HGH25N120A - 华汕电子器件有限公司

汕头华汕电子器件有限公司
N-Channel Enhancement Insulated Gate Bipolar Transistor
HGH25N120A
█ 主要用途
对应国外型号
FGA25N120FTD
█ 外形图及引脚排列
TO-3P
感应加热和微波炉;
大功率电子电路中作开关应用。
█ 特性说明
低饱和压降、高输入阻抗。
采用先进的沟槽隔离技术,使器件具有良好的传导和开关性能,
并具有特殊雪崩击穿保护。
1―栅 极,G
2―集电极,C
3―发射极,E
█ 绝对最大额定值
Symbol
Description
Ratings
Units
VCES
集电极-发射极电压
1200
V
VGES
栅极-发射极电压
±30
V
集电极电流(TC = 25℃)
50
A
集电极电流(TC = 100℃)
25
A
脉冲集电极电流
80
A
二极管正向电流(TC = 100℃)
15
A
最大功耗(TC = 25℃)
200
W
最大功耗(TC = 100℃)
80
W
IC
ICM (1)
IF
PD
TJ
工作结温
-55~+150
℃
Tstg
储存温度
-55~+150
℃
300
℃
最高管脚温度(浸锡面离塑封体1/8
英寸,时间5秒)
注1:脉冲宽度受最大结温限制。
TL
█ 热特性
符号
参数
典型值
最大值
单位
RθJC(IGBT)
热阻(结到外壳)
0.44
℃/W
RθJC(Diode)
热阻(结到外壳)
2.24
℃/W
RθJA
热阻(结到环境)
40
℃/W
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N-Channel Enhancement Insulated Gate Bipolar Transistor
对应国外型号
FGA25N120FTD
HGH25N120A
█ IGBT的电特性(Tc=25°C,除非有特殊说明)
符号
参数
测试条件
最小
典型
最大
单位
关态特性
BVCES
ICES
IGES
集电极-发射极击穿电
压
集电极截止电流
G-E 极之间的漏电流
VGE = 0V, IC = 250μA
1200
V
VCE = 1200V, VGE = 0V
250
μA
VGE = ±30V, VCE = 0V
±250
nA
6.5
V
2.7
V
导通特性
VGE(th)
VCE(sat)
G-E Threshold Voltage
G-E 极之间阈值电压
集电极-发射极饱和压
降
IC = 250μA, VCE = VGE
3.0
IC = 20A, VGE = 15V;
TC = 25℃
2.1
VCE = 25V, VGE = 0V,
f= 100KHz
840
130
50
pF
pF
pF
动态特性
Cies
Coes
Cres
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
td(on)
导通延迟时间
40
ns
tr
tf
上升时间
关断延迟时间
下降时间
Eon
导通开关损耗
Eoff
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
栅极-发射极电荷
栅极-集电极电荷
70
80
350
0.9
2.2
3.1
186
15
79
230
20
110
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
典型
最大
单位
1.7
2.7
V
210
330
ns
27
40
A
2.8
6.6
µC
td(off)
Ets
Qg
Qge
Qgc
VCC = 600V, IC = 20A,
RG = 28Ω, VGE = 15V,
Inductive Load, TC = 25℃
VCE = 600V, IC = 20A,
VGE = 15V
█ 二极管的电特性(Tc=25°C,除非有特殊说明)
符号
参数
VFM
二极管正向电压
trr
二极管反向恢复时间
Irr
二极管反向恢复电流峰值
Qrr
二极管反向恢复电荷
测试条件
IF = 15A
IES =15A,
dI/dt =200A/μs
最小
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HGH25N120A
█ 典型特性曲线
对应国外型号
FGA25N120FTD
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