKING 打標 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA1504 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol Test Condition Min Typ Max Unit 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=-50V, IE=0 — — -0.1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=-5V, IC=0 — — -0.1 μA V(BR)CBO IC=-100μA -50 — — V V(BR)CEO IC=-1.0mA -50 — — V V(BR)EBO IE=-100μA -5 — — V HFE VCE=-6V, IC=-2mA 70 — 400 — Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 VCE(sat) IC=-100mA, IB=-10mA — -0.1 -0.3 V Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 VBE(sat) IC=-100mA, IB=-10mA — — -1.0 V Noise Figure 噪声係數 NF V CE=-6V, Ic=-0.1mA, f=1kHz, Rg=10kΩ — 1.0 10 dB Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=-10V, IC=-1mA 80 — — MHz Cob VCB=-10V, IE=0, f=1MHz — 4.0 7.0 pF Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector Output Capacitance 輸出電容