N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 SFP50N06 HFP50N06 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 低压高速开关应用。 TO-220 █ 极限值(Ta=25℃) Tstg——贮存温度………………………………………… -55~175℃ Tj——结温……………………………………………………… 150℃ 1―栅 极 G VDSS——漏极—源极电压…………………………………………60V 2―漏 极 D VGS——栅极—源极电压……………………………………… ±20V 3―源 极 S ID——漏极电流(Tc=25℃)……………………………………50A PD——耗散功率(Tc=25℃)………………………………………130W █ 电参数(Ta=25℃) 参数符号 BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss Td(on) Tr Td(off) Tf Qg Qgs Qgd IS VSD Rth(j-c) 符 号 说 明 漏—源极击穿电压 零栅压漏极电流 栅极泄漏电流 栅—源极开启电压 漏—源极导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 导通延迟时间 上升时间 断开延迟时间 下降时间 栅极总电荷 栅极—源极电荷 栅极—漏极电荷 源极—漏极二极管正向电流 源极—漏极二极管导通电压 热阻 注:1、脉冲测试,宽度≤300μS,占空比≤2% 最小值 典型值 最大值 60 2.0 0.018 880 430 110 60 185 75 60 39 9.5 13 1 ±100 4.0 0.023 1140 560 140 130 380 160 130 45 50 1.5 1.15 单 位 V µA nA V Ω pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC A V ℃/W 测 试 条 件 ID=250µA,VGS=0 VDS=60V,VGS=0 VGS=±20V,VDS=0 VDS=VGS,ID=250µA VGS=10V,ID=25A VDS=25V,VGS=0,f=1MHz VDD=30V,ID=25A (峰 值),RG=50Ω(注 1) VDS=48V, VGS=10V, ID=50A(注 1) IS=50A,VGS=0 结到外壳 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP50N06 █ 典型特性曲线 对应国外型号 SFP50N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP50N06 █ 典型特性曲线 对应国外型号 SFP50N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP50N06 对应国外型号 SFP50N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP50N06 对应国外型号 SFP50N06