N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 SSP7N60B HFP7N60 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 高速开关应用。 TO-220 █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度………………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………………… 150℃ 1―栅 极 G VDSS——漏极—源极电压………………………………………600V 2―漏 极 D VGS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V 3―源 极 S ID——漏极电流（Tc=25℃）……………………………………7.0A IDM——漏极电流（脉冲）（注 1）…………………………………28A PD——耗散功率（Tc=25℃）………………………………………147W █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVDSS IDSS IGSS VGS（th） RDS（on） Ciss Coss Crss Td（on） Tr Td（off） Tf Qg Qgs Qgd IS VSD Rth(j-c) 符 号 说 明 漏—源极击穿电压 零栅压漏极电流 栅极泄漏电流 栅—源极开启电压 漏—源极导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 导通延迟时间 上升时间 断开延迟时间 下降时间 栅极总电荷 栅极—源极电荷 栅极—漏极电荷 源极—漏极二极管正向电流 源极—漏极二极管导通电压 热阻 *注 1：漏极电流受最大结温限制。 *注 2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2% 最小值 典型值 最大值 600 2.0 0.91 1250 120 17.5 20 55 90 60 30 6 13 1.0 ±100 4.0 1.2 1620 156 22.5 40 110 180 120 40 7.0 1.4 0.85 单 位 V μA nA V Ω pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC A V ℃/W 测 试 条 件 ID=250μA，VGS=0 VDS=600V，VGS=0 VGS=±30V，VDS=0 VDS=VGS，ID=250μA VGS=10V，ID=3.5A VDS=25V，VGS=0，f=1MHz VDD=300V，ID=7.0A RG=25Ω（注 2） VDS=480V, VGS=10V， ID=7.0A（注 2） IS=7.0A，VGS=0 结到外壳 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP7N60 █ 典型特性曲线 对应国外型号 SSP7N60B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP7N60 █ 典型特性曲线 对应国外型号 SSP7N60B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP7N60 █ 典型特性曲线 对应国外型号 SSP7N60B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP7N60 █ 典型特性曲线 对应国外型号 SSP7N60B