N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 HFF4N65 █ 主要用途 FQPF4N65 █ 外形图及引脚排列 高速开关应用。 TO-220F █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度………………………………………… -55~150℃ 1 1―栅 极 G Tj——结温……………………………………………………… 150℃ 2―漏 极 D VDSS——漏极—源极电压………………………………………650V 3―源 极 S VGS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V ID——漏极电流（Tc=25℃）……………………………………3.6A IDM——漏极电流（脉冲） （注 1）………………………………14.4A PD——耗散功率（Tc=25℃）………………………………………33W █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 BVDSS 漏—源极击穿电压 IDSS 零栅压漏极电流 IGSS 栅极泄漏电流 最小值 典型值 最大值 650 2.5 单 位 测 试 条 件 V ID=250μA ,VGS=0V 1 μA VDS =650V，VGS=0 ±100 4.5 nA V VGS=±30V , VDS =0V VDS = VGS , ID =250μA VGS=10V, ID =1.8A VGS(th) 栅—源极开启电压 RDS(on) 漏—源极导通电阻 2.3 2.9 Ω 输入电容 输出电容 500 650 pF 45 60 pF 反向传输电容 10 13 pF 导通延迟时间 15 30 nS 上升时间 40 80 nS 断开延迟时间 50 100 nS 下降时间 40 80 nS 15 3.5 20 nC VDS =520V Qgs 栅极总电荷 栅极—源极电荷 nC VGS=10V Qgd 栅极—漏极电荷 6.0 nC ID=3.6A（注 2） Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Is 源极—漏极二极管正向电流 3.6 A VSD 源极—漏极二极管导通电压 1.4 V 3.79 ℃/W Rth（j-c） 热阻 *注 1：漏极电流受最大结温限制。 *注 2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2%s VDS =25V, VGS=0,f=1MHz VDs =325V, ID =3.6A (峰值) RG= 25 Ω （注 2） IS =3.6A , VGS=0 结到外壳 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFF4N65 █典型特性曲线 对应国外型号 FQPF4N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFF4N65 █典型特性曲线 对应国外型号 FQPF4N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFF4N65 █典型特性曲线 对应国外型号 FQPF4N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFF4N65 █典型特性曲线 对应国外型号 FQPF4N65