桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9013 ■FEATURES 特點 Excellent HFE Linearity HFE 線性特性極好 hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V,Ic=400mA. Complementary to GM9012 与 GM9012 互补 ■MAXIMUM (Ta=25℃) RATINGS 最大額定值(T Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base voltage 集電極-基極電壓 VCBO 40 Vdc -Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO 30 Vdc Emitter-Base voltage 發射極-基極電壓 VEBO 5.0 Vdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Ic 500 mAdc Base-Current 基極電流 IB 50 mAdc Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 300 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ ■DEVICE GM9013=J3 MARKING 打標 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9013 CHARACRTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) ■ELECTRICAL Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=35V,IE=0 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO Min TYP Max 最小值 典型值 最大值 Unit 單位 — — 0.1 μA VEB=5V,IC=0 — — 0.1 μA V(BR)CBO IC=100μA 40 — — V V(BR)CEO IC=1.0mA 30 — — V V(BR)EBO IE=100μA 5 — — V hFE(1) VCE=1V,IC=100mA 70 — 400 hFE(2) VCE=6V,IC=400mA 25 — — VCE(sat) IC=500mA, IB=50mA — — 0.6 V VBE VCE=1V,IC=100mA — 0.8 1.0 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=6V,IC=20mA 150 300 — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB=6V,IE=0, f=1MHz — 7.0 10 pF Collect-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collect-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極電壓 — 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9013 ■DIMENSION 外形封裝尺寸