桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM8050 特點 Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大 Suitable for Driver Stage of Small Motor 小馬達驅動 Complementary to GM8550 与 GM8550 互补 ■FEATURES (Ta=25℃) ■最大額定值(T CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO 40 25(GMC6802) Vdc Collect-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO 25 18(GMC6802) Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO 5.0 Vdc Collector Current 集電極電流 Ic 500(S8050A,S8050) 1000(M8050) 1200(MMT8050) 1500(SS8050) 1800(GMC6802) mAdc Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 225 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 A=J3Y. S8050 8050A MMT8050=Y1 ■HFE RANGE HFE S8050=J3Y M8050=Y1. S8050=J3Y SS8050=Y.1 GMC6802=6802 放大倍數分檔 (85 150), (1 (85〜150), (1220〜2220) 0~400) (200~300), (28 280~400) 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM8050 CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) ■ELECTRICAL Characterstic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=30V,IE=0 — — 0.1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=5V,IC=0 — — 0.1 μA IC=100μA 40 (25) — — V (GMC6802) 25 (18) — — V V(BR)EBO IE=100μA 5 — — V HFE(1) VCE=1V,IC=100mA 85 — 400 VCE=1V, IC=1800mA(GMC6802) 50 Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 V(BR)CBO V(BR)CEO HFE(2) (GMC6802) IC=10mA Min. Typ. Max. Unit 最小值 典型值 最大值 單位 IC=800mA — — — Ic=500mA(S8050) Ic=500mA(S8050A) 40 40 30 VCE(sat) IC=500mA, IB=50mA — — 0.6 V Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓 VBE VCE=1V,IC=10mA — 0.8 1.0 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=5V,IC=10mA 100 120 — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz — 13 30 pF Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 (M8050,MMT8050，SS8050) 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM8050 ■DIMENSION 外形封裝尺寸