桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMD780 ■FEATURES 特點 NPN Low Frequency Amplifier Transistor ■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 VCBO 60 V VCEO 60 V VEBO 5 V Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Ic 300 mA Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 200 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 ■DEVICE MARKING 打標 GMD780(2SD780) MARK DW1 DW2 DW3 DW4 DW5 HFE1 110~180 135~220 170~270 200~320 250~400 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMD780 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol Test Condition Min Typ Max Unit 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=50V, IE=0 — — 0.1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=5V, IC=0 — — 0.1 μA V(BR)CBO IC=100μA 60 — — V V(BR)CEO IC=1.0mA 60 — — V V(BR)EBO IE=100μA 5 — — V DC Current Gain 直流電流增益 HFE1 VCE=1V, IC=50mA 110 200 400 — DC Current Gain 直流電流增益 HFE2 VCE=2V, IC=300mA 30 — — — Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 VCE(sat) IC=300mA, IB=30mA — 0.15 0.6 V Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 VBE(sat) IC=300mA, IB=30mA — — 1.2 V VBE VCE=6V, IC=10mA 0.6 0.64 0.7 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=6V, IC=10mA — 140 — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB=6V,IE=0, f=1MHz — 7 — pF Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 Base-Emitter Saturation 基極-發射極電壓